北京時間11月13日消息，內存和存儲解決方案供應商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的重大提升。美光全新的176層工藝與先進架構共同促成了此項突破，使數據中心、智能邊緣平臺和移動設備等一系列存儲應用得以受益，實現性能上的大幅提升。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer表示：“美光的176層NAND樹立了閃存行業的新標桿，與最接近的競爭對手同類產品相比，堆疊層數多出近40%。結合美光的CMOS陣列下 （CMOS-under-array） 架構，該項技術幫助美光繼續在成本方面保持行業領先優勢。”

該款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構，是市場上最先進的NAND技術節點。與美光的上一代大容量3D NAND產品相比，176層NAND將數據讀取和寫入延遲縮短了35%以上，大幅提高了應用的性能。美光的176層NAND采用緊湊型設計，裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近30%，是滿足小尺寸應用需求的理想解決方案。

創新技術服務多元化市場

美光執行副總裁兼首席業務官Sumit Sadana表示：“采用美光的176層NAND后，我們的客戶將實現突破性的產品創新。我們將在廣泛的產品組合中部署這項技術，在NAND應用的各個領域中實現價值，重點把握5G、人工智能、云和智能邊緣領域的增長機會。”

美光176層NAND擁有全面設計和行業首屈一指的密度，應用廣泛，在多個行業將不可或缺，包括移動設備存儲、自動駕駛系統、車載信息娛樂以及客戶端 （PC） 和數據中心的固態硬盤 （SSD）。

美光176層NAND的服務質量 （QoS進一步提升， 這對數據中心SSD的設計標準而言至關重要——它能更快應對數據密集型環境和工作負載，例如數據湖、人工智能 （AI） 引擎和大數據分析。對于5G智能手機而言，提升的QoS意味著多個應用程序啟動和切換更加快速，帶來流暢、反應迅速的移動體驗，真正實現多任務處理和5G低延遲網絡的充分利用。

在開放式NAND閃存接口 （ONFI） 總線上，美光第五代3D NAND也實現了1600MT/秒最大數據傳輸速率，比此前提升了33%。更快的ONFI速度意味著系統啟動更迅速、應用程序性能更出眾。在汽車應用中，這種速度將讓車載系統在發動機啟動后近乎即時地響應，從而為用戶帶來更好的體驗。

美光正與業界開發者合作，將新產品快速應用到解決方案中。為了簡化固件開發，美光176層NAND提供單流程 （single-pass） 寫算法，使集成更為便捷，從而加快方案上市時間。

新架構實現密度和成本優勢

隨著摩爾定律逐漸逼近極限，美光在3D NAND領域的創新對確保行業滿足數據增長需求至關重要。為了實現這一目標，美光結合了堆棧式替換柵極架構、創新的電荷捕獲技術和CMOS陣列下 （CuA）技術。美光的3D NAND專家團隊利用專有的CuA技術取得了大幅進步，該技術在芯片的邏輯器件上構建了多層堆棧，將更多內存集成封裝在更緊湊的空間中，極大縮小了176層NAND的裸片尺寸，提升了單片晶圓的存儲容量。

同時，美光還將NAND單元技術從傳統的浮動柵極過渡到電荷捕獲，提高了未來NAND的可擴展性和性能。除了電荷捕獲技術，美光還采用了替換柵極架構，利用其中的高導電性金屬字線取代硅層，實現了領先是的3D NAND性能。采用該技術后，美光將大幅度降低成本，繼續領跑業界。

通過采用這些先進技術，美光提升了產品耐用度，這將使各種寫入密集型應用特別受益，例如航空航天領域的黑匣子以及視頻監控錄像等。在移動設備存儲中，176層NAND的替換柵極架構可將混合工作負載性能提高15%，從而支持超快速邊緣計算、增強型人工智能推理以及圖像顯示細膩的實時多人游戲。

供應情況

美光176層三層單元 （TLC） 3D NAND已在美光新加坡晶圓制造工廠量產并向客戶交付，包括通過其英睿達 （Crucial） 消費級SSD產品線，美光將在2021年推出基于該技術的更多新產品。

責任編輯：PSY