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標簽 > 寄生電感
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應用指導 | CGAN002: How to read GaN datasheet
云鎵半導體應用指導CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例,"C"為公司...
MOSFET柵極驅(qū)動器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過程
在MOSFET開關中,柵極驅(qū)動器(Gate Driver)承擔著為其充電與放電的關鍵任務,而這背后的能量轉(zhuǎn)換過程,直接影響驅(qū)動系統(tǒng)的效率與熱設計。傳統(tǒng)功...
在開關電源、電機驅(qū)動和射頻系統(tǒng)中,>1MHz的電流測量精度直接決定系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)方案依賴電流互感器(CT)或霍爾傳感器,卻常受限于相位漂移、磁飽和和帶寬...
2025-06-23 標簽:開關電源互感器串聯(lián)電感 1.4k 0
回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實現(xiàn)。...
UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27311A 是一款堅固耐用的柵極驅(qū)動器,設計用于驅(qū)動采用半橋或同步降壓配置的兩個 N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 3....
UCC24636 具有超低待機電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動器,用于在非連續(xù) (DCM) 和 過渡模式 (TM)。與測量 ...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動回路寄生電感的量化評估與關斷過沖抑制技術綜合研究
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)(如電動汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲能系統(tǒng))的演進過程中,碳化硅(SiC)寬禁帶半導體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅(S...
貼片合金電阻在電子電路中應用廣泛,尤其是在高精度測量和功率應用中被頻繁使用。然而,在高頻或?qū)纫筝^高的應用中,寄生電感成為一個不可忽視的問題。
AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點和規(guī)格
株式會社村田制作所(以下簡稱“村田”)開發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負互感(2)、能對從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進行抑制的去寄生電感降噪元...
宏微科技推出分別針對汽車800V平臺和增程式混動的兩款IGBT模塊
宏微科技本次推出適合汽車800V平臺電驅(qū)控制器的產(chǎn)品 MMG600V120X6RS,以及針對1.5L增程器70KW GCU的產(chǎn)品 MMG280VD075...
聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)
2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術的全面覆蓋...
從式中可以看出:過孔的直徑對寄生電感的影響較小,而長度才是影響寄生電感的關鍵因素。所以,在設計電路板時,要盡量減小過孔的長度,以提高電路的性能。
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