DRV8300U是100V三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側MOSFET的外部電容器產生正確的柵極驅動電壓。GVDD用于為低側MOSFET生成柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持高達750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
*附件：drv8300u.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負電壓瞬變;而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的正電壓瞬變 （125V） abs 最大電壓，從而提高系統的穩健性。小傳播延遲和延遲匹配規格最大限度地減少了死區時間要求，從而進一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側和高側提供欠壓保護。

特性

• 100V三相半橋柵極驅動器
  • 驅動 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅動器電源 （GVDD）：5-20V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達 100V
• 集成自舉二極管（DRV8300UD器件）
• 支持反相和同相 INLx 輸入
• Bootstrap 柵極驅動架構
  • 750mA 源電流
  • 1.5A 灌電流
• 支持高達 15S 的電池供電應用
• 更高的 BSTUV （8V 典型值） 和 GVDDUV （7.6V 典型值） 閾值，支持標準 MOSFET
• SHx引腳上的低漏電流（<55μA）
• 絕對最大 BSTx 電壓高達 125V
• 在SHx上支持高達-22V的負瞬變
• 內置交叉傳導預防
• 通過 DT 引腳可調節死區時間，適用于 QFN 封裝變體
• TSSOP 封裝變體的固定死區時間插入 200nS
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大絕對值為 20V
• 4nS典型傳播延遲匹配
• 緊湊的QFN和TSSOP封裝
• 使用電源塊進行高效的系統設計
• 集成保護功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數

方框圖

?1. 產品概述?

DRV8300U是德州儀器（TI）推出的100V三相無刷直流電機（BLDC）柵極驅動器，核心特性包括：

• ?高壓驅動?：支持100V工作電壓（BSTx絕對最大值125V），可驅動N溝道MOSFET，適用于15節電池應用。
• ?集成架構?：
  • 內置自舉二極管（DRV8300UD型號），簡化外部電路設計。
  • 支持750mA源電流/1.5A灌電流驅動能力，適配高功率MOSFET。
• ?靈活輸入?：兼容3.3V/5V邏輯電平（20V耐壓），支持同相/反相INLx輸入配置（通過MODE引腳選擇）。
• ?保護功能?：BSTx/GVDD欠壓鎖定（UVLO）、交叉導通預防、-22V負瞬態耐壓（SHx引腳）。

?2. 關鍵參數與性能?

• ?電源管理?：
  • GVDD供電范圍：8.7V~20V（推薦12V），BSTx耐壓125V。
  • 低泄漏電流：SHx引腳<55μA，BSTx靜態漏電流<7μA。
• ?時序特性?：
  • 傳播延遲125ns（典型值），匹配延遲±4ns。
  • 可調死區時間（QFN封裝）：通過DT引腳電阻設置（200ns~2000ns）。
• ?封裝選項?：
  • 24引腳VQFN（4mm×4mm，帶散熱焊盤）。
  • 20引腳TSSOP（6.5mm×6.4mm）。

?3. 典型應用場景?

• ?電動交通工具?：電動自行車、滑板車、無人機。
• ?工業設備?：伺服驅動、泵、風扇、物流機器人。
• ?家用電器?：無繩吸塵器、園林工具。

?4. 設計要點?

• ?自舉電容選型?：
  • 最小容值計算：需滿足ΔVBSTx < 6.65V（例如59nF@1V紋波，推薦100nF）。
  • GVDD電容：≥10倍自舉電容值（典型1μF）。
• ?布局建議?：
  • 縮短GHx/GLx走線（推薦15mil寬度），減少寄生電感。
  • 功率地（GND）與信號地分離，散熱焊盤需多過孔連接。

?5. 保護與診斷?

• ?欠壓保護?：
  • GVDD UVLO閾值：8.3V（上升）/7.6V（下降）。
  • BST UVLO閾值：8V（上升）/7.6V（下降）。
• ?故障恢復?：自動恢復模式，需檢測INHx引腳PWM上升沿。

?6. 版本與支持?

• ?文檔資源?：提供白皮書（如SLUA271）、SPICE模型。
• ?訂購型號?：
  • DRV8300UDPW（TSSOP，固定死區）。
  • DRV8300UDRGE（VQFN，可調死區）。

?注?：本器件適用于高可靠性電機驅動系統，尤其適合需高壓耐受和快速響應的應用場景。