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TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 T...

2025-05-15 標簽：FET 場效應晶體管 GaN 768 0

E-GaN電源芯片U8722FE產品概述

E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。

2025-05-26 標簽：芯片 GaN 電源芯片 768 0

LMG3626EVM-074：LMG3626 用于具有 USB C 型? PD 的 65W 準諧振反激式轉換器的評估模塊

LMG3626EVM-074 評估模塊（EVM）使用具有電流感應仿真功能的 LMG3626 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-...

2025-02-24 標簽：usb 適配器反激式轉換器 763 0

LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅動器數據手冊

該 LMG1205 設計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅動高壓側和低壓側增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...

2025-05-19 標簽：MOSFET UVLO GaN 757 0

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC21231 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 標簽：可編程晶體管 GaN 749 0

Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數據手冊

Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET，具有集成驅動器和保護功能，...

2025-07-08 標簽：FET GaN 評估模塊 734 0

?STDRIVEG211半橋柵極驅動器深度解析與設計指南

STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN，高側驅動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅...

2025-10-15 標簽：半橋 N溝道 GaN 730 0

技術資料#LMG3410R070 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN

LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-26 標簽：GaN 電力電子系統輸出電容 729 0

如何從零開始構建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數據集 725 0

GaN高功率整流器的設計氮化鎵整流器的電氣特性

報告內容包含：動機理論計算氮化鎵材料參數固有載流子濃度擊穿電壓 (VB) 通態電阻 (RON)

2022-11-17 標簽：整流器氮化鎵 GaN 723 0

EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術解析與應用指南

STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L，其可快速創建拓撲，無需完整的PCB設...

2025-10-22 標簽：電源模塊 GaN LLC 707 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側柵極驅動器數據手冊

UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側柵極驅動器，可有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27444-Q1 的典型峰值驅動強度為...

2025-05-16 標簽：MOSFET 功率開關電源開關 689 0

超越防護：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導體封裝中扮演更關鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標簽：SiC IC封裝 GaN 686 0

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅動器，具有5V UVLO和3.3mm通道間距數據手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A...

2025-05-16 標簽：晶體管 UVLO GaN 672 0

?STDRIVEG210半橋柵極驅動器技術解析與應用指南

STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN，高側驅動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅...

2025-10-15 標簽：半橋 N溝道 GaN 663 0

基于氮化鎵器件的集成化技術詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。

2023-04-07 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 657 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅動器數據手冊

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側柵極驅動器，能夠有效驅動 MOSFET 和 GaN 功率開關。UCC27332-Q1 的典型峰值驅動強度...

2025-05-16 標簽：MOSFET 功率開關電源開關 654 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標簽：半導體充電器氮化鎵 649 0

GaN如何在電子工程行業掀起一場革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。

2023-01-29 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 633 0

SiC和GaN市場未來如何發展

氮化鎵融資方面，今年融資數量最多的反倒是材料細分領域，相關材料企業有晶湛半導體、進化半導體、鎵仁半導體。其中士蘭明鎵融資規模最大，達12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標簽：智能電網光伏 SiC 628 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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5G網絡作為最新一代的移動互聯網通訊技術，相對4G而言，網速更快；5G手機是指使用第五代通信系統的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網絡切片技術，擁有更精準的定位。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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三星集團是韓國最大的企業集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構，在近70個國家和地區建立了近300個法人及辦事處，員工總數20余萬人，業務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區，是一家先進、專業的無晶圓半導體公司，致力于研發設計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統級芯片，提供移動通訊和物聯網解決方案。
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