采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
（on）電阻值會(huì)隨著電流增大輕微上升，因此選擇時(shí)需要留有余量。
（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過(guò)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，改進(jìn)散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。
2025-12-23 06:15:35
在手機(jī)快充、新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器等電力電子設(shè)備中，藏著一個(gè)關(guān)鍵“電子開(kāi)關(guān)”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制電流的通斷，而“開(kāi)關(guān)頻率”直接決定了設(shè)備的體積、效率和性能。頻率越高，能量
2025-12-19 09:26:48
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IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的電子元件，在各類電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2025-12-16 09:45:03266 AMD Vivado 設(shè)計(jì)套件以文件和庫(kù)的形式提供仿真模型。仿真庫(kù)包含器件和 IP 的行為和時(shí)序模型。編譯后的庫(kù)可供多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目使用。用戶必須在設(shè)計(jì)仿真之前通過(guò)名為 compile_simlib 的實(shí)用程序編譯這些文件，以便為目標(biāo)仿真器編譯仿真模型。
2025-12-12 15:08:354555 
。
再進(jìn)一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個(gè)仿真試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對(duì)它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)：
當(dāng)R3為1歐姆時(shí)，輸出電壓Vds上
2025-12-02 06:00:31
在模擬集成電路設(shè)計(jì)中，精確的MOSFET模型是確保電路性能預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性的基石。而溝道電荷分配原則，正是連接晶體管直流特性與交流特性的關(guān)鍵橋梁。如果簡(jiǎn)單地認(rèn)為所有電荷都均勻分配或不隨偏置變化，就會(huì)嚴(yán)重錯(cuò)誤地估計(jì)電路的速度（fT）、延時(shí)和AC特性。今天，我們將從物理本質(zhì)出發(fā)，深入解析這一重要概念。
2025-11-19 15:34:006083 
：耐壓100V功率MOSFET管，VGS耐壓約為30V。在器件處于關(guān)斷時(shí)，VGD也會(huì)到100V，是因?yàn)闁艠O與源極之間的柵氧化層厚度比較厚，還是說(shuō)壓降主要在襯底與外延層上面？
回復(fù)：柵極與源極最大電壓
2025-11-19 06:35:56
據(jù)中心）中的氣流、溫度和熱傳遞。產(chǎn)品功能介紹：智能網(wǎng)格劃分技術(shù)：采用笛卡爾網(wǎng)格與自適應(yīng)網(wǎng)格劃分算法，可高效處理復(fù)雜電子模型，支持從亞微米級(jí)到米級(jí)的多尺度仿真，顯著提
2025-11-06 14:08:26
在工程設(shè)計(jì)領(lǐng)域，三維CAD軟件已成為不可或缺的工具，它不僅幫助設(shè)計(jì)師快速創(chuàng)建準(zhǔn)確的三維模型，還通過(guò)仿真分析功能在設(shè)計(jì)初期發(fā)現(xiàn)并解決潛在問(wèn)題，從而大幅降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本和風(fēng)險(xiǎn)。作為達(dá)索系統(tǒng)的旗艦產(chǎn)品
2025-11-05 10:18:04367 
中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T，以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT（屏蔽柵溝槽）工藝為核心特征，精準(zhǔn)匹配中壓場(chǎng)景的小型化與高效化訴求，其技術(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小封裝功率器件的發(fā)展邏輯提供了典型范例。
2025-11-04 16:20:18297 
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有非常低的單位面積R ~DS(on)~ 。該器件采用創(chuàng)新的超級(jí)結(jié)MDmesh M9技術(shù)，具有多漏極制造工藝，可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)。
2025-10-30 10:47:09365 
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的R~DS(on)~ 和快速恢復(fù)二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，提供多漏極制造工藝，從而實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)。
2025-10-30 10:12:05347 
for Science熱點(diǎn)模型及數(shù)據(jù)集，支持地球科學(xué)、生物信息、流體仿真、材料化學(xué)等領(lǐng)域用戶進(jìn)一步開(kāi)發(fā)新模型，并實(shí)現(xiàn)百倍提升模型研發(fā)與優(yōu)化效率，讓用戶3小時(shí)開(kāi)發(fā)一個(gè)模型成為可能。
2025-10-28 17:29:27813 與熱特性。目前，該平臺(tái)已集成一款基于SPICE（電路仿真程序）的模型生成工具，可將外部電路和柵極驅(qū)動(dòng)器選型納入系統(tǒng)級(jí)仿真。該工具通過(guò)充分考慮器件的非線性半導(dǎo)體物理特
2025-10-27 17:03:45421 
在過(guò)去的幾十年里，半導(dǎo)體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個(gè)參數(shù)發(fā)展到 MOSFET BSIM 模型中的數(shù)百個(gè)參數(shù)。
2025-10-16 16:21:541017 運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對(duì)GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對(duì)各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對(duì)GaN FET驅(qū)動(dòng)進(jìn)
2025-10-15 11:27:0221895 
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
可能是在做電路仿真，遇到了器件缺失的問(wèn)題。用戶身份可能是電子工程學(xué)生或者工程師，正在設(shè)計(jì)或測(cè)試電路，尤其是用到差分放大器的場(chǎng)景，比如傳感器信號(hào)調(diào)理或者高速數(shù)據(jù)采集。 嗯，深層需求可能不只是解決當(dāng)前模型缺失，而是想確保仿真準(zhǔn)確性和效率，避免項(xiàng)目延遲。他可能擔(dān)心自己找的替代方案是
2025-10-09 09:18:37669 ? 由 NVIDIA、Google DeepMind 以及 Disney Research 聯(lián)合開(kāi)發(fā)的開(kāi)源物理引擎 Newton，現(xiàn)可在 NVIDIA Isaac Lab 中使用。這一物理引擎將助力
2025-09-30 09:52:542853 
針對(duì)不同的連鑄需求，如方坯連鑄、板坯連鑄、圓坯連鑄，以及不同鋼種（碳鋼、不銹鋼、高合金鋼等）或有色金屬的連鑄工藝，ProCAST 提供了高度靈活的建模與仿真方法。用戶可以根據(jù)具體應(yīng)用選擇穩(wěn)態(tài)仿真或瞬態(tài)仿真，并靈活設(shè)定邊界條件、冷卻方式、拉速變化等工藝參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際生產(chǎn)工況的精準(zhǔn)模擬。
2025-09-23 14:12:22820 
和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可
2025-09-23 08:28:001056 
，持續(xù)迭代升級(jí)IGBT和MOSFET技術(shù)平臺(tái)，通過(guò)精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化的制造工藝和先進(jìn)的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴(yán)苛
2025-09-16 14:56:051646 
近日，摩爾線程正式發(fā)布并開(kāi)源大模型分布式訓(xùn)練仿真工具SimuMax 1.0版本。該版本在顯存和性能仿真精度上實(shí)現(xiàn)突破性提升，同時(shí)引入多項(xiàng)關(guān)鍵功能，進(jìn)一步增強(qiáng)了模型兼容性、靈活性與用戶體驗(yàn)。
2025-09-11 18:19:133471 
傳感器仿真模型。該模型支持從虛擬環(huán)境構(gòu)建到物理觸覺(jué)渲染的端到端流程，滿足云端大規(guī)模仿真訓(xùn)練需求的同時(shí)，補(bǔ)充邊緣設(shè)備的實(shí)時(shí)交互場(chǎng)景，提升了觸覺(jué)仿真的精度與效率邊界。
2025-09-06 15:30:501659 SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期，使用單管封裝測(cè)試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561104 
攀升，成為芯片開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。混合仿真：融合物理原型與虛擬原型的前沿技術(shù)混合仿真是一種先進(jìn)的芯片驗(yàn)證技術(shù)，它通過(guò)將硬件仿真與虛擬原型相結(jié)合，構(gòu)建出一個(gè)兼具高精度
2025-08-29 10:49:35937 
在 2025 年的 Google 谷歌開(kāi)發(fā)者大會(huì)上，AI 不是一門“技術(shù)”，更是一股徹底改變開(kāi)發(fā)范式的“力量”，助力開(kāi)發(fā)者們?cè)诤Ｍ馐袌?chǎng)更上一層樓。AI 已經(jīng)不僅僅是生成幾行代碼，它正在全面提升整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程。從模型突破到工具優(yōu)化，從本地開(kāi)發(fā)到全球落地，每一項(xiàng)更新，都在回應(yīng)開(kāi)發(fā)者最迫切的需求。
2025-08-29 09:29:24984 今天我們來(lái)聊聊工程師在仿真時(shí)比較關(guān)注的問(wèn)題。眾多的器件模型，我在仿真的時(shí)候到底應(yīng)該怎么選擇一個(gè)器件的模型？我使用的這個(gè)器件模型的精確度夠嗎？我自己能否做一個(gè)器件模型來(lái)支持我的電路仿真？要想探究這些問(wèn)題，我想我們有必要先了解一下器件模型工程師他們是怎么做出一個(gè)模型的。
2025-08-28 13:42:261170 
共同賦能端側(cè)人工智能 (AI) 部署，助力本土開(kāi)發(fā)者實(shí)現(xiàn) AI 應(yīng)用創(chuàng)新！ 這次的首日開(kāi)源適配是雙方再次攜手提升端側(cè)應(yīng)用功能和用戶體驗(yàn)的又一例證。去年，Arm 將 Arm KleidiAI 技術(shù)與騰訊混元自研的 Angel 機(jī)器學(xué)習(xí)框架進(jìn)行集成，從而提高移動(dòng)端 AI 服務(wù)的推理性能
2025-08-08 09:16:151239 
汽車制動(dòng)助力器作為關(guān)鍵安全部件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的密封性、連接強(qiáng)度及尺寸精度直接關(guān)系到行車安全。激光焊接技術(shù)憑借其獨(dú)特的加工優(yōu)勢(shì)，正在革新助力器核心部件的制造工藝，為提升產(chǎn)品性能和可靠性提供強(qiáng)大支撐。下面
2025-08-07 15:03:46562 
-Cognizant推出AI Training Data Services，助力企業(yè)級(jí)AI模型加速開(kāi)發(fā) Cognizant是數(shù)據(jù)與AI模型訓(xùn)練合作伙伴，長(zhǎng)期深受大型數(shù)字原生先鋒企業(yè)信賴，助力其訓(xùn)練
2025-07-31 17:25:46630 ?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵，而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同，致力于在氧化層厚度、溝道長(zhǎng)度和摻雜濃度等核心參數(shù)上突破。如今，合科泰的MOS管被廣泛地應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電子當(dāng)中。
2025-07-10 17:34:34543 
隨著基于模型設(shè)計(jì)（MBD）開(kāi)發(fā)量的增長(zhǎng)，其對(duì)應(yīng)的測(cè)試需求也顯著提升。此前，在《您的模型診斷專家MI：助力把好模型質(zhì)量關(guān)》一文中詳述了模型靜態(tài)測(cè)試的重點(diǎn)與實(shí)施方式。與靜態(tài)檢查的“掃描式”審查不同，模型
2025-07-09 16:37:37885 
[摘要]基于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDCM)模型和汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)動(dòng)力學(xué)模型,構(gòu)建了BLDCM 控制仿真模型和 EPS性能仿真模型;設(shè)計(jì)了以ARM7LPC2131為控制器內(nèi)核和以
2025-07-08 19:28:54
【HarmonyOS 5】鴻蒙中Stage模型與FA模型詳解 ##鴻蒙開(kāi)發(fā)能力 ##HarmonyOS SDK應(yīng)用服務(wù)##鴻蒙金融類應(yīng)用 （金融理財(cái)# 一、前言 在HarmonyOS 5的應(yīng)用開(kāi)發(fā)
2025-07-07 11:50:23765 近日，中軟國(guó)際簽約某大型石油企業(yè)大模型開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。作為中國(guó)能源化工行業(yè)首個(gè)備案的大模型，此次簽約標(biāo)志著中軟國(guó)際在能源化工行業(yè)人工智能領(lǐng)域取得了重大突破。根據(jù)項(xiàng)目規(guī)劃，中軟國(guó)際將針對(duì)輸送管質(zhì)量檢測(cè)、常減壓工藝運(yùn)行優(yōu)化、設(shè)備預(yù)測(cè)性維護(hù)等業(yè)務(wù)場(chǎng)景，助力客戶解決生產(chǎn)各環(huán)節(jié)問(wèn)題，助力行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2025-07-05 17:03:191281 設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過(guò)提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問(wèn)題和運(yùn)算時(shí)間較長(zhǎng)等問(wèn)題，亟待改進(jìn)。 新模型“ROHM Level 3（L3）”通
2025-07-04 15:10:38519 
”）打造企業(yè)級(jí)全流程AI模型工藝平臺(tái)——AIRUNS 3.0，深度適配國(guó)產(chǎn)軟硬件，實(shí)現(xiàn)從數(shù)據(jù)接入到模型落地的高效閉環(huán)，助力企業(yè)加速AI工程化落地和規(guī)模化應(yīng)用。
2025-06-28 17:03:471348 三款新品驅(qū)動(dòng)工業(yè)新效能！采用溝槽工藝MOSFET和肖特基二極管 產(chǎn)品介紹 合科泰新推出三款新品，均為TO-252封裝。兩款MOSFET型號(hào)分別為HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二極管
2025-06-27 18:24:35448 
的可行性和有效性。
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*附件：無(wú)模型自適應(yīng)控制在永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)速中的仿真研究.pdf
【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)第一時(shí)間告知，刪除內(nèi)容，謝謝！
2025-06-25 13:01:45
在SiC（碳化硅）等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問(wèn)題。但是，這次開(kāi)發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 14:25:061170 
在車載電子電氣系統(tǒng)深度影響行車安全的當(dāng)下，電控系統(tǒng)電子化控制程度持續(xù)提升，汽車軟件開(kāi)發(fā)生命周期縮短。基于模型設(shè)計(jì)（MBD）開(kāi)發(fā)控制器應(yīng)用層軟件成為主流，尤其在新能源與智能駕駛領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著。但該模式下
2025-06-11 16:57:54
有大佬知道pspice仿真為什么總是顯示找不到仿真模型嗎，就連自帶庫(kù)的元器件左上角也有個(gè)綠圈顯示沒(méi)有仿真模型仿真不了，我把相應(yīng)元器件的仿真模型.lib文件也都移到仿真設(shè)置的library里還是不行
2025-06-09 18:57:47
電解槽模型通過(guò)離線驗(yàn)證和實(shí)時(shí)仿真驗(yàn)證兩種方式，對(duì)該模型在交流接入模式的可行性進(jìn)行全面驗(yàn)證，可為 PEM 電解槽的實(shí)際應(yīng)用提供理論和實(shí)踐依據(jù)。
一、 PEM
質(zhì)子交換膜（Proton Exchange
2025-06-05 18:55:52
模型切換概述
本文介紹如何將一個(gè)FA模型開(kāi)發(fā)的聲明式范式應(yīng)用切換到Stage模型，您需要完成如下動(dòng)作：
工程切換：新建一個(gè)Stage模型的應(yīng)用工程。
配置文件切換：config.json切換
2025-06-04 06:22:17
的“熱點(diǎn)”特性！這種自冷卻機(jī)制的同等重要的結(jié)果是便于并聯(lián) MOSFET 以提升某種器件的電流性能。雙極型三極管對(duì)于并聯(lián)非常敏感，要采取預(yù)防措施以平分電流(發(fā)射極穩(wěn)定電阻、快速響應(yīng)電流感應(yīng)反饋環(huán)路
2025-06-03 15:39:43
前言：研究器件特性和器件建模都離不開(kāi)精確的電容電壓(CV)測(cè)量。精確的CV模型在仿真器件的開(kāi)關(guān)特性，延遲特性等方面尤為重要。目前，在寬禁帶器件（GaN/SiC）、納米器件、有機(jī)器件、MEMS等下
2025-06-01 10:02:091355 
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L(zhǎng)，光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案，助力光伏逆變器廠商實(shí)現(xiàn)更高性能、更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-05-30 10:30:40864 隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí)，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
，支持微秒級(jí)實(shí)時(shí)仿真。不同型號(hào)的EGBox Mini 設(shè)備可完成硬件在環(huán)測(cè)試系統(tǒng)（HIL）或者快速控制原型系統(tǒng)（RCP）。利用不同型號(hào)的設(shè)備進(jìn)行對(duì)接，也可完成基于 RCP+HIL 系統(tǒng)的模型在回路仿真
2025-04-29 10:40:08
一、產(chǎn)品概述 VTD（Virtual Test Drive）是由德國(guó)VIRES公司開(kāi)發(fā)的自動(dòng)駕駛及智能駕駛仿真測(cè)試平臺(tái)，現(xiàn)隸屬于海克斯康（Hexagon）工業(yè)軟件體系。該軟件專注于復(fù)雜
2025-04-28 12:09:40
FA模型與Stage模型介紹
KaihongOS操作系統(tǒng)中，F(xiàn)A模型（Feature Ability）和Stage模型是兩種不同的應(yīng)用模型，它們提供了不同的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方式和特性。
FA模型
2025-04-24 07:27:21
一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現(xiàn)如下：1. 外部應(yīng)力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間
2025-04-23 14:49:27
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌涞刃щ娐?
雙脈沖電路主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（圖 1）包含
2025-04-23 11:25:54
來(lái)求解。從而放棄大部分繁雜的計(jì)算工作量，極大地加快設(shè)計(jì)進(jìn)程，并獲得比手工計(jì)算更加合理的設(shè)計(jì)參數(shù)。4、由于變壓器是置于真實(shí)電路的仿真環(huán)境中求解的，所有與變壓器有關(guān)的電路和器件均能夠被聯(lián)合仿真，對(duì)變壓器
2025-04-09 14:47:36
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無(wú)鉛工藝對(duì)電子元器件有什么要求？SMT無(wú)鉛工藝對(duì)電子元器件的要求。隨著環(huán)保意識(shí)的提高和電子制造行業(yè)的發(fā)展，SMT無(wú)鉛工藝逐漸成為行業(yè)趨勢(shì)。無(wú)鉛工藝不僅
2025-03-24 09:44:09738 AD8313沒(méi)有模型，在multisim上仿真不了，請(qǐng)?zhí)峁┲г?或者提供一個(gè)更新的版本也可以。
2025-03-24 06:38:01
當(dāng)使用 AD8000 設(shè)計(jì)帶寬為 1000M 的放大器電路時(shí)，必須使用 AD8000 的 IBIS 模型進(jìn)行 SI/PI 仿真。AD8000是否有可用的IBIS型號(hào)？如果是這樣，請(qǐng)發(fā)送給我。如果沒(méi)有，是否有其他具有類似參數(shù)的芯片提供用于仿真的 IBIS 模型？
2025-03-24 06:08:40
月 18 日 —— ?NVIDIA 今日發(fā)布具有推理功能的開(kāi)源 Llama Nemotron 模型系列，旨在為開(kāi)發(fā)者和企業(yè)提供業(yè)務(wù)就緒型基礎(chǔ)，助力構(gòu)建能夠獨(dú)立工作或以團(tuán)隊(duì)形式完成復(fù)雜任務(wù)的高級(jí) AI 智能體。
2025-03-19 09:31:53352 
18 日 ——NVIDIA 今日宣布推出一系列全新技術(shù)，助力人形機(jī)器人開(kāi)發(fā)。其中包括全球首個(gè)開(kāi)源且完全可定制的基礎(chǔ)模型 NVIDIA Isaac GR00T N1，該模型可賦能通用人形機(jī)
2025-03-19 09:30:30633 
憑借專業(yè)、優(yōu)質(zhì)、安全的訓(xùn)練數(shù)據(jù)服務(wù)，數(shù)據(jù)堂已助力全球百余大模型開(kāi)發(fā)項(xiàng)目突破數(shù)據(jù)瓶頸。數(shù)據(jù)堂愿與各行業(yè)企業(yè)攜手共進(jìn)，助力企業(yè)快速搭建垂域大模型，釋放AI在各行業(yè)的巨大潛能。
2025-03-17 17:24:01699 3DWeld是一款智能化的焊接工藝設(shè)計(jì)與仿真軟件。在三維交互式環(huán)境下，自動(dòng)識(shí)別焊接特征，基于焊接工藝知識(shí)庫(kù)，快速定義焊接工序內(nèi)容，形成結(jié)構(gòu)化的焊接工藝信息，輔助焊接工藝仿真模擬，并可通過(guò)可視化的方式
2025-03-13 17:10:441047 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開(kāi)發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
DOH：DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:372315 
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，字節(jié)跳動(dòng)旗下扣子AI工坊硬件專場(chǎng)活動(dòng)深圳現(xiàn)場(chǎng)，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)解決方案商機(jī)智云發(fā)布重要平臺(tái)升級(jí)，正式推出行業(yè)首個(gè)標(biāo)配DeepSeek和豆包大模型的AIoT開(kāi)發(fā)平臺(tái)，深度融合火山引擎云原生架構(gòu)
2025-03-04 10:29:391413 開(kāi)發(fā)了 發(fā)光-探測(cè)雙功能物理模型 ，同時(shí)提出并設(shè)計(jì)了具有非對(duì)稱多量子阱結(jié)構(gòu)的AlGaN基發(fā)光-探測(cè)雙功能集成光電子器件：在發(fā)射區(qū)中采用極化自屏蔽的有源區(qū)結(jié)構(gòu)，在探測(cè)區(qū)中采用常規(guī)有源區(qū)結(jié)構(gòu)。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結(jié)構(gòu)
2025-03-03 11:45:22713 
大模型熱潮的持續(xù)高漲，讓各類Agent應(yīng)用開(kāi)發(fā)需求也快速激增。
2025-02-25 10:09:26998 
啟明智顯借助豆包、Deepseek、OpenAI等全球先進(jìn)AI大模型，助力傳統(tǒng)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)AI智能升級(jí)
2025-02-24 16:12:201452 
DeepSeek 模型的部署與測(cè)試，開(kāi)啟這場(chǎng)充滿挑戰(zhàn)與驚喜的技術(shù)探索之旅。
RK3588 開(kāi)發(fā)板：AI 性能擔(dān)當(dāng)
RK3588 開(kāi)發(fā)板基于先進(jìn)的 8nm LP 制程工藝精心打造，其硬件配置堪稱豪華，在 AI
2025-02-14 17:42:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 17:21:18
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:15:332 近日，阿里巴巴的開(kāi)源Qwen2.5模型在AI領(lǐng)域再次展現(xiàn)其強(qiáng)大實(shí)力，為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了低成本的AI訓(xùn)練解決方案。借助這一技術(shù)，兩所知名學(xué)府的研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出價(jià)格低于50美元
2025-02-12 13:42:071318 阿里巴巴的開(kāi)源Qwen2.5模型近期在AI領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。這一大模型的推出，為斯坦福大學(xué)與伯克利大學(xué)的研究人員提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持，使他們能夠成功開(kāi)發(fā)出低成本的AI推理模型。 據(jù)悉，斯坦福大學(xué)
2025-02-12 09:19:431028 楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)
2025-02-11 22:27:58829 
AI開(kāi)發(fā)平臺(tái)極大地簡(jiǎn)化了AI應(yīng)用的開(kāi)發(fā)流程，從環(huán)境搭建、模型訓(xùn)練到部署集成，每一步都提供了豐富的工具和資源。那么，AI開(kāi)發(fā)平臺(tái)模型怎么用呢？下面，AI部落小編帶您了解。
2025-02-11 09:53:05671 碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC
2025-02-10 09:37:55745 
Ludovic是一款同向嚙合雙螺桿擠出全工藝仿真軟件，分析材料在擠出工藝中的演變以及優(yōu)化工藝。通過(guò)仿真，Ludovic可在短時(shí)間內(nèi)計(jì)算出材料在雙螺桿擠出機(jī)中演變，縮短實(shí)驗(yàn)時(shí)間。軟件提供多種計(jì)算結(jié)果
2025-02-08 16:31:251206 
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來(lái)備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001995 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 解釋完帶寬這一概念，我們來(lái)考慮如何才能通過(guò)仿真準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)信號(hào)完整性。 信號(hào)帶寬的確定、器件模型的獲取 當(dāng)我們確定了要分析的信號(hào)的信息（包含速率、接口電平、上升時(shí)間等等）、以及驅(qū)動(dòng)器和接收器型號(hào)之后
2025-01-22 11:51:072573 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572635 
突破520人。5天的課程精心設(shè)計(jì)，干貨滿滿，帶領(lǐng)老師從大模型基礎(chǔ)到大模型的部署、訓(xùn)練、微調(diào)，實(shí)戰(zhàn)體驗(yàn)虛擬仿真平臺(tái)在AI大模型實(shí)驗(yàn)教學(xué)中的應(yīng)用，為老師們帶來(lái)了全新的大
2025-01-20 11:34:101637 
EasyGo針對(duì)加速電機(jī)控制器開(kāi)發(fā)的需求，提供了硬件在環(huán)測(cè)試平臺(tái)一站式解決方案。該方案運(yùn)用前沿仿真架構(gòu)，目前具備種類最為齊全、覆蓋最為全面的電機(jī)模型、編碼器的實(shí)時(shí)仿真，以及非線性變參處理能力，既能
2025-01-16 18:10:001087 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 今天學(xué)習(xí)<基于大模型的RAG應(yīng)用開(kāi)發(fā)與優(yōu)化>這本書。大模型微調(diào)是深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它指的是在已經(jīng)預(yù)訓(xùn)練好的大型深度學(xué)習(xí)模型基礎(chǔ)上，使用新的、特定任務(wù)相關(guān)的數(shù)據(jù)
2025-01-14 16:51:12
MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38957 
問(wèn)下，ADS5474器件頁(yè)面工具和軟件怎么是ADS5463的IBIS模型，意思是不是它和ADS5463的IBIS模型一樣？
2025-01-13 06:51:59
AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件上 DDR4 硬核控制器 DDRMC 跑仿真時(shí)，按照 IP 的默認(rèn)設(shè)置，在 IP wizard 中使能了“Internal Responder”，就可以
2025-01-10 13:33:341481 
經(jīng)數(shù)百萬(wàn)小時(shí)的駕駛和機(jī)器人視頻數(shù)據(jù)訓(xùn)練的先進(jìn)模型，可用于普及物理 AI 開(kāi)發(fā)，并以開(kāi)放模型許可形式提供。
2025-01-09 11:05:341435 NVIDIA 今日發(fā)布能在 NVIDIA RTX AI PC 本地運(yùn)行的基礎(chǔ)模型，為數(shù)字人、內(nèi)容創(chuàng)作、生產(chǎn)力和開(kāi)發(fā)提供強(qiáng)大助力。
2025-01-08 11:01:52971 當(dāng)前，大模型技術(shù)正在重新定義軟件工程。一方面，大模型降低了軟件開(kāi)發(fā)門檻。在過(guò)去，軟件開(kāi)發(fā)者被劃分為全民開(kāi)發(fā)者、應(yīng)用開(kāi)發(fā)者和專業(yè)開(kāi)發(fā)者，隨著大模型技術(shù)的介入，軟件開(kāi)發(fā)變得觸手可及，一些簡(jiǎn)單的應(yīng)用甚至能
2025-01-06 14:52:271374 、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，現(xiàn)有的模型已經(jīng)不能夠完全精確地表征新器件的特性。從底層物理調(diào)整或者開(kāi)發(fā)一個(gè)新的器件模型需要反復(fù)實(shí)驗(yàn)摸索，需要很長(zhǎng)時(shí)間，況且對(duì)一些新材料、新器件的特性效應(yīng)也沒(méi)有完善準(zhǔn)確的特性方程描述，出現(xiàn)了理
2025-01-06 13:41:211793 
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