Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構造
一、SiC模塊的特征
電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。
由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：
開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化
（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化）
工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
（例：電抗器或電容等的小型化）
主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。
二、SiC電路構造
現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型的模塊。
分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。
審核編輯hhy
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電路
+關注
關注
173文章
6076瀏覽量
178409 -
SiC
+關注
關注
32文章
3721瀏覽量
69405
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器（SST）功率單元
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器（SST）功率單元
解決SiC模塊取代IGBT模塊的最后痛點：基于2LTO驅動技術的SiC模塊短路耐受時間延展
攻克SiC模塊取代IGBT模塊的最后壁壘：基于2LTO驅動技術的SiC模塊短路耐受時間延展研究報告 ——以BASiC BMF540R12MZ
傾佳電子主流廠商碳化硅 (SiC) MOSFET 驅動 IC 產品及其技術特征深度研究報告
傾佳電子主流廠商碳化硅 (SiC) MOSFET 驅動 IC 產品及其技術特征深度研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業
深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
深愛半導體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
發表于 07-23 14:36
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，
SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態均流問題
在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯時，受器件參數、寄生參數等因素影響，會出現動態電流不均的問題，制約系統性能。本章節帶你探究SiC MOSFET模塊并聯應用中的動態均流
國產SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET
電力電子新未來：珠聯璧合，基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊
珠聯璧合，SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯璧合，雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率
SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計
問題，因此，需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻 [7-11] 通過對雙脈沖電路進行仿真和實驗研究，給出了緩沖吸收
發表于 04-23 11:25
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態測試中的應用
MOSFET漏源電壓和柵極電壓
測試難點 ：普通無源探頭和常規差分電壓探頭的寄生參數較大。由于SiC MOSFET具有極快的開關速度（高dv/dt），探頭的寄生電感和寄生電容會與測試電路耦合，導致測得
發表于 04-08 16:00
質量亂象：未通過可靠性關鍵實驗的國產SiC功率模塊應用隱患與后果
質量亂象：未通過可靠性關鍵實驗的國產SiC功率模塊應用隱患與后果 國產SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲能變流器）等電力電子設備中的應用趨勢日益顯著，主要受
中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊
中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC功率模塊供應商的依賴，轉向國產替代產品IGBT模塊和SiC
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、
發表于 03-17 09:59
工商網監
評論