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利用Solido Design Environment準確預測SRAM晶圓良率
晶圓級 SRAM 實測數據表明:由存取干擾導致的位失效數量,與單純基于本征器件波動的預測結果存在顯著偏差。失效分析表明,SRAM 位單元 NFET 存在...
9月15-16日,第三屆設計自動化產業峰會IDAS 2025在杭州國際博覽中心盛大舉行。
新思科技近日宣布,正與三星代工廠持續緊密合作,為先進邊緣AI、HPC和AI應用的下一代設計提供強大支持。雙方合作助力共同客戶實現復雜設計的成功流片,并縮...
Inphi借助Cadence技術完成7nm全芯片扁平化設計流片
Inphi 是高速數據移動互連領域的領導者,致力于在全球范圍內、數據中心之間以及數據中心內部快速傳輸大數據。
近日,珠海創飛芯科技有限公司宣布,其自主研發的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
為了提供更好的用戶體驗,包括高質量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦(例如最新的 AI PC)和其他前沿設備,都需要 5 納米及以下的先進節點 SoC,以達成...
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