BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）和硅驅(qū)動器集成到羅姆的原創(chuàng)封裝中，與傳統(tǒng)的分立解決方案相比，由印刷電路板（PCB）和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，其能夠?qū)崿F(xiàn)高達150V/ns 的高開關(guān)轉(zhuǎn)換速率。另一方面，可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強度有助于降低電磁干擾（EMI），各種保護功能和其他附加功能優(yōu)化了成本和 PCB尺寸。該集成電路旨在適配現(xiàn)有的主流控制器，因此它還可用于替代傳統(tǒng)的分立功率開關(guān)，如超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。
*附件：BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
型號 | BM3G107MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態(tài) | Taping
包裝數(shù)量 | 1000
最小獨立包裝數(shù)量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動強度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護
- 熱關(guān)斷保護
應(yīng)用
典型應(yīng)用電路
引腳配置
引腳描述
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