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Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器數據手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配...
報告內容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結構的生長 GaN HEMT 技術面臨的挑戰
硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
那么，這是否意味著GaN將在每種應用中取代GaAs？答案是否定的，這就是為什么Microchip生產分立式以及GaN和GaAs MMIC產品，并擁有業內...
PMP23146：45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設計用于服務器輔助電源
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實現最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UC...
美國國防部高級研究計劃局（DARPA）微系統技術辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導體行業將很快進入第三波...
TIDA-00909 適用于高速驅動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設計
低電壓、高速驅動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內具有更高的逆變器開關頻率，以最大限度地減少電機中的損耗和轉矩紋波。...
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數據手冊
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計，包括但不...
與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關...
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應用選型避坑手冊
在消費電子快充領域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業設備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...
2025-12-24 標簽：驅動ICGaNSiC MOSFET 1k 0
PMP22244：具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計
此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源，使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
企業服務器、交換機、基站和存儲硬件設計師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數量的增加和外形尺寸的減小，電源密度成為進一步減小面積的限制...
數字 GaN 是使用 GaN IC 實現卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數字控制方法。模擬信號塊不再“轉換”為數字信號塊。
GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用...
人們曾經認為生成的任務是不可能的，并且被 GAN 的力量所震驚，因為傳統上，根本沒有任何事實可以比較我們生成的圖像。
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設計，包...
隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅動高密度集成的難題，傳統直流(DC)驅動技術會導致結溫上升，降低器件壽命。
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
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