隨著電子行業不斷提高遵守ROHS 標準的程度，使用普通共晶錫鉛焊錫的元件越來越少。人們廣泛地把鉛從電子系統中拿走，但是，錫須可能引起故障的風險卻十分普遍。

　　錫須是微米數量級的金屬細絲，它在純錫的表面出現，不可預見，像針狀細絲，或者“突然冒出來的奇形怪狀”、向外伸出來的細絲，或者不規則的小結節狀的“凸起物”。它們是單晶體，導電，并且能夠生長到相當的長度（＞ 2.0毫米），從而有可能在緊密排列的導線、走線和焊點之間形成電氣短路。

　　人們普遍認為，薄錫層的形態和它們下面的基板（包括、但不限于錫和銅之間的界面上形成的Cu6Sn5 金屬互化物），還有應力條件和/ 或應力梯度以及可能的環境條件，也許這些因素都可能在晶須的生長中起著有意義的作用。

　　科學界依然不懈地努力，試圖揭開形成錫須的物理機制，一些人則著重研究減少錫須的方法，以應對純錫表面出現的不可預測知的問題，提高組件的可靠性。本文的目的是后者。本文擴大了我們以前的工作。我們以前工作的結論是，納米多晶錫和多晶銅上面的多晶錫在1000 次熱循環后形成混合晶須的情況得到減輕。

　　背景

　　這項研究的目的是延伸我們以前的工作 。在以前的工作中，我們探討了影響傳統鍍錫層表面上面的納米晶體銅底面層的影響，以及生長晶須的程度。在以前的研究中，我們發現，在用電子束蒸鍍（物理氣相鍍膜（PVD）技術）鍍錫或者電鍍亮錫后，納米銅減少了錫須的密度。

　　通過電鍍亮錫把多晶錫電鍍在銅表面層上，銅層的平均晶粒尺寸為100 納米時，晶須完全消除了 。

　　在目前的工作中，分別通過鍍暗錫和鍍亮錫，在納米晶體銅和多晶銅覆蓋的基板上鍍一層薄純錫。我們研究的變量包括電鍍的占空比和摻入的晶粒細化劑數量。對這些樣本進行熱循環，促進晶須在易受影響的樣品上生長。本文還討論了最后得到的表面形態，應力水平和生長晶須的程度。

　　納米結構層的沉積通常是通過脈沖電子束鍍膜（PED）完成，加入有機添加劑，如復雜的成形劑和抑制劑以便得到較小的晶粒。這些添加劑能夠抑制晶粒的生長，從而得到比較細的晶粒結構。在這方面，我們根據我們先前的發現，即鍍層中含的電解液添加劑（即增白劑和抗氧化劑）和我們的PVD 層（表面上看是“純”）一樣，與晶須的生長無關，因此，在研究中我們可以根據研究的需要使用電鍍添加劑來減少晶須生長。

　　實驗細節

　　鍍銅與分析

　　我們在研究中使用的測試基板是1“×1”×0.010“的銅基板。納米晶體銅的電鍍沉積是銅電鍍槽中用PED 鍍膜形成，銅電鍍槽中的電鍍液由硫酸銅、硫酸銨和檸檬酸組成，檸檬酸作為晶粒細化添加劑。銅電鍍膜是用電流密度0.165A/ 平方英尺、峰值電流為10A 的電流進行電鍍得到。多晶銅薄膜是用直流標準硫酸銅工藝得到。電鍍銅膜的厚度為5 微米。

　　圖1a 和1b 分別是多晶銅和納米晶體銅薄膜形態的掃描型電子顯微鏡（SEM）顯微照片。多晶銅的平均晶粒尺寸為2 微米，納米晶體銅的平均晶粒尺寸為100 納米。

　　鍍錫膜

　　添加晶粒細化劑，分別用鍍暗錫和鍍亮錫把純凈的錫鍍在多晶銅和納米晶體銅基板上。電流密度為0.170A/平方英寸，峰值電流為10A，采用不同的占空比。使用純錫陽極，陽極的工作溫度為25℃，連續進行機械攪拌。鍍亮錫和鍍暗錫（表1-2 中為BC 和MC）的對照基板，是用直流鍍膜，不使用晶粒細化劑，以便進行比較。對樣品進行鍍暗錫和鍍亮錫的工藝參數分別見表1 和表2。

　　正如以前的研究中所說的，我們選擇的鍍錫層厚度為2 微米，由于這個厚度在20 微米之內，低于減少錫須閾值的上限，大于1μm 的減少晶須閾值的下限，這個閾值是Ostermann 提出的，不過，由于這個厚度接近閾值的下限，晶須生長比較慢。

　　熱循環

　　鍍錫后，所有樣品按照IEC60068-2-82 的規定進行熱循環。熱循環的溫度范圍為-55℃到+85℃，持續 10 分鐘，歷時9 天（總共進行168 個熱循環）。

　　微觀分析

　　所有的熱老化完成后，立即用掃描電子顯微鏡（SEM）進行分析。一系列的顯微照片顯示，“對照的”（多晶）鍍錫層的形態，通過改變晶粒的細化程度，鍍錫層的形態不一樣，圖2a 至2c 是鍍亮錫的顯微照片，圖3a-3c 是鍍暗的顯微照片。

　　在納米晶體銅上鍍亮錫情況中，顯微照片中有清晰的、橢圓形長晶粒演化為逐漸聚結的情況，平均表面粗糙度直線下降。在納米晶體銅上的鍍暗錫的情形，對于多晶控制，在兩個細晶粒樣品中有一個粗糙度的非線性發展過程，但是平滑清晰。

　　圖4 左圖是多晶銅襯層上面的錫膜，右圖是納米晶銅襯層上面的錫膜。這兩個錫膜是同樣的，數字對應于表1 和表2 中所列的序號。

　　在圖4 中，把顯微照片放在一起，對比多晶錫上面的錫膜和下面的納米晶體銅層。對于研究中使用的所有配方，觀察鍍錫層的表面結構表明，鍍錫層下面的銅層對鍍錫層的表面結構沒有任何影響。

　　應力和表面粗糙度

　　八種不同類型錫的表面粗糙度分別稱作IPC-1 到IPC-8（見表3），表面粗糙度使用Veeco Wyko NT1100 光學輪廓測定系統測定，放大倍率為50 倍，每個圖像為1374 幀。

　　我們用KLA Tencor 公司的激光FLX 薄膜應力測量系統測量了IPC1-IPC8 的沉積應力。用來進行應力和表面粗糙度測量的測試基板由4 英寸圓形硅晶片構成，用電子束蒸鍍300A 的鉻、1 微米的銅（作為芯晶層）對硅晶片進行金屬化，然后電鍍2 微米的錫（樣品IPC1- IPC8 參數見表3）。在芯晶蒸鍍（作為基礎）之后，測量曲率半徑和弓度，然后，在鍍錫后再測量曲率半徑和弓度，得到一個應力讀數以進行比較。

　　表4 中的數據表明，納米晶體膜的應力沒有明顯的不同，或者相對多晶銅膜在大小方面呈線線性關系。IPC2和IPC3（都是納米晶體暗錫）的表面粗糙度小于IPC1（多晶暗錫），而IPC4（納米晶體暗錫）的表面粗糙度稍大些。另一方面，和IPC5（多晶亮錫）相比，IPC7 和 IPC8（兩者都是納米晶體亮錫）的表面粗糙度都比較大，而IPC6（也是納米晶體亮錫）的表面粗糙度比較小。

　　錫須

　　用納米銅襯層制備的14 個亮錫樣品中，只有三個樣品有晶須（序號4、6、和10）。

　　我們觀察到各種形態的晶須，包括典型的條紋形針狀細絲、形狀古怪的細絲、凸起、以及光滑的長方形晶須。圖6 是一個凸起（老化后它可能最終演變為晶須），是在鍍亮錫對照樣品（序號2）的表面上形成的，圖7 是長方形晶須，在鍍暗錫對照樣品（序號15）的表面上形成的。與以前的工作［1］ 不一樣的是，我們發現，多晶銅上面的多晶暗錫的確形成晶須（圖8），而納米晶體銅上面的暗錫沒有形成晶須（圖3a）。

　　收集了SEM 檢查的平面掃描照片之后，把4 個樣品作罐封，并作切面。對錫和銅界面上的金屬互化物（IMC）部位作了兩次成像：一次是在機械拋光后（圖9 － 12），一次是使用商用錫剝離劑進行兩分鐘的濕法化學腐蝕之后（圖13 － 16）。在腐蝕之前，蜿蜒的分界線清晰可見，估計了厚度。與多晶錫相比，對于細晶粒錫，在暗錫和亮錫兩種情況下，金屬互化物在體積和厚度方面都比較大。

　　結論

　　我們已經成功地證明，通過脈沖鍍膜和加入晶粒細化劑，能夠改變錫的晶粒尺寸、形狀和晶體結構。樣品在腐蝕前和腐蝕后的切面可能說明，對于納米晶銅上面的細晶粒錫，樣品中的金屬互化物體積增大。錫與銅之間界面的金屬互化物（IMC）部位的初步成像表明，納米銅襯層防止多晶錫形成晶須，多晶銅襯層則不能夠——和我們先前的發現［1］ 相反。

　　我們準備在下一年對所有的28 個樣品進行環境老化，隋后進行顯微鏡分析，從納米結構程度和/ 或表面平滑程度方面評估所有晶須在生長傾向上的差別。對于今天的微電子行業，使用無鉛焊錫已是現實，對于微電子行業，不可預知的錫須性是重大挑戰，它決定著微電子器件的可靠性。

　　在決定是否改變鍍層內部晶粒形態方面必須做進一步的研究（和計劃），這些工作可能有助于重新分配電鍍時的應力和逐漸變化的應力，也能延緩或防止生長錫須。

　　圖1a 和1b 分別是多晶銅和納米晶體銅薄膜形態的掃描型電子顯微鏡（SEM）顯微照片。多晶銅的平均晶粒尺寸為2 微米，納米晶體銅的平均晶粒尺寸為100 納米。

　　鍍錫膜

　　添加晶粒細化劑，分別用鍍暗錫和鍍亮錫把純凈的錫鍍在多晶銅和納米晶體銅基板上。電流密度為0.170A/平方英寸，峰值電流為10A，采用不同的占空比。使用純錫陽極，陽極的工作溫度為25℃，連續進行機械攪拌。鍍亮錫和鍍暗錫（表1-2 中為BC 和MC）的對照基板，是用直流鍍膜，不使用晶粒細化劑，以便進行比較。對樣品進行鍍暗錫和鍍亮錫的工藝參數分別見表1和表2。
編輯：YYX