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電子發燒友網>工業控制>我國光刻膠工藝技術突破,國內企業受制于人

我國光刻膠工藝技術突破,國內企業受制于人

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Futurrex高端光刻膠

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2010-04-21 10:57:46

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、芯片封裝和微加工等領域。目前,直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝:為了獲得更好的光刻效果,在進行光刻膠旋涂之前,需要
2018-07-04 14:42:34

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2024-06-16 11:17:27

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2021-07-06 09:39:22

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機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備??蓪Σ煌叽绾托螤畹幕M行涂膠,最大涂膠尺寸達8寸,得到厚度均勻的光刻膠層,同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠;通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
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我國導航電子地圖核心技術受制于人

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我國封裝材料受制于人 LED封裝專利缺乏原創性

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能讓顯示屏幕絢麗多彩的光刻膠,仍是中國半導體產業之“痛”

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國外工業互聯網技術的利弊值得仔細權衡,因為一個不留神,工業互聯網很有可能會成為下一個受制于人的“中國芯片”。
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半導體光刻膠:多家廠商實現國產替代

在國家政策與市場的雙重驅動下,近年來,國內企業逐步向面板、半導體光刻膠發力……
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上海新陽再次轉換戰場 選擇研發3D NAND用的KrF 光刻膠

2018年,南大光電和上海新陽先后宣布,投入ArF光刻膠產品的開發與產業化,立志打破集成電路制造最為關鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進口的局面,填補國內高端光刻膠材料產品的空白。
2019-05-21 09:24:247863

Mattson利用歐洲的IMEC為低k/銅工藝開發光刻膠去除技術

Mattson Technology Inc.表示,它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發中心共同開發新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:1011186

欣奕華科技在平板顯示用負性光刻膠領域實現量產 預計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶

經開區企業北京欣奕華科技有限公司(以下簡稱“欣奕華”)了解到,經過多年的行業累積和技術迭代,欣奕華在平板顯示用負性光刻膠領域實現了量產,預計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶,約占國內市場的8%。
2019-10-28 16:38:494539

南大光電將建成光刻膠生產線,明年或光刻機進場

今年7月17日,南大光電在互動平臺透露,公司設立光刻膠事業部,并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”,全力推進“ArF光刻膠開發和產業化項目”落地實施。目前該項目完成的研發技術正在等待驗收中,預計2019年底建成一條光刻膠生產線,項目產業化基地建設順利。
2019-12-16 13:58:528273

光刻膠國產化刻不容緩

隨著電子信息產業發展的突飛猛進,光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規模預計接近90億美元,自2010年至今CAGR約5.4%,預計未來3年仍以年均5%的速度增長,預計至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848

南大光電高黏附性的ArF光刻膠樹脂專利揭秘

在國際半導體領域,我國雖已成為半導體生產大國,但整個半導體產業鏈仍比較落后。特別是由于國內光刻膠廠布局較晚,半導體光刻膠技術相較海外先進技術差距較大,國產化不足5%。在這種條件下,國內半導體廠商積極開展研究,如晶瑞股份的KrF光刻膠,南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517

LCD光刻膠需求快速增長,政策及國產化風向帶動國產廠商發展

光刻膠按應用領域分類,大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠(感光油墨)與半導體光刻膠等。按照下游應用來看,目前LCD光刻膠占比26.6%,刻占比24.5%,半導體光刻膠占比24.1%,PCB光其他類光刻膠占比24.8%。
2020-06-12 17:13:396218

一文帶你看懂光刻膠

來源:浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括:光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應,經曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205

新材料在線:2020年光刻膠行業研究報告

技術水平與國際先進水平仍存在較大差距,自給率僅10%,主要集中技術含量相對較低的PCB領域,6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國內企業可以大規模生產。 基于此,新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:253534

博聞廣見之半導體行業中的光刻膠

光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應,經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質,其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357

容大感光科技光刻膠研發進程

明確提出,要加快新材料產業強弱項,加快在光刻膠、高強高導耐熱材料、耐腐蝕材料等領域實現突破。 成立于1996年的深圳市容大感光科技股份有限公司,作為我國首批PCB感光油墨生產制造商之一,多年來始終堅持自主創新,致力
2020-10-22 15:20:154894

為打破光刻膠壟斷,我國冰刻2.0技術突破

光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示,中國要制造芯片,光有光刻機還不夠,還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564959

南大光電自主研發的 ArF(193nm)光刻膠成功通過認證

大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求,良率結果達標。” “ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過,標志著 “ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279

南大光電首款國產ArF光刻膠通過認證 可用于45nm工藝光刻需求

,“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過,標志著“ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破,成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。? 此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠
2020-12-25 18:24:097828

光刻膠的價值與介紹及市場格局對國產光刻膠的發展趨勢

近期,專注電子材料市場研究的TECHCET發布最新統計和預測數據:2021年,半導體制造所需的光刻膠市場規模將同比增長11%,達到19億美元。
2021-03-22 10:51:126148

光刻膠板塊的大漲吸引了產業注意 ,國產光刻膠再遇發展良機?

5月27日,半導體光刻膠概念股開盤即走強,截至收盤,A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停,容大感光大漲13.28%,揚帆新材大漲11.37%,南大光電
2021-05-28 10:34:154021

半導體技術新進展,南大光電高端ArF光刻膠獲得突破

在半導體制造方面,國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備,光刻膠也是重要的一環。而南大光電研發的高端ArF光刻機,已經獲得了國內企業的認證,可用于55nm工藝制造。 南大光電發布公告稱,控股
2021-06-26 16:32:373071

光刻膠光刻機的關系

光刻膠光刻機研發的重要材料,換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網硅片上涂一層光刻膠
2022-02-05 16:11:0015759

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導體工藝

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝,同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能?;一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失,改善了周期時間,釋放
2022-03-01 14:39:432179

晶片光刻膠處理系統的詳細介紹

類型和智能流體?配方發生反應,將最有希望的組合進行到第二階段進行深入研究。后續實驗結果證明了通過改變工藝溫度設置和添加兆聲能來優化工藝參數。通過目視檢查和接觸角測量來量化光刻膠剝離結果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05888

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用

什么是光刻?光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應用;軟烤;掩模對準;曝光和顯影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489

Silvaco TCAD工藝技術參數及其說明

?OPTOLITH模塊可對成像(imaging),光刻膠曝光(exposure),光刻膠烘烤(bake)和光刻膠顯影(development)等工藝進行精確定義
2022-03-15 14:16:476293

一種半導體制造用光刻膠去除方法

本發明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細地說,是一種半導體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中,將殘留在晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:421659

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術

本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合,導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對晶
2022-05-07 15:11:111355

干法刻蝕去除光刻膠技術

灰化,簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉,光刻膠的基本成分是碳氫有機物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除。
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光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511

光刻膠為何要謀求國產替代

南大光電最新消息顯示,國產193nm(ArF)光刻膠研發成功,這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體;徐州博康宣布,該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列,包括
2022-08-31 09:47:142373

光刻膠的原理和正負光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成:樹脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent
2022-10-21 16:40:0423799

國產光刻膠市場前景 國內廠商迎來發展良機

半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品,海外進口依賴較重,不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠(主要是 KrF、ArF 光刻膠)來看,樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434886

高端光刻膠通過認證 已經用于50nm工藝

此前該公司指出,公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線,具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力,目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:321910

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發,必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰,imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122946

采用光刻膠犧牲層技術改善薄膜電路制備工藝

改善之后的工藝與之前最大的區別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進行濕法刻蝕,避免了側腐蝕對線條精度和膜基結合力的影響,同時,基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:353493

光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:112941

不僅需要***,更需要光刻膠

為了生產高純度、高質量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如,2019年,某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481720

光刻膠國內市場及國產化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:501413

速度影響光刻膠的哪些性質?

光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻中至關重要的參數,那么我們在勻時,是如何確定勻速度呢?它影響光刻膠的哪些性質?
2023-12-15 09:35:563929

全球光刻膠市場預計收入下滑,2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素,廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多,此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠,將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:341635

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:212819

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061

光刻膠光刻機的區別

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:189625

關于光刻膠的關鍵參數介紹

與正光刻膠相比,電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負像。
2024-03-20 11:36:505066

一文讀懂半導體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正受到紫外光照射的部分在顯影時被去除,負受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056645

一份PPT帶你看懂光刻膠分類、工藝、成分以及光刻膠市場和痛點

共讀好書 前烘對正顯影的影響 前烘對負顯影的影響 需要這個原報告的朋友可轉發這篇文章獲取百份資料,內含光刻膠多份精品報告【贈2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學品行業分析檢測與安全管理培訓班”。 審核編輯 黃宇
2024-06-23 08:38:021727

光刻膠的保存和老化失效

我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規劃好。并且,在光刻過程中如果發現有異常情況發生,我們
2024-07-08 14:57:083154

光刻膠的圖形反轉工藝

圖形反轉是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當正使用又可以作為負使用。相比而言,負工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負工藝。 應用領域 在反轉工藝下,通過適當的工藝參數,可以獲得底切的側壁
2024-07-09 16:06:001988

光刻膠后烘技術

一般光刻過程文章中簡單介紹過后烘工藝但是比較簡單,本文就以下一些應用場景下介紹后烘的過程和作用。 化學放大正 機理 當使用“正?!闭?b class="flag-6" style="color: red">膠時,曝光完成后光反應也就完成了,但是化學放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應在曝光期間開始并在后烘環節中完
2024-07-09 16:08:433448

光刻膠的一般特性介紹

評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492397

光刻膠的硬烘烤技術

根據光刻膠的應用工藝,我們可以采用適當的方法對已顯影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現整個光刻膠結構的熱交聯,稱為硬烘烤或者堅膜?;蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592705

光刻膠涂覆工藝—旋涂

為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性,必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中,是一種高粘度材料。根據工藝要求,有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362760

導致光刻膠變色的原因有哪些?

存儲時間 正和圖形反轉在存儲數月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491795

如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠

? 基底上SU-8光刻膠的圖層可以通過若干種技術來完成。最常用的技術是旋涂技術,該技術是在旋轉的基底上放置一小灘SU-8光刻膠。旋轉速度、加速度和SU-8光刻膠的黏度將會決定SU-8光刻膠層(如下簡稱層)的厚度。 使用旋涂機來旋涂SU-8光刻膠,相比其它技術來講,旋涂機會使
2024-08-26 14:16:011298

如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠?

在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘臺或者烤設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011243

一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠

原文標題:一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
2024-11-01 11:08:073091

國產光刻膠通過半導體工藝量產驗證

來源:太紫微公司 近日,光谷企業在半導體專用光刻膠領域實現重大突破:武漢太紫微光電科技有限公司(以下簡稱“太紫微公司”)推出的T150 A光刻膠產品,已通過半導體工藝量產驗證,實現配方全自主
2024-10-17 13:22:441107

光刻膠的使用過程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789

一文解讀光刻膠的原理、應用及市場前景展望

光刻技術是現代微電子和納米技術的研發中的關鍵一環,而光刻膠,又是光刻技術中的關鍵組成部分。隨著技術的發展,對微小、精密的結構的需求日益增強,光刻膠的需求也水漲船高,在微電子制造和納米技術等高精尖領域占據著至關重要的位置。
2024-11-11 10:08:214407

光刻膠清洗去除方法

光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391

光刻膠的主要技術參數

分辨率(resolution)。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
2024-11-15 10:10:414833

光刻膠成為半導體產業的關鍵材料

對光的敏感度。在半導體制造過程中,光刻膠通過光化學反應,將掩膜版上的圖案精確地轉移到硅片表面。 光刻工藝是半導體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負)后,使用特定波長的光線通過掩膜版照射到光刻膠上,被
2024-12-19 13:57:362093

晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝的研究

隨著半導體器件的應用范圍越來越廣,晶圓制造技術也得到了快速發展。其中,光刻技術在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠光刻工藝中必不可少的材料,其質量直接影響到晶圓生產的效率和質量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227

半導體材料介紹 | 光刻膠及生產工藝重點企業

體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時,若采用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類
2025-03-18 13:59:533031

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料,其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術保障
2025-05-29 09:38:531110

光刻膠產業國內發展現狀

,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,溶解度會發生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關鍵材料。 從芯片生產的工藝流程上來說,光刻膠的應用處于芯片設計、制造、封測當中的制造環節,是芯片制造過程里光刻
2025-06-04 13:22:51998

減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環節,但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
2025-06-14 09:42:56738

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線在制程中廣泛應用,但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08696

針對晶圓上芯片工藝光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節,其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝光刻膠剝離方法,并探討白光
2025-06-25 10:19:48819

光刻膠旋涂的重要性及厚度監測方法

在芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節,而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461545

光刻膠剝離工藝

光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271289

中國打造自己的EUV光刻膠標準!

其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機,更需要EUV光刻膠的參與。但在過去 國內長期依賴進
2025-10-28 08:53:356245

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