MUN12AD03 - SEC電源模塊全方位擴展指南在電子設備日益追求高性能、小尺寸、低功耗的今天，電源模塊的重要性愈發凸顯。MUN12AD03 - SEC電源模塊以其獨特優勢，為眾多領域帶來
2026-01-04 10:45:19
實現0.2nm工藝節點。 ? 而隨著芯片工藝節點的推進，芯片供電面臨越來越多問題，所以近年英特爾、臺積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術，旨在解決工藝節點不斷推進下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導體技術發展的歷程中
2026-01-03 05:58:00
3987 INC.(以下簡稱“PANJIT”)簽署的股權轉讓協議。根據該協議，特瑞仕將其持有的合并子公司 TOREX VIETNAM SEMICONDUCTOR CO., LTD.(以下簡稱“TVS”)95%的股權轉讓給 PANJIT。
2025-12-26 16:49:171475 ）技術。相較于傳統的3nm FinFET工藝，GAA架構提供了更出色的靜電控制和更高的電流密度，使芯片性能提升12%，功
2025-12-25 08:56:008274 
①成本優勢，貨源穩定
②功耗降低30%-50%，工藝制程采用22nm，主頻由64M升級到128M。且54系列是M33的核。
③54系列支持藍牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。
④54系列支持最新的NCS
2025-12-24 11:09:50
和強大的計算能力，成為4G智能模塊領域的性能標桿。MT6789安卓核心板的亮點在于其采用了臺積電6nm工藝，這種先進的制程技術相比傳統12nm或7nm工藝顯著優化了
2025-12-23 20:18:31143 
從協議到實踐——EtherNet/IP與NetStaX的最新進展
2025-12-19 15:26:55986 
歲末冬安，圓夢芯成。2025年12月10日，北京燕東微電子股份有限公司（688172.SH）旗下北京電控集成電路制造有限責任公司12英寸集成電路生產線項目（以下簡稱“燕東微北電集成項目”）迎來工藝設備搬入的重要節點，標志著該項目進入設備安裝調試階段，為項目建成投產奠定堅實基礎。
2025-12-19 15:07:19414 Flex Power Modules已將其產品制造擴展到歐洲，在奧地利阿爾特霍芬的Flex工廠設立新的生產基地。此舉將提高Flex Power Modules的電源模塊產能，助力其更快速、更高效地響應AI數據中心客戶快速增長的需求。
2025-12-16 13:51:31395 在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數據，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 AI桌面機器人采用了聯發科MTK八核芯片方案，主頻高達2.0GHz，基于12nm制程工藝設計，兼具高性能與低功耗特點。這套方案不僅能夠提供成熟的Android生態支持，還因其優越的性價比在同類產品中
2025-12-08 19:28:29231 
，極智G-X100采用5nm工藝，chiplet架構。彩色透視端到端延遲僅為9毫秒，創下全球最低延遲紀錄。
2025-11-29 10:59:592523 
最近扒了扒國產芯片的進展，發現中芯國際（官網鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經不是 “實驗室技術” 了 —— 從消費電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41146 的 TI GSPS ADC 的奈奎斯特區，在射頻下具有優異的噪聲和線性性能， 將可用航程擴展到7^th^奈奎斯特區
2025-11-18 15:15:13432 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個高度復雜且精密的過程，涉及材料科學、半導體物理和先進設備技術的結合。以下是其核心工藝流程及關鍵技術要點： 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20328 大家好！疊層固態電容工藝相比傳統的電容工藝，在響應速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在需要高速數據讀寫與高可靠性的現代電子系統中，傳統存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨特的磁阻存儲技術，為工業控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 優勢支持FinFET及傳統工藝，低至12nm完整的層次化物理版圖，包括任意角度和曲線多邊形支持多用戶并行讀寫OpenAccess數據庫原理圖驅動版圖(SDL)和工程變更單(ECO)保持版圖設計時
2025-11-11 11:22:04373 
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 手持終端采用MT6765高性能平臺，基于12nm先進制程工藝，兼顧性能與能耗的平衡。其8核2.0GHz CPU架構能夠輕松應對多任務處理場景，如數據采集、實時定位和后臺運算。操作系統支持Android 11與Android 13版本選擇，為不同行業的定制需求提供了靈活適配空間。
2025-11-03 19:44:37218 
STMicroelectronics X-NUCLEO-LED12A1 LED驅動器擴展板用于STM32 Nucleo，具有四個LED1202器件，可驅動多達48個LED。LED1202是一款12
2025-10-31 15:13:16409 
在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數據，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 在無線網絡普及的當下，有線網絡憑借更穩定的傳輸速率和更低的延遲，仍是游戲、直播、大型文件傳輸等場景的首選。而USB擴展網卡（又稱USB千兆網卡、USB轉以太網適配器），則成為解決設備缺少網口、網口
2025-10-24 15:37:02755 
作為磁阻存儲器領域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計，正成為高性能MRAM研發的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層，通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉，從而實現高效、可控的數據寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 使用的rtl官方源代碼：e203_hbirdv2
使用的FPGA開發板：DDR200T
擴展原因：蜂鳥e203的內存ITCM和DTCM都是64k，太小，不能加載較大的程序（如:幾M）
擴展方案
2025-10-24 08:12:53
，聯發科MT6769芯片憑借其性能均衡、低功耗和成熟的生態支持，成為智能車載終端的優質選擇。聯發科MT6769是一款采用12nm FinFET工藝的系統級芯片(So
2025-10-16 19:58:35367 
STMicroelectronics X-NUCLEO-NFC12A1 NFC讀卡器擴展板基于高端NFC讀卡器ST25R300。該擴展板的配置可在讀卡器模式下支持所有五種NFC Forum標簽類型。
2025-10-15 10:35:17427 
（CGD） 13日宣布與領先的半導體代工企業格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達成合作伙伴關系。此次合作強化了 CGD 的無晶圓廠戰略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應鏈
2025-10-15 09:39:57860 MT6769核心板是一款采用聯發科MT6769芯片的高性能安卓核心板，以其性能均衡、接口豐富的特點，在智能設備領域展現了廣泛的應用潛力。以下是對該核心板的詳細介紹：MTK6769安卓核心板采用臺積電12nm制程工藝，具有低功耗和高性能的特點，為設備提供了更長的續航時間和更流暢的操作體驗。
2025-09-22 19:56:262088 
現代AI智能眼鏡的技術發展，得益于先進芯片工藝的推動。以聯發科12nm制程工藝為例，相較于傳統的14nm制程，其在功耗控制上表現卓越，最高可節省15%的電量。這一改進對于AI智能眼鏡這種高續航需求的設備來說尤為重要，能夠顯著提升設備在長時間運行中的穩定性與可靠性。
2025-09-18 20:03:50677 
BCM56771A0KFSBG性能密度：單芯片 12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設備數量與 TCO。技術前瞻：PAM4 調制 + 7nm 工藝，平滑演進至 800G 時代。能效比
2025-09-09 10:41:47
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨立的兩個晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進一步提升了集成度。同時，在它們之間
2025-09-06 10:37:21
FAQ_MA35_Family eMMC如何將映像編程到其中一個分區中，并將其他分區用于其他目的？
2025-09-02 08:05:33
聯發科MT6769是一款專為智能設備設計的高集成度平臺處理器，具備強大的性能和廣泛的功能支持，能夠滿足現代設備在計算、存儲、多媒體和連接等方面的多樣化需求。MT6769采用臺積電12nm制程技術
2025-08-26 20:00:311512 
珠海創飛芯科技有限公司實現新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內兩家頭部晶圓代工廠經過
2025-08-14 17:20:531311 、OPCUA、HTTP等），并將其轉換為目標系統或設備可識別的協議格式，從而實現跨協議的通信與數據交互。 簡單來說，協議解析網關就像“翻譯官”，在使用不同“語言”（協議）的設備之間搭建橋梁，確保數據能夠準確、高效地傳輸和理解。 協議解析
2025-08-13 14:04:59706 
功能是實現不同協議格式的報文（數據）在傳輸過程中的解析、轉換和轉發。 一、協議轉換網關的核心作用 1.協議解析與轉換 接收來自不同設備的報文（如傳感器的Modbus協議、PLC的Profinet協議、物聯網設備的MQTT協議等），將其從原始
2025-08-11 14:08:22789 
平臺的首選協議。從傳感器數據采集到設備遠程控制，從車間級監控到跨廠區協同，MQTT 正在重塑工業通信架構。GraniStudio 軟件通過對 MQTT 協議的全場景整合，將其復雜的連接管理、消息路由
2025-08-04 09:48:34884 
睿莓1是一款由上海晶珩研發的專為多種應用場景設計的單板計算機，具備優異的性能和小巧緊湊的尺寸，同時提供了極具競爭力的價格。它搭載了一顆12nm工藝的AmlogicS905X4四核Cortex-A55處理器，主頻達到2.0GHz，并配備了ARMMail
2025-07-22 08:08:55961 
協議分析儀作為網絡通信和嵌入式系統調試的核心工具，需支持從低速總線到高速接口、從有線到無線的廣泛協議。以下是常見協議分類及典型應用場景，幫助選擇適合的分析儀：一、高速串行總線協議1. 計算機外設接口
2025-07-17 15:40:38
MTK安卓開發板采用先進的12nm工藝制程，其搭載的八核Cortex-A53處理器主頻高達2.3GHz，展現了卓越的性能表現。該開發板內置4GB運行內存和64GB存儲空間，并預裝Android
2025-07-15 20:00:04581 
近日，格羅方德（GlobalFoundries）宣布達成一項最終協議，擬收購人工智能（AI）和處理器IP領域的領先供應商MIPS。此次戰略收購將拓展格羅方德可定制IP產品的陣容，使其能夠借助IP和軟件能力，進一步凸顯工藝技術的差異化優勢。
2025-07-09 18:03:451036 在全球半導體代工領域的激烈競爭中，三星電子的戰略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業務在制程技術推進方面做出重大調整，原本計劃于2027年量產的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 MT8766是一款基于四核A53架構設計的高性能芯片，主頻高達2.0GHz，采用先進的12nm制程工藝。憑借高效的硬件架構和多樣化功能，MT8766在多媒體處理、無線通信和低功耗優化方面表現出色，為智能設備提供強大支持，是現代智能硬件領域的理想選擇。
2025-06-10 20:20:391502 
德索在M12接口領域深耕多年，其轉接頭、轉換器等產品支持多規格定制，從原材料到生產全流程質量管控，確保與工業交換機的高度適配性。憑借精密工藝與嚴苛品控，德索為M12接口工業交換機重構工業通信生態提供可靠硬件支撐。
2025-06-10 11:52:43646 
當行業還在熱議3nm工藝量產進展時，臺積電已經悄悄把2nm技術推到了關鍵門檻！據《經濟日報》報道，臺積電2nm芯片良品率已突破 90%，實現重大技術飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 內部的并行性實現可擴展性、高吞吐量和低延遲的目標。相較于SATA協議，NVMe協議具有以下幾點優勢：管理更高效、功能性更強、I/O效率更高、讀寫延遲和功耗更低。由于NVMe SSD與HDD和SATA
2025-06-02 23:28:54
MT8768安卓核心板是一款高度集成的嵌入式系統模塊，集成了CPU、內存(如LPDDR4X)、存儲(eMMC或FLASH)和電源管理芯片等核心部件。基于聯發科MTK8768處理器，該模塊采用12nm
2025-05-29 19:59:031726 
處理器打造，采用先進的12nm制程工藝，主頻高達2.0GHz，并運行Android 11.0操作系統。其強大的性能、低功耗設計和靈活的擴展能力，使其成為多種嵌入式應
2025-05-28 19:46:54843 
歸因于 SDE 深度的降低。隨著 CMOS尺寸的降低，為控制短溝道效應，結深也需要相應的降低。然而，降低源漏擴展區的深度會導致更高的電阻。這兩個互相矛盾的趨勢要求新的工藝技術能夠在更淺的區域形成高活化和低擴散的高濃度結。
2025-05-27 12:01:13964 
使用cyusb.dll(NET), USBDeviceList枚舉USB設備，可以正常訪問，當我用外在部件將其從USB3.0強制到USB2.0后如何高效重新打開設備，重復調用USBDeviceList，會出現效率低下
2025-05-19 06:15:30
這款小尺寸安卓主板采用了聯發科MT8768處理器，配備八核心(ARM A53架構，主頻2.0GHz)，結合先進的12nm工藝制造，兼具低功耗與強大性能。板載4GB RAM和64GB存儲空間，為多種設備提供穩定的運行環境，滿足不同應用場景的需求。
2025-05-12 20:13:19948 
期，從領先的臺積電到快速發展的中芯國際，晶圓廠建設熱潮持續。主要制造商紛紛投入巨資擴充產能，從先進的3nm、5nm工藝到成熟的28nm、40nm節點不等，單個項目
2025-04-22 15:38:361573 
近日，國民技術電源管理產品再添新成員，正式發布高性能多協議快充協議SoC芯片（NP11/NP12/NP21系列），采用Arm內核，基于Flash工藝設計，產品可支持PD/QC/UFCS/APPPLE
2025-04-18 21:06:001324 
%左右開始，隨著進入量產階段，良率會逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內存芯片和 4nm 邏輯芯片， 雖然邏輯芯片端的初始成績較為喜人，但 1c DRAM 方面
2025-04-18 10:52:53
我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續提供高性能車規級 IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車電子和高性能計算應用的嚴格要求。
2025-04-16 10:17:15843 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對準和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進的光刻技術 第16章
2025-04-15 13:52:11
！開發板介紹芯片框架
核心升級，產品炸裂QuarkPi-CA2卡片電腦搭載瑞芯微RK3588S芯片，采用8nm制程工藝，搭載4核Cortex-A76+4核Cortex-A55，6.0Tops NPU
2025-04-11 16:03:36
從鑄造到打磨，每一個工藝環節在德索精密工業內部都緊密相連，共同編織成 SMA 接口尺寸雕琢的精密鏈條。正是憑借對工藝的執著追求以及對細節的極致把控，德索精密工業制造的 SMA 接口得以在微小尺寸
2025-03-26 08:41:13629 這AD5541/ AD5542 是單通道、16 位、串行輸入、電壓輸出數模轉換器 （DAC），采用 2.7 V 至 5.5 V 單電源供電。DAC 輸出范圍從 0 V 擴展到 VREF。
2025-03-25 10:00:26
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時候，系統給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請教下用于光電信號放大轉換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，FET這三種工藝的優缺點是什么？
2025-03-25 06:23:13
我們使用了過采樣技術把12位擴展到15位ADC，發現跳動較大，模擬量可能有最大上下30左右的跳動，對于15位ADC來說，相當于3個mv的跳動，為了查找問題原因，取消了過采樣技術，直接觀察12位ADC
2025-03-24 09:54:25
電子發燒友網綜合報道?據多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發燒友網綜合報道 據多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 CMT4531 支持BLE高速數據吞吐，包括BLE 2Mbps PHY協議與長度擴展功能；同時，CMT4531還可完全支持BLE Mesh協議下的Friend、LowPower、Proxy、Relay等多種節點特性，是打造智能家居BLE Mesh網絡的理想選擇之一。
2025-03-14 17:04:221533 
Arm 控股有限公司（納斯達克股票代碼：ARM，以下簡稱“Arm”）近日宣布將 Arm Kleidi 技術擴展到汽車市場。Arm Kleidi 是一項廣泛的軟件及軟件社區參與計劃，旨在加速人工智能
2025-03-14 15:36:461423 電子發燒友網綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或將有數款芯片成為2nm工藝制程的首發產品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486 據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節點（SF4X）進行大規模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 電子發燒友網綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設計上前瞻性的布局，使其能夠結合MRAM技術，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創新產品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 AI智能眼鏡搭載了紫光展銳W517平臺，這是一款專為可穿戴設備設計的超低功耗、高性能SoC芯片。W517采用了1+3的大小核CPU架構，并基于12nm制程工藝打造，融合了ePOP和超微高集成技術，從
2025-02-25 20:19:111005 
車載終端采用了聯發科的八核Cortex-A53處理器，主頻高達2.0GHz，并基于12nm制程工藝設計，既保證了強大的計算能力，又有效地控制了能耗。設備內置4GB RAM和64GB存儲空間，運行Android 11.0系統，為多任務處理提供了流暢的用戶體驗，即便在復雜應用場景下亦表現出色。
2025-02-20 20:17:02607 
DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒有在355nm下的客戶應用案例？
這個是激光器的參數：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
智能安全帽的硬件設計，內置低功耗四核處理器，主頻高達2.0GHz，支持12nm制程工藝，既能保證高效的運行速度，又能有效減少能耗。用戶還可以選擇更高配置的八核處理器，以滿足更多高性能需求。標配內存
2025-02-18 19:57:12599 
U系列繼電器的概念是在保持微型封裝尺寸的同時，提高頻率能力。這個系列將其合法帶寬擴展到了8GHz。提供了多種封裝樣式，如鷗翼型和J型引腳。U系列適用于需要更高頻率和高密度排列的自動測試設備、電信和無線市場。
2025-02-17 13:58:40
本文主要簡單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點進行簡單介紹。 ? 在集成電路制造領域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，FEOL）與后段工藝
2025-02-17 09:43:282173 
萬美元，這是華虹半導體在近三年內出現首次單季度虧損。 ? 圖：華虹半導體營收情況 ? 華虹半導體是一家特色工藝純晶圓代工企業，主要晶圓尺寸為8英寸和12英寸，主要面向嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯與射頻等特色工藝技術
2025-02-15 00:12:003151 
Probes Architecture 用于將 Network Discovery 的地理范圍擴展到整個企業。它們可以在本地查看，也可以作為用于聚合報告的 Codima Toolbox
2025-02-14 17:08:43610 
據最新消息，臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國制造”理念并擴展其生產計劃。據悉，此次投資將著重于擴大生產線規模，為未來的3nm和2nm等先進工藝做準備。
2025-02-12 17:04:04995 本文介紹了背金工藝的工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝的工藝流程 ? 如上圖，步驟為： ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:182055 
MTK安卓主板采用了低功耗的MT8768八核平臺，主頻高達2.0GHz，基于先進的12nm制程工藝。這款安卓主板在4G網絡下的待機電流僅為10-15mA/h，支持谷歌Android 11.0系統
2025-02-10 19:58:471130 
智能安全帽采用了基于聯發科12nm低功耗高性能處理器的硬件方案，主頻高達2.0GHz，標配2GB運行內存和16GB存儲空間，且支持擴展至128GB，運行Android 9.0操作系統。如此配置不僅能滿足復雜工況下的性能需求，還能確保高清視頻通話的流暢性和穩定性。
2025-02-07 20:12:10948 
2025年2月，SEGGER宣布其實時軟件驗證和可視化工具SystemView增加了多核支持，將其功能擴展到單個芯片上具有多個CPU內核的系統。
2025-02-07 11:24:201175 
轉換模塊實現數據在不同系統間的無縫傳輸，提升系統的靈活性和可擴展性。 一、基本概念 CAN協議轉換模塊，簡而言之，將CAN總線上的數據轉換為其他通信協議格式(如RS-232、RS-485、Ethernet等)，或者將其他通信協議的數據轉換為CAN總線數據的設備。通常由硬件電路和軟件算法兩部分組成，
2025-02-05 16:37:31805 據外媒最新報道，意法半導體（STMicroelectronics）與GlobalFoundries已決定暫時擱置一項共同投資高達75億歐元的合資晶圓廠項目。該項目原計劃在法國Crolles地區建設一座先進的FDSOI晶圓廠。
2025-01-24 14:10:56875 DRAM內存產品面臨的良率和性能雙重挑戰，已決定在2024年底對現有的1b nm工藝進行改進，并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而，三星電子現在對此表示否認，強調其并未有重新設計1b DRAM的計劃。 盡管三星電子否認了重新設計的傳聞，但不可否認的是，其12nm級DRAM產品確實面
2025-01-23 15:05:11921 據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 據韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀，三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上，全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071410 在性能設計上，這款車載終端采用了高效的聯發科八核處理器，采用Cortex-A53架構，主頻高達2.0GHz，制程工藝僅為12nm，展現了卓越的計算能力與低能耗的優勢。它內置4GB的運行內存和64GB的存儲空間，搭載Android 11.0系統，確保在多任務處理時的流暢體驗，滿足用戶的高效需求。
2025-01-20 20:22:21939 
一站式 NVM 存儲 IP 供應商創飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術繼 2021年在國內第一家代工廠實現量產后，2024 年在國內多家代工廠關于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647 Ceva采用臺積電低功耗12nm工藝打造的新型無線電。這一技術突破，使得Links200能夠在開發基于最新標準的多協議無線連接的智能邊緣SoC時
2025-01-10 15:02:18958 聯發科的MT8786處理器采用了靈活的2+6架構，配備2顆主頻高達2.0GHz的Cortex-A75大核心和6顆主頻為1.8GHz的Cortex-A55小核心，采用先進的12nm工藝制造。該處
2025-01-09 20:18:184817 
上海富瀚微電子在CES期間發布了智能眼鏡芯片MC6350。 據悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更優圖像效果三大優勢，?MC6350采用12nm低功耗工藝，而且是超小芯片尺寸；8*8mm。
2025-01-09 16:01:203175 車載終端憑借高性能的MT6765處理器，采用八核Cortex-A53架構，主頻達到2.3GHz，基于12nm制程工藝，展現出卓越的計算能力和能效比。同時，終端配有強大的IMG GE8320 GPU
2025-01-08 20:11:56816 
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