關鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導體;異質集成;半導體設備;青禾晶元;半導體技術突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進封裝;摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對芯片
2025-12-29 11:24:17
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深耕,一舉斬獲兩項大獎——“2025年度第三代半導體市場開拓領航獎”,以及ST首款專為電機控制設計的600V半橋功率GaN及驅動器GANSPIN611榮獲的“2025年度優秀產品獎”!
2025-12-28 09:14:18
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為推動小芯片創新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(UCIe)IP 解決方案,在臺積電先進的 N3P 工藝上實現了業界領先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業向日
2025-12-26 09:59:44
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Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數百家SiC&GaN領域精英企業齊聚一堂,共襄產業盛事。
2025-12-13 10:56:01
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集團【AspenCore】主辦的全球電子成就獎(WEAA)——年度功率半導體產品獎;另一項則是由第三代半導體產業知名研究機構【行家說】評定的 年度優秀產品獎 。
2025-12-11 15:25:38
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2025年行至尾聲,智融科技憑借領先的數模混合設計實力、卓越的消費級電源管理方案,以及在第三代半導體驅動技術的前瞻布局,一舉攬獲多項行業大獎,成為國產數模混合IC與GaN/SiC第三代半導體驅動賽道的“雙料”先鋒!
2025-12-11 15:20:51
377 近日,在深圳舉辦的“2025行家極光獎”頒獎典禮上,士蘭微電子憑借在碳化硅(SiC)領域的持續創新與深厚積累,一舉斬獲三大獎項:“中國SiC器件IDM十強企業”、“中國SiC模塊十強企業”以及“第三代半導體年度創新產品”。
2025-12-10 17:43:35
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與之匹配的被動元件協同進化。 當第三代半導體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優勢,在新能源汽車電驅系統、光伏儲能逆變器、工業伺服電源、AI服務器電源及數據中心供電等場景中加速普及時,供電系統中的電容正面臨前所未有的挑戰:高頻開關噪聲加劇、高溫容值
2025-12-04 15:34:17
217 如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲能、工業電源
2025-12-04 08:21:12
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如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅是第三代半導體材料的代表;而半導體這個行業又過于學術,為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節會以要點列示為主,如果遺漏
2025-12-03 08:33:44
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如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 我曾是一名從事第三代半導體行業的產品質量管理從業者,所以一直深耕于半導體產品的質量把控工作,特別是現在的碳化硅(SIC)材料領域
2025-12-02 08:33:06
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(World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA)年度功率半導體/驅動器產品獎,彰顯了安森美在第三代半導體領域技術領導地位和市場優勢。
2025-11-27 13:55:06
1348 在半導體設計與制造過程中,器件性能的精確測試是確保產品可靠性與一致性的關鍵環節。蘇州永創智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導體靜態電性測試系統 ,正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03
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。 然而,傳統測試系統往往面臨精度不足、兼容性差、擴展性弱等挑戰,尤其在面對第三代半導體材料(如SiC、GaN)時,更是力不從心。 今天我們來看一款來自蘇州永創智能科技的STD2000X 半導體靜態電性測試系統,它不僅在精度與速度上實
2025-11-20 14:53:16
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在第三代半導體器件的研發與性能評估中,對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數測試,是優化電路設計、驗證器件特性的關鍵環節。一套科學、可靠的測試方案可為技術開發提供堅實的數據支撐,加速技術迭代與產業化
2025-11-19 11:01:05
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引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體材料,相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場強達3MV/cm,是硅的10倍;熱導率
2025-11-19 07:30:47
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11月11至14日,年度國際第三代半導體行業盛會——第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2025)在廈門隆重召開,中微
2025-11-18 14:02:44
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的保障,半導體器件的測試也愈發重要。 對于半導體器件而言,它的分類非常廣泛,例如二極管、三極管、MOSFET、IC等,不過這些器件的測試有共性也有差異,因此在實際的測試時測試項目也有通用項目和特殊項目,本文將為大家整
2025-11-17 18:18:37
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行家說極光獎,作為聚焦于第三代半導體領域的專業獎項,以其嚴謹的產業洞察與技術前瞻性,已成為衡量企業創新深度與市場價值的重要風向標。它旨在表彰那些具有行業表率的優秀企業、引領產業變革的創新技術和優秀產品。
2025-11-17 10:19:49
725 2025年11月11-14日,第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)在廈門盛大召開。作為覆蓋90余個國家及地區、匯聚
2025-11-14 17:53:47
2418 如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導體材料的代表,以其優異的物理和化學特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領域展現出了巨
2025-11-11 08:13:37
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加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經審計的第三季度財務業績。
2025-11-07 16:46:05
2452 近日,在2025世界智能網聯汽車大會(WICV)“中國芯”汽車芯片供需對接會上,歐冶半導體憑借在智能汽車第三代E/E架構芯片領域的創新突破與產業貢獻,獲評為“2025中國汽車芯片優秀供應商”。
2025-11-03 10:22:28
455 電子器件、材料、半導體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換,無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統測試儀器無法捕獲的超快速瞬態現象。
能夠檢測 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
10月25日,第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席,鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
2025-10-27 18:05:00
1276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下,功率半導體正經歷前所未有的技術變革。SiC和GaN等第三代半導體器件的高頻、高壓特性,對封裝基板提出了更嚴苛的要求——既要承受超高功率密度,又要確保信號
2025-10-22 18:13:11
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第56個世界標準日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會、廣電計量主辦,無錫廣電計量承辦的半導體功率器件標準與檢測研討會在無錫順利舉行,匯聚行業權威專家,分享前沿技術議題,以標準引領技術創新,質量護航“中國芯”崛起。
2025-10-21 14:28:57
2221 隨著第三代半導體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業控制等領域的廣泛應用,其動態特性的精準測量成為保障系統可靠性的關鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業的分析功能,為SiC器件的動態參數測試
2025-10-17 11:42:14
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以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,正加速替代傳統硅基材料,在新能源汽車、工業控制等領域實現規模化應用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設備的核心
2025-10-13 18:29:43
402 2025年9月,一場聚焦前沿技術的“碳化硅功率器件測試和應用高級研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會匯聚了全國各地的企業研發精英與測試工程師,共同探索第三代半導體的測試挑戰與行業未來。普源精電(RIGOL)受邀出席,攜核心解決方案與現場工程師展開深度交流,以硬核技術實力點燃全場熱情。
2025-10-13 13:57:46
420 精準洞察,卓越測量---BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺
原創 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導體產業蓬勃發展的浪潮中,每一顆微小的半導體
2025-10-10 10:35:17
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
2025-10-09 15:57:30
42390 基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
2025-10-08 13:12:22
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型柵極驅動器(BTD系列)和配套的電源管理芯片(BTP系列),明確圍繞第三代半導體——碳化硅(SiC)MOSFET驅動的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進行構建 。這些產品在設計上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開關速度和高 ?dV/dt等特性帶來的挑戰。 該公司的策
2025-09-30 17:53:14
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傾佳電子行業洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備
2025-09-21 16:12:35
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8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業的年度大展,elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術巨頭,探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態,到第三代半導體、綠色能源電子等一系列議題。
2025-09-08 11:31:15
2241 當前,全球能源結構加速向清潔化、電動化與智能化升級,功率半導體器件成為能源變革與電力電子創新的核心基石。以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,憑借其寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率、高頻低損耗等
2025-09-06 13:14:26
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界面可能影響用戶體驗; ? 多功能一體設計雖全面,但測試流程和接線配置耗時,效率有待優化。 國產設備: ? 模塊化組合設計導致體積較大,難以適配自動化產線的高效需求; ? 電壓范圍有限,難以滿足第三代半導體器件的測試要求; ?
2025-09-03 17:49:11
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碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導率,從根本上超越了傳統硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優勢為電力電子系統的革新提供了堅實基礎,尤其是在高壓、大功率和高頻應用中。
2025-08-30 10:03:11
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碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定,哪怕是在超過300℃的高溫環境下,打破了傳統材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新能源等產業的升級。
2025-08-27 16:17:43
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隨著全球能源轉型、智能制造和高效電力系統的快速發展,半導體器件在工業領域中的地位日益重要。近年來,第三代半導體材料碳化硅(SiC,SiliconCarbide)憑借其卓越的電學、熱學和機械性能
2025-08-25 14:10:30
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基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:14
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近日,在第五屆全國新型儲能技術及工程應用大會現場,廣州智光儲能科技有限公司(簡稱 “智光儲能”)與海辰儲能聯合發布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級聯型高壓大容量儲能系統。這一突破性成果標志著全球首個大容量儲能電池從技術發布到閉環應用的完整落地,為儲能產業安全與高效發展注入新動能。
2025-07-30 16:56:14
1231 半導體產業作為現代科技的基石,其技術的發展日新月異。半導體器件從設計到生產,每個環節都對測試設備的精度、效率提出了嚴苛要求。示波器作為關鍵的測試測量儀器,在半導體器件測試中發揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52
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? 半導體分立器件主要包括: ? 二極管 ?(如整流二極管、肖特基二極管) ? 三極管 ?(雙極型晶體管、場效應管) ? 晶閘管 ?(可控硅) ? 功率器件 ?(IGBT、MOSFET)? 2. ? 核心測試參數 ? ? 電氣特性 ?:正向/反向電壓、漏電流、導
2025-07-22 17:46:32
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近日,總投資超200億元的長飛先進半導體基地項目正式運營投產。該項目是目前國內規模最大的碳化硅半導體基地,年產36萬片6英寸碳化硅晶圓,可滿足144萬輛新能源汽車制造需求,推動我國第三代半導體實現
2025-07-22 07:33:22
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目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術
第4章?PN結和金屬半導體結
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯系起來。
書中內容由淺入深,從半導體的性質、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
2025-07-10 17:48:14
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分檔編程與16Bin分選機對接,量產測試效率達10,000件/小時 ? 全兼容測試范圍 ? 覆蓋硅基器件至第三代
2025-07-04 11:39:43
622 
此前,6.20~22日,為期三天的2025南京世界半導體博覽會圓滿落幕,本次大會集聚優勢資源,聚焦人工智能技術、第三代半導體、汽車半導體、先進封裝等熱點領域,聯合權威產業專家、行業優秀公司及政府相關部門,共繪產業高質量發展藍圖。
2025-06-24 17:59:23
1317 此前,6月20日至22日,為期三天的2025南京世界半導體博覽會圓滿落幕。本屆大會匯聚優質資源,聚焦人工智能技術、第三代半導體、汽車半導體、先進封裝等前沿熱點領域,攜手權威產業專家、行業領軍企業及政府相關部門,共同擘畫產業高質量發展新藍圖。
2025-06-23 17:57:46
1190 電子發燒友網綜合報道,消息人士稱,英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:00
3666 近日,國內首家聚焦智能汽車第三代E/E架構的SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布,已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學龍頭企業舜宇光學科技旗下舜宇產業基金戰略領投,合肥高投、老股東太極華青佩誠
2025-06-19 16:09:25
1080 第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46
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第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農業運輸設備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領先高性能解決方案, 功率轉換效率超過98%,功率密度高達35kW
2025-06-16 10:01:23
46514 
發展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業,萬眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57
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尋跡智行第三代自研移動機器人控制器BR-300G獲歐盟CE認證
2025-06-12 13:47:53
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作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發團隊持續創新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:59
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繼X60和X100之后,進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構研發第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二代高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:07
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的困難。特別對于第三代半導體的測試,LET-2000D有著較高的系統帶寬和測試精度,可以有效準確的測量出實際的器件參數。 硬件優勢>>>■ 采用LECROY
2025-06-05 10:02:46
力鈦科LETAK功率器件靜態參數測試系統,集多種測量功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態參數,具有高電壓和大電流特性
2025-06-05 09:49:14
Silicon Labs(芯科科技)第三代無線開發平臺SoC代表了下一代物聯網無線產品開發趨勢,該系列產品升級了三大功能特性:可擴展性、輕松升級、頂尖性能,因而得以全面滿足未來物聯網應用不斷擴增
2025-06-04 10:07:39
927 ,與來自高校、科研機構及產業鏈企業的多位專家,圍繞“第三代半導體未來發展的趨勢及當下面臨的問題”等議題展開深入交流。施俊先生也為大家帶來了《SiC功率器件的技術發展和應用,面臨挑戰和未來趨勢》主題演講。
2025-05-26 18:07:03
1482 隨著電子技術的快速發展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:05
1951 瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現力”十足 可靠性表現 ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執行三批次可靠性測試,確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30
490 
隨著AI技術井噴式快速發展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
726 
近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經歷兩代產品的迭代之后應運而生。
2025-05-22 10:33:42
1346 
從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導體行業異軍突起,憑借領先的氮化鎵(GaN)技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
電子發燒友網綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術在于將負極材料由傳統石墨替換為硅材料
2025-05-19 03:02:00
2928 恩智浦半導體發布采用16納米FinFET技術的新一代S32R47成像雷達處理器,進一步鞏固公司在成像雷達領域的專業實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器,性能比前代產品提升高達兩倍,同時改進
2025-05-12 15:06:43
53628 制造與封測領域優質供應商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題,匯集了來自功率半導體、第三代材料應用等領域的行業專家與企業代表。
作為專注電子測試測量領域的高新技術企業,麥科
2025-05-09 16:10:01
第三代半導體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而,SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰:開關速度可達納
2025-04-22 18:25:42
683 
SC2020晶體管參數測試儀/?半導體分立器件測試系統-日本JUNO測試儀DTS-1000國產平替 ?專為半導體分立器件測試而研發的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 關鍵詞:雙脈沖測試,上管測試,下管測試,電源完整性測試套件寬禁帶半導體作為第三代半導體功率器件的代表,正在電源處理領域發揮著日益重要的作用。這類材料憑借其高能量密度、高工作頻率以及耐高溫等天然優勢
2025-04-11 15:00:14
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新的機遇和挑戰。為了更好地解讀產業格局,探索未來的前進方向,行家說三代半與行家極光獎聯合策劃了 《第三代半導體產業-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前, 意法半導體意法半導體中國區-功率分立和模擬產品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:41
3665 隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26
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近日,國內首家智能汽車第三代E/E架構AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布,已成功完成數億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠資本及聚合資本共同投資。
2025-03-25 09:48:28
854 ? 日前,廣東領益智造股份有限公司(簡稱“領益智造”)2025年供應商大會于廣東深圳領益大廈成功召開。納微達斯(無錫)半導體有限公司(簡稱“納微半導體”)憑借領先的第三代功率半導體技術,與領益智造
2025-03-14 11:51:04
3895 SO1400是專為?第三代光耦器件?設計的全自動測試系統,集成1400V高壓測試與1A大電流驅動能力。本設備采用軍工級測試架構,滿足?工業4.0?標準下對光耦器件的?在線質量檢測?與?可靠性驗證?需求,適用于新能源、智能電網等高可靠性應用場景。
2025-03-13 12:05:29
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亮點 :國產企業級NVMe主控芯片領軍者,第三代PCIe 4.0芯片已量產,正在研發7nm PCIe 5.0產品,客戶覆蓋數據中心與云計算頭部企業。
8. 知存科技(WITINMEM)
領域 :存算一體
2025-03-05 19:37:43
一談起低軌衛星,大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣,一眾企業在模仿,試圖實現超越和跟隨。最近,拆了一臺第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:16
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近日,威睿電動汽車技術(寧波)有限公司(簡稱“威睿公司”)2024年度供應商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達斯(無錫)半導體有限公司(簡稱“納微半導體”)憑借在第三代功率半導體中的技術創新和協同成果,喜獲“優秀技術合作獎”。
2025-03-04 09:38:23
969 SemiQ最新發布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現更優。該產品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統、工業
2025-03-03 11:43:43
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硅基半導體經過多年發展,其性能逐漸接近極限,在進一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48
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生長4英寸導電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導+錐面放肩技術,籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面襯底,適合SBD等高功率器件應用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體之后,氧化鎵被視為是下一代半導體的最佳材
2025-02-17 09:13:24
1340 一、引言隨著科技的不斷發展,功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇上,聞泰科技半導體業務憑借其領先產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優秀產品獎」。這一榮譽不僅是對聞泰科技半導體業務技術創新的認可,更是對其在第三代半導體領域深耕細作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:30
1020 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦;展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場,打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺,集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品
2025-02-13 11:49:01
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近日,中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統升級換代,為中國航天事業以及相關制造業的轉型升級注入強大動力。 2024年11
2025-02-11 10:30:06
1343 在《意法半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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來源:新華網 我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉,我國在太空
2025-02-05 10:56:13
517 、新能源、醫療健康、智能制造等領域。 電子科技領域,多個半導體相關項目上榜,涉及傳感器、半導體封測、半導體器件、第三代半導體等產業,上榜半導體項目如下: 山東先導智感電子科技有限公司的激光雷達及傳感器件生產項目、山東浪潮華光光電子公司的
2025-01-15 11:04:25
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本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當前主流技術為IGBT)占據著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能,還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
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全球第三代半導體產業發展迅速,成為半導體技術研究的前沿和產業競爭的焦點。在新能源汽車等應用市場快速發展的推動下,國內外廠商正在積極布局碳化硅業務,發展前景究竟如何? 隨著全球科技的飛速發展,半導體
2025-01-08 17:23:51
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電子發燒友網站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:01
0 電子發燒友網站提供《EE-220:將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
2025-01-06 16:12:11
0 在半導體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環境溫度而發熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此,熱測試對于驗證半導體組件的性能及評估其可靠性至關重要。然而,半導體熱測試過程中常面臨諸多挑戰
2025-01-06 11:44:39
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