Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術創新獲得半導體Insight獎

美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業內領先的DRAM和NAND創新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND快閃存儲器獲得“最具創新性工藝技術”獎，其1Gb、50納米的DDR2獲得“最具創新性DRAM技術”獎。

美光公司存儲器事業部副總裁Brian Shirley說：“從Semiconductor Insights這樣一家知名的分析公司獲得這些大獎，美光公司感到很榮幸。這些大獎證實了美光公司在DRAM和NAND快閃存儲器方面持續的技術設計和工藝創新領導力。與我們的合作伙伴一道，美光公司繼續推動著存儲器技術的進步?！?

Semiconductor Insights副總裁兼總經理Emil Alexov說：“美光公司在DRAM和NAND領域獲得了巨大的進步，兩種技術的工藝水平能制造出迄今尺寸最小的產品，同時還提供首個亞40納米的快閃存儲器設備。他們被選為兩項而非一項Insight大獎的獲得者，這清楚地證明了他們的創新承諾。”

據SI表示，32Gb、34納米的芯片是業內首個密度最高的單片多層單元(MLC) NAND快閃存儲器芯片。由于密度高、尺寸小，此芯片使客戶能夠輕松地增加許多消費和計算產品（例如數碼相機、個人音樂播放器和固態硬碟）的NAND存儲容量。32Gb、34納米的NAND芯片由英代爾和美光公司共同開發，由雙方合資成立的NAND快閃存儲器公司IM Flash Technologies制造。

1Gb、50納米的DDR2芯片尺寸僅為41平方毫米，為客戶提供目前市面上最小的DRAM核心尺寸。在分析產品之后，SI注意到本產品具有他們迄今分析過的最先進的DRAM工藝技術。50納米、1Gb的DDR2由DRAM與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯合開發專案共同開發。

Insight大獎表彰那些通過在半導體行業的設計創新和技術進步實現巨大的技術進步并改變我們生活世界的公司。2009年3月31日，作為TechInsight在圣何塞舉行的嵌入式系統大會（Embedded Systems Conference）的活動之一，在EE Times ACE獎和Insight 獎頒獎典禮上頒發了這些獎項。