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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>業界首款全SiC功率模塊問世:開關效率提升10倍

業界首款全SiC功率模塊問世:開關效率提升10倍

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2020-01-06 15:23:481238

出貨100萬 三星業界首EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經出貨100萬業界首10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

德州儀器業界首差分感應開關能夠自動補償溫度變化

“ 德州儀器公司今天推出業界首差分感應開關,其采用雙線圈架構,能夠自動補償溫度變化和元件老化。LDC0851能夠利用印刷電路板(PCB)上的線圈檢測導電材料存在與否。這種獨特的方法實現了低成本
2020-09-11 16:34:493110

DN369 - 業界首開關降壓-升壓型控制器采用單個電感器實現了極高的效率

DN369 - 業界首開關降壓-升壓型控制器采用單個電感器實現了極高的效率
2021-03-21 15:26:524

POWI推出業界首內部集成的汽車級高壓開關IC

標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC。新IC可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業電源應用。
2022-02-15 11:45:531476

PI推出業界首采用SiC MOSFET的汽車級開關電源IC

Power Integrations今日發布兩新器件,為InnoSwitch3-AQ產品系列新添兩符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:122674

Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構造

電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 (例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-01-12 16:35:471139

SiC模塊的特征和電路構成

的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果: 開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化 (例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化) 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化 (例:電抗器或電容等的小型化)
2023-02-07 16:48:231562

何謂SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211334

SiC功率模塊開關損耗

SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:221533

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產品陣容

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“SiC功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“SiC功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134

相移橋電路的功率轉換效率提升:PSFB電路的基本結構

作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移橋電路的功率轉換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用橋電路,尤其是相移橋(以下稱“PSFB
2023-02-13 09:30:056234

相移橋電路的功率轉換效率提升效率的評估

相移橋電路的功率轉換效率提升,針對本系列文章的主題——轉換效率,本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言,本文對Q1~Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。
2023-02-13 09:30:062124

何謂SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“SiC功率模塊”。本文想讓大家了解SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920

SiC功率模塊開關損耗

SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234

如何充分發揮SiC功率模塊的優異性能

首先需要了解的是:接下來要介紹的不是SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中,該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18878

業界首模擬信號10KV高隔離放大器變送器模塊.

業界首模擬信號10KV高隔離放大器變送器模塊.
2022-02-11 15:46:17686

東芝開發出業界首2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071150

美光推出業界首標準低功耗壓縮附加內存模塊

美光科技近日宣布推出業界首標準低功耗壓縮附加內存模塊(LPCAMM2),這款產品提供了從16GB至64GB的容量選項,旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。
2024-01-19 16:20:471222

SiC器件如何提升電動汽車的系統效率

SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現。
2024-03-18 18:12:342390

提升傳統基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

的電力轉換器中,這些通常是全新設計,這一趨勢主要是由于提高光伏逆變器和其他工業電源應用的效率的需求。圖1設計師們現在正在使用市面上可用的高功率SiC電力模塊和驅動器
2024-08-19 11:31:252088

PI推出業界首1700V氮化鎵開關IC

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術制造而成,是業界首1700V氮化鎵開關IC。
2024-11-05 13:40:571066

浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優化電動汽車電機驅動熱管理效率?

提高電機驅動系統的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一SiC器件具有高溫電阻性、低損耗,并且能在高頻下運行。盡管SiC器件已經有
2024-12-09 11:54:521141

使用 SiC 功率半導體提升高性能開關轉換器的效率

作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產品成本并提高效率。然而,有些設計人員可能仍然認為 SiC 半導體相當昂貴且難以控制
2025-01-26 22:10:001253

業界首個華為發布液冷兆瓦級超充 補能效率較傳統快充樁提升近4

在2025華為智能電動&智能充電網絡戰略與新品發布會上,華為正式發布了業界首液冷兆瓦級超充解決方案。不僅僅是充電快,壽命還長,使用壽命長達 10 年。 據悉,華為液冷兆瓦級超充搭載的是華為自主
2025-04-23 16:26:531376

SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產SiC模塊開啟高效能新時代

導通損耗降低57% :15mΩ超低導通電阻(25℃),高溫175℃時僅28mΩ,較IGBT大幅減少發熱。 開關頻率提升5 :支持100kHz高頻開關(IGBT僅20kHz),設備體積縮小40
2025-07-29 09:57:57511

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