IGBT作為電能變換的關鍵部件，是現代科學、工業和國防的重要核心技術。近幾年中國IGBT產業在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到迅速發展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產業鏈，IGBT國產化的進程加快，有望擺脫進口依賴。

　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，為世界公認的電力電子第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”。

　　中國IGBT市場需求大

　　IGBT的特性使其非常適用于軌道交通、智能電網、電動汽車與新能源等戰略性新興產業的應用。軌道交通對IGBT的需求主要是高壓系列，應用在高鐵、干線機車等。高鐵等軌道交通使用的IGBT模塊， 電力機車一般需要500個IGBT模塊，動車組需要超過100個IGBT模塊，一節地鐵需要50-80個IGBT模塊。這些高壓應用領域市場容量還比較有限的，而中低壓方面將支撐起未來IGBT的大發展。電動汽車正出現爆發式增長。IGBT模塊是新能源汽車 電控系統和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車成本的10%， 占到充電樁成本的20%。未來幾年是新能源汽車及充電樁市場將進入爆發期， IGBT作為其核心器件也將迎來黃金發展期。另外，在風電、太陽能等新能源方面也有較大需求，預計每年風力發電領域大概需要32萬只IGBT模塊。

　　圖1 Infineon IGBT 在電動汽車逆變器應用圖

　　2014年全球IGBT市場規模為38.45億美元，預計到2020年市場規模達65億美元，年復合成長為9%。

　　圖2 2014-2020年全球IGBT市場規模

　　中國 IGBT增長空間非常大， 2014年IGBT的銷售額是88.7億元，約占全球市場的1∕3。預計到2020，中國 IGBT將超180億元，年復合成長率為13%。

　　圖3 2014-2020年中國IGBT市場規模

　　中國IGBT市場競爭格局

　　中國是世界最大的功率半導體市場， 占世界市場的50%以上，但中高端MOSFET及IGBT做為功率半導體主流器件，基本被國外廠商壟斷。歐美和日本企業憑借著產品質量好、技術領先，在IGBT市場中占據絕對優勢地位，也是中國IGBT市場的主要供應商。

　　國外研發IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、日立、富士、TOSHIBA、IXYS和APT公司等，其IGBT技術成熟，已實現了大規模商品化生產，IGBT產品電壓規格涵蓋600V-6500V，電流規格涵蓋2A-3600A，形成了完善的IGBT產品系列。其中，西門康、仙童 （Fairchild）等企業在1700V及以下電壓等級的消費級IGBT領域處于優勢地位;ABB、英飛凌、三菱電機在1700V-6500V電壓等級的工業級IGBT領域占絕對優勢，3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術更是被英飛凌、ABB、三菱三家公司所壟斷，它們代表著國際IGBT技術最高水平。

　　近幾年國內IGBT技術發展也比較快，國外廠商壟斷狀況逐漸被打破，已取得一定的突破。主要亮點有：

　　中車集團的株洲時代電氣已建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業生產線，具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現從650V到6500V的全覆蓋。

　　中車集團的西安永電電氣有限責任公司生產的6500V/600A IGBT功率模塊已成功下線，使其成為全球第四個、國內第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。

　　中車集團上海永電電子科技有限公司與上海先進半導體制造股份有限公司聯合開發的國內首個具有完全知識產權的6500V高鐵機車用IGBT芯片通過高鐵系統上車 試驗，實現產品化應用，技術達到世界先進水平，標志著國內機車用高壓、大電流6500V IGBT芯片設計、芯片工藝研發制造技術的重大突破，特別是攻克了6500V IGBT關斷安全工作區，短路工作區等關鍵技術瓶頸。

　　天津中環半導體股份有限公司研制的6英寸FZ單晶材料已批量應用，8英寸FZ單晶材料已取得重大突破。