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氮化鎵晶體管應用領域

基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關頻率和死區時間的增加，基于硅的轉...

2023-02-08 標簽：轉換器氮化鎵 GaN 880 0

?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術解析

Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統評估板是一款簡單易用的分線板，用于將任何LMG341x半橋板（例如LMG34...

2025-09-26 標簽：半橋 GaN 同步降壓轉換器 877 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 876 0

LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...

2025-02-21 標簽：FET GaN 柵極驅動器 872 0

LM5113-Q1系列用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器數據手冊

LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅動汽車應用中的高壓側和低壓側增強型氮化鎵（GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...

2025-05-19 標簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 871 0

TIDA-050072 基于GaN的65W USB PD3.0 USB-C 適配器參考設計

此參考設計是一個 65W USB PD3.0 適配器適用于許多充電應用，包括手機、筆記本電腦和平板電腦。設計實現高效率和功率密度使用LMG362...

2025-02-24 標簽：usb 適配器平板電腦 866 0

LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅動器和保護概述

LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。

2025-02-21 標簽：電源轉換器 FET GaN 863 0

同步整流芯片U7116W/U7110W產品介紹

同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U711XW內置有...

2025-06-27 標簽：GaN 快充同步整流芯片 860 0

碳化硅功率器件的優勢及應用

傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時，其性能已經接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現，為電力電子行業帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關鍵所在。

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 860 0

GaN FET：提供AEC-Q101級耐用性

功率GaN技術已證明可為電源轉換帶來出色的效率。但對于汽車應用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質量和可靠性。我們必須證明，Nexper...

2023-02-09 標簽：電源服務器 GaN 859 0

氮化鎵電源芯片U8726AHE產品介紹

EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選...

2025-04-28 標簽：氮化鎵 GaN 電源芯片 855 0

一種結合了SiC和GaN優勢的晶體管

這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如，碳化硅現在是電動汽...

2024-01-18 標簽：半導體晶體管 SiC 853 0

預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標簽：雷達氮化鎵 GaN 853 0

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數據手冊

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入...

2025-05-27 標簽：功率放大器輸出功率 GaN 853 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現更高的電壓路徑

橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現強勁增長態勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創新。本文總結...

2025-05-28 標簽：晶體管功率器件 GaN 852 0

PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設計

此參考設計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉換器實現高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...

2025-02-21 標簽：mcu 連接器電源模塊 851 0

PMP31349 具有GaN開關的30V至60V輸入、240W 降壓轉換器參考設計

此參考設計是一種可從標稱 48V 電池輸入（30V 至 60V 范圍）生成 12V 穩壓輸出的電源。該電路設計為支持 20A 的連續輸出電流。LM514...

2025-02-21 標簽：電源降壓轉換器 GaN 848 0

淺談GAN在汽車里面的應用案例

從全球來看，豪華電動汽車趨向于采用800V系統，核心優勢是電流小（銅線少）、更低的傳導損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年，中國的15萬在研產品都會...

2023-10-07 標簽：電動汽車汽車電子 GaN 847 0

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側柵極驅動器數據手冊

UCC27444 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器，可有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27444-Q1 的典型峰值驅動強度為 4 ...

2025-05-15 標簽：MOSFET 功率開關 GaN 847 0

BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊

該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 846 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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5G網絡作為最新一代的移動互聯網通訊技術，相對4G而言，網速更快；5G手機是指使用第五代通信系統的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網絡切片技術，擁有更精準的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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