創新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%

　　德州儀器 (TI) 公司采用創新的封裝技術，面向高電流DC/DC應用，推出5款目前業界首個采用封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET （金屬氧化物半導體場效應體晶管）產品系列。

　　TI中國區電源產品業務拓展工程師吳濤表示，此次推出的5款DualCool NexFET 功率 MOSFET產品的突出特點是，在標準封裝尺寸下，能夠顯著降低上表面和下表面熱阻，實現雙面冷卻的效果。將散熱效率提升 80%、并可將MOSFET允許電流提高 50%。

　　吳濤介紹說，DualCool NexFET功率 MOSFET 的主要特性和優勢表現為：一、作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET，采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開關需求；二、增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10°C/每瓦 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升80%；三、高效的雙面散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；四、業界標準 5 mm×6mm SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5mm×6mm封裝相比，可節省30mm2的空間。

　　另據了解，TI不久前收購了總部位于賓夕法尼亞州伯利恒的高頻率高效率電源管理半導體領先設計商 CICLON 半導體器件公司。吳濤告訴記者，CICLON公司面向重要的節能市場具有一流的MOSFET IP,在節能、高效和電源系統設計方面有獨特的創新技術，采用 CICLON 業界先進電源管理技術的設計人員可將電源系統的工作頻率進行倍頻，實現高達 90% 以上的效率，而封裝外形則比當前電源縮減了20%。該公司名為NexFET 的MOSFET 技術，比傳統的平面構造和溝道構造的MOSFET來講，可通過大幅減少柵極電荷，降低導通電阻，在同樣單位面積情況下，可增加MOSFET密度，從而達到節能的效果。

　　TI的高性能模擬產品和電源管理產品居業界領先地位，此次收購CICLON公司，將為TI敲開高電流功率 MOSFET 領域的大門。吳濤說，TI以前的TAM僅為1.50美元價值，收購了CICLON后，特別是進入低壓FET領域，TI就可以提供一個整體的解決方案，其TAM會增加到4.50美元。業界分析人員認為該市場前景有望達到數 10 億美元。