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TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強型塑料（SEP）等級。驅動器具有可調死區時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅動電壓。TPS7H60x5 驅動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件：tps7h6005-sep.pdf

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式（IIM）和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產生兩個互補輸出信號，用戶可以調整每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅動器在許多不同的轉換器配置中使用。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

輻射性能：
- 抗輻射強度（RHA）高達 100krad（Si）的總電離劑量（TID）
- 單粒子瞬態（SET）、單粒子倦怠（SEB）和單粒子柵極破裂（SEGR）不受線性能量轉移（LET）的影響 = 75MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬態（SET）和單粒子功能中斷（SEFI）的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
兩種作模式：
- 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
- 兩個獨立的輸入
獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
用于可調開啟和關閉時間的分離輸出
獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
5.5ns 典型延遲匹配
根據 ASTM E595 進行塑料包裝脫氣測試
適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數

方框圖

一、產品概述

?產品名稱?：TPSH-SEP
?類型?：輻射硬度保證（RHA）半橋GaN FET柵極驅動器
?應用?：空間衛星電源、電機驅動、反應輪、通信有效載荷、光學成像有效載荷、衛星電氣電力系統

二、主要特性

?輻射性能?：
- 輻射硬度保證（RHA）至總劑量（TID）krad(Si)
- 單事件瞬態（SET）、單事件燒毀（SEB）、單事件柵極擊穿（SEGR）免疫至線性能量轉移（LET）=MeV-cm2/mg
- SET和單事件功能中斷（SEFI）特征至LET=MeV-cm2/mg
?驅動能力?：
- 峰值源電流：.A
- 峰值沉電流：.A
?工作模式?：
- 單PWM輸入，可調死區時間
- 兩個獨立輸入
?其他特性?：
- 可選輸入互鎖保護（獨立輸入模式）
- 分裂輸出，用于調整開通和關斷時間
- 典型傳播延遲：ns（獨立輸入模式）
- 延遲匹配：.ns（高側和低側）
- 塑料封裝經過ASTM E排氣測試
- 工作溫度范圍：-°C至°C

三、電氣特性

?絕對最大額定值?：
- VIN至AGND：-.V至V
- BOOT至SW：SW+V
- 其他引腳電壓限制詳見文檔
?推薦工作條件?：
- VIN：V至V
- 工作結溫：-°C至°C
?電氣參數?：
- 低側和高側靜態電流：典型值為數毫安
- 輸出高低電平電壓：符合GaN FET驅動要求
- 峰值源/沉電流：.A/.A（典型）
- UVLO（欠壓鎖定）閾值：多個電壓監控點，具有遲滯