01、驅動電壓的選擇

IGBT模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。

典型的IGBT驅動電路如圖5.1 所示。

圖5.1 IGBT 驅動電路示意圖

Q1，Q2為驅動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2推挽放大。選擇Q1，Q2其耐壓需大于50V。選擇驅動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT輸入電容較MOSFET大，因此IGBT關斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET大，IGBT負偏壓值最好在－5V~―10V之內；開通時，驅動電壓最佳值為15V，15V的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V，則IGBT通態損耗較大， IGBT處于欠壓驅動狀態；若VGE>20V，則難以實現電流的過流、短路保護，影響IGBT可靠工作。

02、柵極驅動功率的計算

由于IGBT是電壓驅動型器件，需要的驅動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT，或要求并聯運行的IGBT則需考慮驅動功率。IGBT柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE(on)和關斷VGE(off)電壓，柵極總電荷QG和開關頻率f的影響。

柵極驅動電源的平均功率PAV 計算公式為：

PAV＝（VGE(on)＋VGE(off)）·QG·f

對一般情況：

VGE(on)＝15V，VGE(off)＝10V

則PAV 簡化為：PAV=25×QG×f。

QG為柵極總電荷與CGE有關，從EUPEC的數據資料上可查到。若IGBT并聯，則QG是各個IGBT QG之和。f為IGBT開關頻率。