冠銓光電第一爐4寸LED外延片成功問世

　　近日，濟寧高新區聯電科技園核心企業冠銓（山東）光電科技有限公司成功研制出4寸LED 外延片，并生產出第一爐。

　　據了解，冠銓光電早前已具備量產2寸外延片能力，此次研制成功的4寸外延片，每片產出的芯片數量約為2寸工藝的4倍，可提升生產效率，降低生產成本，也為后續的LED芯片工藝節省了時間和成本。

　　冠銓（山東）光電科技有限公司總投資1.5億美元，由***聯華電子集團和***晶元光電共同出資建設，主要開展研發、生產和銷售超高亮度LED外延片等業務。

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LED外延片介紹及辨別質量方法

20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

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LED外延片及其質量辨別

外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。半導體制造

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LED外延片基礎知識

本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素

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據業內人士稱，三安光電將在2019年第一季度建立首條Micro LED外延片和芯片生產線。

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三安光電將在2019年第一季度建立首條Micro LED外延片和芯片生產線

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南昌市光電產業推介會暨乾照光電南昌基地項目投產儀式在南昌舉行，該基地項目總投資50億元，用地600畝，其中一期投資25億，年生產能力可達960萬（折2寸片）藍綠外延芯片。這意味著國內紅黃光LED芯片龍頭乾照光電，在藍綠芯片上再下一城，穩居全色系LED第一梯隊。

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近日，漳州高新區和福建一輪善淳科技發展有限公司進行項目對接，雙方就8/12寸集成電路用單晶硅拋光片、外延片項目的合作達成一致意見并現場簽訂框架協議。

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晶元光電表示有望在2019年回歸盈利

據悉，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）日前表示，公司有望在2019年回歸盈利，盡管困難重重。

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LED外延片和LED芯片之間的相同跟不同科普

近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國內LED技術與市場發展迅速，取得了外延片、芯片核心技術的突破性進展。那么，關于LED外延片、芯片，你了解多少呢？

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ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片的出色一致性和可重復性。此外，公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發展藍圖。

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LED外延片其實是襯底材料作用的，也就是說在使用一些照明產業當中，這種材料被廣泛的運用于芯片加工。導體外延片的存在是與發光產業相連接的，也就是說在進行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當大的關系，最主要的是與穩定性和導熱性有著密切聯系。

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晶元光電：智能手表將是Micro LED的首個主要應用

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2020-09-15 10:11:05

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2020-12-31 09:44:14

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打響開年漲價“第一槍”的聚燦光電竟并未憑此獲益？

2020年打響開年漲價“第一槍”的聚燦光電并未憑此獲益。 4月28日，聚燦光電發布年度業績報告，其2020年實現營收14.07億元，同比增長23.05%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為2137萬元

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基于AI的GaN外延片

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兆馳半導體在Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破

對于Micro LED而言，一張4寸外延的片內波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外Micro LED對更高光效的外延也提出了要求；如何通過對外延結構以及生長方法和工藝進行一系列優化從而降低外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸等等；

2023-02-27 11:04:41

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面對Micro LED外延量產難題，愛思強如何破解？

從保障外延片品質入手，提升Micro LED生產效率，降低生產成本外，應用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關鍵。傳統的LED行業普遍在4英寸，而Micro LED的生產工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。

2023-05-10 09:50:04

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SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。

2023-05-31 09:27:09

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辰顯光電成功點亮國內首款P0.5 TFT基無邊框29英寸Micro-LED拼接屏

近日，成都辰顯光電有限公司（以下簡稱辰顯光電）在成都高新區成功點亮了國內首款P0.5 TFT基無邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片，由4個14.5英寸

2023-08-02 11:05:59

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SiC外延片測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。

2023-08-05 10:31:47

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晶能光電首發12英寸硅襯底InGaN基三基色外延

近日，晶能光電發布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。

2023-09-01 14:07:44

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不合格的碳化硅外延片如何再生重利用？

此外，研磨技術的缺點還有統一性不高，多片加工時對外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進行CMP處理，則需要較長的時間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。

2023-09-27 16:35:43

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中電科南京外延材料產業基地投產，一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示，該項目一期投資19.3億元，項目達產后，預估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產能力，支撐開展大尺寸硅外延和化合物外延研發以及產業化，擴大在高端功率器件、集成電路等應用領域的競爭優勢。

2023-11-14 15:44:12

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半導體的外延片和晶圓的區別？

半導體的外延片和晶圓的區別？半導體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎材料，它們之間有一些區別和聯系。在下面的文章中，我將詳細解釋這兩者之間的差異和相關信息。首先，讓我們來了解一

2023-11-22 17:21:25

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乾照光電取得多項LED芯片相關專利

近日，乾照光電取得多項LED芯片相關專利，分別是“一種LED芯片及其制備方法”、“一種垂直結構LED芯片”、“一種LED外延結構“。

2023-12-03 14:11:35

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國星光電成功成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏

采用國星光電自主研發的巨量轉移技術路線，實現＞50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉移良率＞99.9%。此外，國星Micro LED研發平臺未來還可支持12寸以內基板上芯片多次拼接鍵合。

2023-12-08 10:07:36

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全球首款88英寸P0.5前維護TFT基Micro-LED拼接屏成功點亮

成都辰顯光電有限公司在2024年1月16日宣布，成功點亮了全球首款88英寸P0.5 前維護TFT基Micro-LED拼接屏

2024-01-22 11:30:32

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普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產線

預計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。

2024-02-29 16:24:01

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聚燦光電宣布擴建Mini/Micro LED芯片研發及制造項目

3月6日，聚燦光電發布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發及制造擴建項目”的部分募集資金（共計8億元）用途，用于新項目“年產240萬片紅黃光外延片、芯片項目”的實施。

2024-03-08 13:58:42

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辰顯光電成功點亮國內首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體

近日，成都辰顯光電有限公司成功點亮了國內首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體。

2024-03-18 15:46:41

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麥斯克電子年產360萬片8英寸硅外延片項目封頂

麥斯克電子近日宣布，其年產360萬片8英寸硅外延片的項目已成功封頂。據CEFOC中電四公司透露，該項目的總投資額超過14億元，建設規模宏大，占地建筑面積超過5萬平方米。預計項目建成并投產后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領域的生產能力，年產量將達到360萬片8英寸硅外延片。

2024-05-06 14:58:31

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材料認識-硅拋光片和外延片

前言硅片按照產品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經介紹SOI硅片，本期關注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到

2024-06-12 08:09:07

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外延片和擴散片的區別是什么

外延片和擴散片都是半導體制造過程中使用的材料。它們的主要區別在于制造過程和應用領域。制造過程：外延片是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導體材料來制造的。這個過程通常使用化學氣相沉積（CVD）或

2024-07-12 09:16:52

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ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測的應用

實驗名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測實驗內容：基于單注入模式，使用新型檢測系統獲取LED外延片的電學參數與光學參數。研究方向：LED外延片檢測測試設備：光譜儀、函數信號發生器

2024-10-25 10:29:54

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8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構

隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸，其外延生長室的結構設計

2024-12-31 15:04:18

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鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

一、引言隨著半導體技術的飛速發展，碳化硅（SiC）作為一種具有優異物理和化學性質的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延片是實現高性能SiC

2025-01-07 15:19:59

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用于半導體外延片生長的CVD石墨托盤結構

一、引言在半導體制造業中，外延生長技術扮演著至關重要的角色。化學氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應用于制備高質量的外延片。而在CVD外延生長過程中，石墨托盤作為承載和支撐半導體

2025-01-08 15:49:10

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有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

引言碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信及高溫環境等領域展現出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延生長過程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一

2025-02-10 09:35:39

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SiC外延片的化學機械清洗方法

引言碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導體材料，因其卓越的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現出巨大的應用潛力。然而，在SiC外延片的制造過程中，表面污染物的存在會嚴重影響

2025-02-11 14:39:46

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【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數的關聯性研究

一、引言碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產品質量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數起著決定性

2025-09-18 14:44:40

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上揚軟件中標麥斯克電子8英寸外延片工廠項目

近日，上揚軟件憑借深厚的行業積淀、領先的技術實力以及眾多經市場驗證的成功案例，在激烈的競爭中脫穎而出，成功中標麥斯克電子材料股份有限公司（麥斯克電子）8英寸外延片工廠 CIM 系統實施項目。此次合作

2025-10-14 11:50:46

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強強聯合，共贏未來！冠捷科技正式與辰顯光電達成戰略合作，共繪Micro-LED產業新藍圖！

11月5日上午，冠捷科技集團旗下AOC商顯、飛利浦商顯與Micro-LED顯示領域的知名企業——成都辰顯光電有限公司（以下簡稱“辰顯光電”）戰略合作簽約儀式在上海冠捷大廈成功舉行。雙方代表齊聚一

2025-11-10 10:58:24

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外延片氧化清洗流程介紹

外延片氧化清洗流程是半導體制造中的關鍵環節，旨在去除表面污染物并為后續工藝（如氧化層生長）提供潔凈基底。以下是基于行業實踐和技術資料的流程解析：一、預處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃

2025-12-08 11:24:01

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冠銓光電第一爐4寸LED外延片成功問世

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