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東芝計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

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2025-04-08 16:53:53

AI眼鏡的未來:SoC芯片與SD NAND的協(xié)同優(yōu)化

AI眼鏡正以驚人的速度從概念走向現(xiàn)實(shí)。據(jù)行業(yè)預(yù)測,全球AI眼鏡出貨量將在2026年突破1000萬副,2030年更將飆升至8000萬副,市場規(guī)模超百億美元。這一變革的背后,是兩大核心技術(shù)——MK米客方德SD NAND存儲芯片與紳聚高性能SOC芯片的深度融合。
2025-04-08 09:00:001399

2025年HBM已售罄,存儲大廠加快HBM4進(jìn)程

產(chǎn)品價(jià)格。據(jù)CFM閃存市場的消息,美光此次漲價(jià)幅度將在10%-15%。另電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到,此前市場傳出美光要求NAND閃存芯片漲價(jià)約為11%。 ? 此番漲價(jià)普遍認(rèn)為是原廠減產(chǎn)疊加終端回升助推了閃存的需求。另一方面,HBM高帶寬存儲在AI時代
2025-03-30 02:09:402778

SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二(最終)階段交易

于 2020 年末對外公布,第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日,SK 海力士當(dāng)時支付了約合 66.1 億美元的 78422 億韓元,從英特爾接管 SSD 業(yè)務(wù)及其位于中國大連 NAND 閃存制造廠
2025-03-28 19:27:581227

拯救NAND/eMMC:延長閃存壽命

隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實(shí)用方法。前言長時間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
2025-03-25 11:44:242589

存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的"門道之爭"

門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開創(chuàng) "低成本比特" 存儲新紀(jì)元 共性特征
2025-03-18 12:06:501163

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上,并將于2025財(cái)年上半年開始全面生產(chǎn)。
2025-03-13 18:08:161279

NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡(SD NAND)的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的,以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系,以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫和存儲空間的有效管理。
2025-03-13 15:20:281686

Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲扇區(qū)分配表異同

: 存儲結(jié)構(gòu)與層次:NAND Flash 通常作為底層存儲介質(zhì),其存儲扇區(qū)分配表相對較為底層和直接,與閃存芯片的物理結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。它需要考慮閃存的擦除、寫入特性,以及壞塊管理等底層操作。而SD卡(米客方
2025-03-13 10:45:59

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145317

[上手體驗(yàn)]雷龍SD NAND:比TF卡更小更耐用

前幾天,有幸得到了深圳雷龍發(fā)展公司送來的SD NAND樣品。他們給了兩顆32Gbit的SD NAND以及一塊轉(zhuǎn)接板,并且已經(jīng)將NAND焊接上去了。 在這之前,本人只在項(xiàng)目中使用或聽說過eMMC
2025-03-08 14:28:11

10A30V同步降壓芯片WD5030

10A30V同步降壓芯片WD5030
2025-02-20 17:07:071068

不再是HBM,AI推理流行,HBF存儲的機(jī)會來了?

NAND閃存和高帶寬存儲器(HBM)的特性,能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設(shè)計(jì)類似于HBM,通過硅通孔(TSVs)將多個高性能閃存核心芯片堆疊,連接到可并行訪問閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技術(shù),采用CMOS直接鍵合到陣列(CBA)設(shè)計(jì),將3D NA
2025-02-19 00:51:004561

NAND閃存價(jià)格預(yù)測:2025年將呈V型走勢

%。這一跌幅主要源于當(dāng)前NAND閃存市場持續(xù)面臨的供過于求挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格不斷下滑,供應(yīng)商陷入虧損困境。然而,隨著市場供需關(guān)系的逐步調(diào)整,價(jià)格跌幅有望在二季度收窄至05%。 值得注意的是,NAND閃存原廠已從今年初開始采取更為堅(jiān)決的減產(chǎn)措施,以應(yīng)對市場供需失衡的問題。這一舉措有望加快供
2025-02-18 11:03:002818

慧榮科技車用級SSD主控芯片獲得ASPICE CL3國際認(rèn)證

在智能汽車加速邁向“軟件定義”的今天,一顆芯片的可靠性,可能決定千萬用戶的出行安全。作為全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)者,慧榮科技再次以硬核實(shí)力引領(lǐng)變革,公司旗下的PCIe Gen4 SSD車用主控芯片近日成功通過ASPICE CL3國際認(rèn)證,成為全球首家獲此認(rèn)證的SSD主控芯片供應(yīng)商!
2025-02-15 14:10:371380

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上,年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271088

MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112閃存

MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應(yīng)用場
2025-02-14 07:36:52

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J閃存

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應(yīng)用場
2025-02-14 07:36:06

MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109閃存

MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109是一款高性能的NAND閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各類電子設(shè)備的存儲需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應(yīng)用場
2025-02-14 07:34:35

CS創(chuàng)世SD NAND【貼片式sd卡】的測試使用說明

STM32參考例程,適用于需要大容量存儲但對穩(wěn)定性要求高的MCU項(xiàng)目。 []()   芯片規(guī)格型號   CSNP32GCR01-AOW []()   轉(zhuǎn)接板型號   SD NAND測試板   適用產(chǎn)品
2025-02-12 15:05:50

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)

據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930

雷龍SD NAND測試報(bào)告

本帖最后由 xxkj2010 于 2025-2-8 14:23 編輯 雷龍SD NAND測試報(bào)告一次偶然的機(jī)會,很幸運(yùn)得到深圳市雷龍發(fā)展有限公司的芯片贈送,今天收到了芯片和測試板。雷龍也很破費(fèi)
2025-02-08 14:12:24

FEMDRM032G-A3A55 BGA-153 EMMC工業(yè)級閃存芯片

FORESEE eMMC 是一款采用球柵陣列(BGA)封裝設(shè)計(jì)的嵌入式存儲解決方案。FORESEE eMMC 由 NAND 閃存和 eMMC 控制器組成。該控制器能夠管理接口協(xié)議、耗損均衡、壞塊管理
2025-02-08 14:06:20

DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費(fèi)者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖,市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
2025-02-07 17:08:291017

74HC30;74HCT30 8輸入NAND門規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC30;74HCT30 8輸入NAND門規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-07 15:46:350

74HC30-Q100;74HCT30-Q100 8輸入NAND門規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74HC30-Q100;74HCT30-Q100 8輸入NAND門規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-07 15:44:420

在fpga上實(shí)現(xiàn)NAND控制器的問題請教

各位大佬好, 我目前正在使用xilinx 7系列fpga進(jìn)行基于onfi4.0標(biāo)準(zhǔn)nv-ddr3接口的nand flash控制器的開發(fā)。目前在物理層接口上,特別是從nand讀取數(shù)據(jù)時,調(diào)試存在
2025-02-06 15:02:49

DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

近日,據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春節(jié)長假過后,消費(fèi)者對于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47930

西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫存

近日,據(jù)外媒報(bào)道,全球NAND Flash存儲市場中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù),已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當(dāng)前庫存水平,以應(yīng)對市場供需關(guān)系的變化。 在NAND Flash存儲
2025-02-06 09:38:02823

雷龍 SD NAND 簡單使用

前段時間收到了雷龍廠家郵寄的兩個 SD NAND 樣片,說要發(fā)文章的,一直擱置了,今天測試 esp32 的開發(fā)板的時候,發(fā)現(xiàn)之前的 SD 卡不識別了,好奇怪,對比之后發(fā)現(xiàn)卡在電腦上是正常的,不明所以
2025-01-31 15:41:00

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報(bào)告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一趨勢迫使NAND Flash的主要供應(yīng)商們采取積極措施以應(yīng)對市場變化。
2025-01-24 14:20:521190

Arm漲價(jià)計(jì)劃或影響三星Exynos芯片未來

據(jù)外媒報(bào)道,芯片巨頭Arm計(jì)劃大幅度提高授權(quán)許可費(fèi)用,漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2025-01-23 16:17:48770

影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?首先我們來談?wù)動绊憣懭胨俣染艂€方面:存儲容量和架構(gòu):存儲容量的增加會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜,從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時,需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外,如果閃存的存儲架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化,同樣會限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551095

雷龍SD NAND試用

感謝深圳市雷龍發(fā)展 Leah @jim 聯(lián)系免費(fèi)提供NAND FLASH試用,樣品兩片芯片和一塊轉(zhuǎn)接板已收到。下面是實(shí)物樣品圖片: 提供的兩個芯片樣品型號分別為CSNP64GCR01-AOW
2025-01-19 13:26:38

DF30芯片搭載試驗(yàn)樣車開往寒區(qū)

DF30全國產(chǎn)自主可控高性能車規(guī)MCU芯片在正式發(fā)布兩個月后迎來最新進(jìn)展,即將開啟寒區(qū)測試,在低溫下驗(yàn)證芯片各項(xiàng)性能和穩(wěn)定性。
2025-01-17 10:27:20989

車規(guī)級MCU芯片DF30出征寒區(qū)開啟性能測試

近日,由湖北企業(yè)自主研發(fā)設(shè)計(jì)的國內(nèi)首款車規(guī)級高端MCU芯片DF30成功搭載上車。當(dāng)日,DF30全自主可控高性能車規(guī)MCU芯片寒區(qū)測試發(fā)車儀式在東風(fēng)汽車研發(fā)總院舉行。搭載DF30芯片的東風(fēng)汽車生產(chǎn)的高端電動增程越野車猛士917標(biāo)定試驗(yàn)車將前往黑龍江漠河,在低溫環(huán)境下驗(yàn)證DF30芯片的各項(xiàng)性能。
2025-01-16 14:02:481216

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

問題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心! SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲芯片。 SD
2025-01-15 18:16:491578

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

問題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心!   SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲芯片
2025-01-15 18:15:53

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866

三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化

近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%,預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09851

影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?
2025-01-08 16:05:031429

EE-278:NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-278:NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 15:11:470

EE-279:NAND閃存與ADSP-2126x SHARC處理器接口

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-279:NAND閃存與ADSP-2126x SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:08:070

韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場迎供需平衡預(yù)期

近期,NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835

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