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TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-15 16:39 ? 次閱讀
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TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H6023-SP(額定電壓 22V)。驅動器具有可調死區時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高壓側和低壓側 LDO,無論電源電壓如何,都能確保 5V 的驅動電壓。TPS7H60x3-SP 驅動器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件:tps7h6023-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式:獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下,單個輸入產生兩個互補輸出信號,用戶可以調整每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時,輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護,這允許驅動器在許多不同的轉換器配置中使用。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

  • 輻射性能:
    • 抗輻射強度 (RHA) 高達 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子柵極破裂 (SEGR) 不受線性能量傳遞 (LET) 的影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立的輸入
  • 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
  • 用于可調開啟和關閉時間的分離輸出
  • 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
  • 5.5ns 典型延遲匹配

參數
image.png

方框圖
image.png

一、產品概述

  • ?產品名稱?:TPSH-SP
  • ?類型?:輻射硬化保證(RHA).A峰值源電流,.A峰值沉電流,半橋GaN FET柵極驅動器
  • ?應用?:適用于空間衛星電源、通信載荷、命令與數據處理、光學成像載荷以及衛星電力系統

二、主要特性

  • ?輻射性能?:
    • 總電離劑量(TID)保證高達krad(Si)
    • 對單事件閂鎖(SEL)、單事件燒毀(SEB)、單事件柵極擊穿(SEGR)免疫,線性能量轉移(LET)閾值達MeV-cm2/mg
    • 單事件瞬態(SET)和單事件功能中斷(SEFI)特性高達LET = MeV-cm2/mg
  • ?操作模式?:
    • 單PWM輸入,帶可調死區時間
    • 兩個獨立輸入
    • 可選輸入互鎖保護(獨立輸入模式)
    • 分裂輸出,用于獨立調整開通和關斷時間
  • ?電氣性能?:
    • 典型傳播延遲ns(獨立輸入模式)
    • .ns典型高低側延遲匹配
    • 高達.A峰值源電流,.A峰值沉電流

三、保護功能

  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:所有內部線性調節器和輸入電壓均具備UVLO保護
  • ?編程死區時間?:通過外部電阻設置
  • ?輸入互鎖保護?:在獨立輸入模式下可選,防止射穿

四、電氣規格

  • ?輸入電壓范圍?:V至V
  • ?輸出電壓?:V(由內部線性調節器提供)
  • ?電氣特性?:
    • 低側和高側靜態電流
    • 輸出高低電平電壓
    • 峰值源電流和沉電流
    • UVLO閾值及滯回
    • 可編程死區時間范圍

五、功能描述

  • ?輸入電壓與線性調節器?:
    • 輸入電壓為V至V,用于驅動兩個低側線性調節器(BPL和BPL)和一個高側線性調節器(BPH)
    • BPL和BPL分別提供V和V輸出,BPH提供V輸出以驅動GaN FET柵極
  • ?自舉操作?:
    • 支持多種自舉電容充電方法,包括通過內部自舉開關或直接使用VIN充電
    • 需要外部自舉二極管和電阻
  • ?死區時間控制?:
    • 在PWM模式下,通過外部電阻設置高低側輸出之間的死區時間
  • ?輸入互鎖保護?:
    • 在獨立輸入模式下可選,通過特定引腳配置啟用或禁用

六、應用信息

  • ?典型應用?:
  • ?設計考慮?:
    • 自舉電容和二極管的選擇
    • 旁路電容的放置
    • 輸入和輸出電阻的選擇
    • 死區時間的設置
    • 熱管理和布局優化

七、布局與熱管理

  • ?布局指南?:
    • 將GaN FET盡可能靠近柵極驅動器放置,以減小環路電感
    • 最小化自舉充電路徑的環路面積
    • 將所有旁路電容盡可能靠近各自引腳放置
  • ?熱管理?:
    • 使用低熱阻封裝和適當的PCB布局以消散熱量
    • 監控結溫,確保在推薦操作范圍內

八、文檔與支持

  • ?相關文檔?:提供產品數據表、應用筆記、評估模塊用戶指南等
  • ?支持資源?:包括TI EE支持論壇、文檔更新通知等

九、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
  • ?尺寸?:.mm x .mm(長x寬),高度因封裝類型而異

該文檔詳細介紹了TPSH-SP柵極驅動器的技術規格、功能特性、應用指南、布局與熱管理要求,以及相關的支持資源和封裝信息。

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