?　　第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導體有限公司支持協辦的“第三代半導體微波射頻技術分會”在河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

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　　“第三代半導體微波射頻技術分會”作為論壇重要技術分會之一，河北半導體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同擔任本次分會主席。日本德島大學教授，西安電子科技大學教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔任分會委員為分會提供堅實的支持。

　　會上，OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能。

　　***長庚大學邱顯欽教授在《適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案》中介紹到，4G的普及正在推動新的5G移動通信網絡的國際標準的推出。中國已經開始規劃第五代(5G)無線通信頻段，頻率將集中在5G通信第一階段的亞6GHz頻段。5G技術需要連接數十億臺嵌入式設備的微單元，許多公司參加了此次活動，希望在5G硬件和軟件開發方面領先一步。但是5G基站系統的開發還處于起步階段，因為我們在高功率基站行業中沒有關鍵的固態技術。此外，5G通信系統對功放線性度、輸出功率密度、功率增加效率等方面還存在一些嚴重的要求。在這次報告中，提供6英寸和8英寸GaN on Si RF HEMT技術解決方案，用于亞6GHz和毫米波波段。此外，采用高均勻性的p-GaN柵HEMT技術可以高效地實現微單元基站的DC/DC變換器。

　　中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾波器的中心頻率高達703.3 MHz，為鈮酸鋰器件的1.65倍。制備的AlN基SAW諧振器的品質因數為1347，AlN基SAW 濾波器的插入損耗為8.71 dB。實驗結果表明AlN材料在超高頻濾波器、傳感器方面具有重要的應用前景。

　　日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天線整流電路中實現高轉換效率的器件。這種肖特基勢壘二極管需要具備低導通電阻、低結電容和低開啟電壓。本報告將介紹用于微波無線電能傳輸的氮化鎵肖特基勢壘二極管。利用反應性磁控濺射合成的TiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的開啟電壓。反之，利用反應性磁控濺射合成的NiN電極的氮化鎵肖特基勢壘二極管，與Ni電極相比具有更低的反向漏電流。不同的器件可望在不同接收功率的系統中得到應用。總之，氮化鎵射頻肖特基勢壘二極管可望提高微波無線電能傳輸中的天線整流電路的 RF/DC轉換效率，應用前景可觀。

　　蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優良的性能而在基礎工業領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景。基礎工業應用要求的超長連續工作壽命及可能的外部惡劣工作環境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統工程，從產品設計，工藝開發，器件生產，到最終篩選測試，每一個環節都按嚴格的程序進行，確保生產出的氮化鎵產品能夠達到最高可靠性標準。在這個報告中與大家分享我們取得的成就及新進展。

　　西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V?