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TI LMG3624 具有集成式驅動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...

2025-02-20 標簽：電源 FET GaN 1k 0

GaN HEMT推動電機變革

對緊湊但功能強大的電機的需求為設計工程師帶來了新的挑戰。為了盡可能提高小型電機的功率輸出，工程師們開始轉向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導體...

2023-02-15 標簽：MOSFET 逆變器 GaN 1k 0

TMS320F280036-Q1微控制器技術文檔總結

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設計，包...

2025-09-30 標簽：微控制器電力電子 SiC 1k 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz，39.5dBm，GaN功率放大器技術手冊

ADPA1116是一款0.3 GHz至6 GHz的功率放大器，飽和輸出功率（POUT）為39.5 dBm，功率附加效率（PAE）為40%，在輸入功率（P...

2025-04-22 標簽：功率放大器輸出功率 GaN 1k 0

采用GaN的多相MHZ轉換器

氮化鎵 (GaN)器件可實現航空航天、交通運輸和醫療應用所需的高頻、高密度電源。在布置印刷電路板 (PCB)時必須考慮某些設計規則和組件。例如，多層布局...

2022-07-29 標簽：轉換器 DC GaN 1k 0

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管，帶有集成驅動器，這些驅動器配置在-個半橋中，具有所有必需的偏置電路和...

2025-02-25 標簽：電感 GaN 功率晶體管 1k 0

LMG3612 650V GaN功率FET技術解析與應用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動...

2025-08-13 標簽：驅動器單通道 FET 1k 0

全芯時代單通道低側GaN驅動器

該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。

2023-06-30 標簽：MOSFET 驅動器 GaN 1k 0

氮化鎵GaN快充芯片U8732的特點

氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手...

2025-05-23 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1k 0

TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 ...

2025-02-21 標簽：FET 氮化鎵 GaN 1k 0

TIDA-050074：140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計

此參考設計是基于氮化鎵（GaN）的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ）和輸出...

2025-02-24 標簽：充電器 usb 適配器 1k 0

功率器件的材料演進之路

如今，我們已經無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產、分發和使用過程中，功率轉換起著至關重要的作用。

2023-08-10 標簽：半導體功率器件 SiC 1k 0

HMC1086F10 25W GaN MMIC功率放大器技術手冊

HMC1086F10是一款25W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器，工作頻率范圍為2至6 GHz，采用10引腳法蘭貼裝封裝。該放大器通常提供23 d...

2025-03-19 標簽：功率放大器 GaN MMIC 1k 0

氮化鎵的市場在哪些領域？封裝技術是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。其中，高開關頻率意味著應用電路...

2023-09-07 標簽：封裝技術氮化鎵 GaN 1k 0

Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側柵極驅動器數據手冊

Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側柵極驅動器是一款有效驅動MOSFET和GaN電源開關的高速、雙通道、...

2025-08-05 標簽：MOSFET 電源開關 GaN 1k 0

氮化鎵PD快充芯片U8733產品概述

芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動...

2025-05-10 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1k 0

HMC1099PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至1.1GHz GaN功率放大器技術手冊

HMC1099PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 0.01 GHz 到 1.1 GHz 瞬時帶寬上實現 >10 W 輸出，P...

2025-03-11 標簽：功率放大器引腳 GaN 1k 0

氮化鎵快充芯片U8766的主要特點

深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...

2025-03-20 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1k 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數據手冊 HEMT 1k 0

30W氮化鎵電源IC U8608的工作原理

30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來...

2025-03-28 標簽：氮化鎵 GaN 電源IC 1k 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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