ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。

采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低

組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。

“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）的、SiC-SBD內置型全SiC功率模塊。下圖為與現有產品的關系示意圖。

BSM180D12P3C007的開關損耗與IGBT模塊相比大幅降低，比ROHM現有的IGBT模塊產品也低42%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。

全SiC功率模塊的產品陣容擴充

下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了新產品。今后，ROHM將會繼續擴充并完善產品陣容。

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}

品名	絕對最大額定(Tj=25°C)	RDS (ON) (mΩ)	封裝	熱敏電阻	內部電路圖
VDS (V)	ID (A) (Tc= 60°C)	Tj (°C)	Tstg (°C)	Visol (V) (AC1min.)
NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS)	1200	80	-40 to +175	-40 to +125	2500	34	C type	無
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS)	120	20
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS)	180	10
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS)	120	20
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS)	180	10	E type	有
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS)	300	7.3

由ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊

重點必看

開關損耗更低，頻率更高，應用設備體積更小

審核編輯黃宇