TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強型塑料 （SEP） 等級。驅動器具有可調死區時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅動電壓。TPS7H60x5 驅動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件：tps7h6025-sep.pdf

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產生兩個互補輸出信號，用戶可以調整每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅動器在許多不同的轉換器配置中使用。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強度 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子瞬態 （SET）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態 （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 用于可調開啟和關閉時間的分離輸出
• 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配
• 根據 ASTM E595 進行塑料包裝脫氣測試
• 適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數

方框圖

一、產品概述

• ?產品名稱?：TPSH5-SEP
• ?類型?：輻射硬化保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）柵極驅動器
• ?應用?：高頻、高效、高電流應用，適用于空間環境

二、主要特性

• ?電壓等級?：V驅動能力
• ?封裝?：6引腳HTSSOP塑料封裝，QMLP和SEP器件等級
• ?驅動性能?：
  • 傳播延遲：ns（典型值）
  • 高側與低側延遲匹配：5.5ns（典型值）
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
• ?控制模式?：
  • 獨立輸入模式（IIM）：兩個獨立輸入控制高側和低側輸出
  • PWM模式：單個PWM輸入生成互補輸出信號
• ?保護功能?：
  • 輸入互鎖保護（可選）
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護
  • 電源良好（PGOOD）指示

三、電氣特性

• ?供電電壓?：VIN范圍V至V
• ?輸出電壓?：內部高側和低側5V線性調節器（BPH和BPL）
• ?靜態電流?：
  • 低側靜態電流（IQLS）：5mA至0mA（取決于操作模式和頻率）
  • 高側靜態電流（IQHS）：4mA至3mA（取決于操作模式和頻率）
• ?輸出特性?：
  • 高電平輸出電壓（VOH）：.3V至.V
  • 低電平輸出電壓（VOL）：0.V至0.V
  • 峰值源/沉電流：.A/2.5A至.A

四、功能描述

• ?輸入電壓?：VIN作為低側線性調節器的輸入，并用于高側自舉電容的充電
• ?自舉電路?：支持多種自舉電容充電方式，包括通過內部自舉開關或直接從VIN充電
• ?死區時間?：在PWM模式下，通過外部電阻設置死區時間
• ?輸入互鎖保護?：在IIM模式下可選，防止高側和低側同時導通
• ?UVLO和PGOOD?：監控內部調節器和VIN電壓，確保可靠工作

五、應用與實現

• ?設計考慮?：
  • 適用于半橋配置，如同步降壓或全橋拓撲
  • 需要外部自舉二極管和電容
• ?布局指南?：
  • 將GaN FET盡可能靠近柵極驅動器放置，以減少環路電感
  • 最小化自舉充電路徑的環路面積
• ?典型應用?：
  • 提供了在同步降壓轉換器中的設計示例，包括組件選擇和配置