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驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅動器，每個驅動器能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側 MOSFET 產生正確的...
DRV8300U是100V三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側MOSFET的外...
DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅動器，適用于 48V 汽車三相 BLDC 應用。該器件提供三個半橋柵極驅動器，每個驅動器能夠驅動高側和低側 ...
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統可靠性有顯著影響。
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅動器數據手冊
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器，可實現最大的控制靈活性。這...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器數據手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅動優化的單通道高速柵極驅動器，專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩壓器精確控...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 T...
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
傾佳電子碳化硅MOSFET驅動電壓解析：-5V的必要性及-5V/+18V作為技術能力檢驗標準的深層原因
傾佳電子碳化硅MOSFET驅動電壓解析：-5V的必要性及-5V/+18V作為技術能力檢驗標準的深層原因 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...
BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負驅動電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統經濟性以及應用場景適配性等方面的綜合優勢，使其成為電力電子應用中的首選，推動了IGBT模塊向SiC模塊...
數字微流控（DMF）是一種新興的液體處理技術，在各種生物和生物醫學應用中顯示出廣闊的潛力。
二相步進電機的工作原理基于電流在兩個相位之間切換，從而產生旋轉的磁場，驅動電機轉動。因此，驅動電壓對電機的性能起著決定性的影響。驅動電壓的高低不僅決定了...
瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證
3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
瞻芯電子推出第二代650V車規級TO263-7封裝助力高效高密應用
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用...
合工大研發出一種基于單p-型硅肖特基結的超靈敏近紅外窄帶光電探測器
據麥姆斯咨詢報道，近日，合肥工業大學微電子學院先進半導體器件與光電集成實驗室的王莉副教授和羅林保教授團隊，成功研發出一種基于單p-型硅肖特基結的超靈敏近...
提升液晶透鏡成像質量的方法：減少由液晶材料取向波動引起的霧度
液晶（LC）透鏡的霧度一直是虛擬現實（VR）/增強現實（AR）及其它光學應用中存在的問題，但是一項新的研究成果為工程師和研究人員增進了對霧度產生的根本原...
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通...
igbt怎樣導通和關斷？igbt的導通和關斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開...
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