功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說(shuō)明.
2022-05-19 09:08:06
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飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問(wèn)題。單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間
2013-05-02 15:18:551702 
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當(dāng).
2016-08-08 16:58:412168 傳導(dǎo)至散熱器，再由散熱器向外界環(huán)境散熱。根據(jù)FCBGA封裝的結(jié)構(gòu)特性和相關(guān)研究表明，約90%以上的熱量是通過(guò)封裝頂面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱器進(jìn)行散熱。因此，為提高芯片散熱效率，需要盡量減少芯片晶圓到外界環(huán)境的散熱熱阻。
2023-04-14 12:31:535488 碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過(guò)頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng)，面向電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)
2025-07-08 00:55:003494 
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來(lái)極高的效率
2023-09-08 06:00:53
；集成軟啟動(dòng)（減弱熱拔插浪涌與輸出過(guò)沖）、熱保護(hù)、輸出短路保護(hù)及電流限制，容錯(cuò)性?xún)?yōu)異；內(nèi)置輸入線(xiàn)路電壓補(bǔ)償與高帶寬環(huán)路，輸出電壓精度達(dá)±3.5%。
寬應(yīng)用適配：支持低至 3.3V 輸出電壓，采用 ESOP-8 封裝，底部功率散熱焊盤(pán)連接 VIN 及內(nèi)置 MOS 漏極，增強(qiáng)散熱效率。
2025-08-08 14:57:48
和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來(lái)解決散熱的問(wèn)題，如在PFC應(yīng)用、電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級(jí)同步整流
2017-11-15 08:14:38
有的文獻(xiàn)說(shuō)mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說(shuō)法
2017-02-22 18:19:40
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來(lái)自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
Vac時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了與之一致的效率提升。 圖5. 在110 Vac 輸入電壓條件下，TO247 4引腳封裝MOSFET與TO247封裝MOSFET的PFC效率對(duì)比。測(cè)試條件：Ext. Rg=5 Ω，開(kāi)關(guān)頻率
2018-10-08 15:19:33
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無(wú)鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿(mǎn)足
2012-04-28 10:21:32
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)噪音、免維護(hù)，特別是沒(méi)有運(yùn)動(dòng)部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件。 2、強(qiáng)制空氣冷卻 強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱特點(diǎn)是散熱效率
2012-06-19 11:35:49
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)噪音、免維護(hù)，特別是沒(méi)有運(yùn)動(dòng)部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件。 2、強(qiáng)制空氣冷卻 強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱特點(diǎn)是散熱效率
2012-06-20 14:36:54
逐步走入市場(chǎng)。這種功率型的LED一般是將發(fā)光芯片放在散熱熱沉上，上面裝配光學(xué)透鏡以達(dá)到一定光學(xué)空間分布，透鏡內(nèi)部填充低應(yīng)力柔性硅膠。功率型LED要真正進(jìn)入照明領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)家庭日常照明，其要解決的問(wèn)題還有
2011-12-25 16:17:45
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
MUN12AD03-SEC是一款非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器，適配多種需要穩(wěn)定、高效電源供應(yīng)的電子系統(tǒng)。MUN12AD03-SEC的封裝設(shè)計(jì)在提高散熱效率、降低模塊溫度、提高模塊可靠性和性能方面起著
2025-05-19 10:02:47
標(biāo)準(zhǔn)(與線(xiàn)性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過(guò)芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來(lái)不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開(kāi)關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話(huà)，發(fā)熱就會(huì)少，因此也與可使用的IC封裝種類(lèi)和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個(gè)課題小型化對(duì)吧。進(jìn)一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴(lài)于元件
2019-04-29 01:41:22
;/p><p>ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過(guò)壓、過(guò)流及過(guò)溫保護(hù)集成于一個(gè)高散熱效率封裝，為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護(hù)，有助于減少元件
2009-01-07 16:01:44
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器、面向上側(cè)驅(qū)動(dòng)的自舉二極管、交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)和欠壓鎖定。3. 散熱效率由于像IGBT這樣的器件工作在較低溫度可減小器件上的應(yīng)力，因此封裝的散熱性能與其可靠性存在內(nèi)在聯(lián)系（圖2）。由于溫度
2020-12-01 15:40:26
，可以將高功率POL模塊調(diào)節(jié)器放在較小的PCB空間中，但更重要的是，可以實(shí)現(xiàn)效率冷卻。LTM4636是從這種堆疊式封裝技術(shù)受益的第一個(gè)μModule調(diào)節(jié)器系列。作為一款以堆疊式電感作為散熱器的40 A
2019-07-22 06:43:05
效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來(lái)解決散熱的問(wèn)題，如在PFC應(yīng)用、電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級(jí)同步整流等
2019-04-04 06:30:00
層、導(dǎo)通孔的制備都面臨挑戰(zhàn)，良品率不高。目前雖有一些***企業(yè)開(kāi)發(fā)出LED硅基板并量產(chǎn)，但良品率不超過(guò)60%。陶瓷封裝基板：提升散熱效率滿(mǎn)足高功率需求配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體，DPC顯著提升了散熱效率
2020-12-23 15:20:06
功耗更大，而設(shè)備供應(yīng)商則在憑借更快、更小、噪聲更低、效率更高的創(chuàng)新相互比拼。新型數(shù)字技術(shù)能力超群、令人振奮，但背后仍然存在模擬和電源技術(shù)角力，以在封裝更小的情況下提供更大功率，同時(shí)最大限度減小對(duì)系統(tǒng)總體
2018-10-16 06:10:07
“免費(fèi)”冷卻機(jī)會(huì)，用來(lái)去除?MOSFET?、電感器等發(fā)熱組件產(chǎn)生的熱量。
將熱量從封裝內(nèi)部引導(dǎo)到封裝頂部并擴(kuò)散到空氣中
大功率開(kāi)關(guān) POL 穩(wěn)壓器靠電感器或變壓器將輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓
2018-10-16 06:31:24
源吸收熱量。吸熱部分吸收的熱量通過(guò)散熱器排到設(shè)備外面。水冷散熱充分利用了液體的比熱容大于空氣的優(yōu)勢(shì)，從而使散熱效率更高。此外，安靜的工作狀態(tài)，綠色穩(wěn)定的特點(diǎn)也深受信賴(lài)。大功率的發(fā)射機(jī)在數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用上
2018-11-28 15:47:02
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產(chǎn)生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達(dá)到10%一
2013-06-08 22:16:40
我們?cè)诋?dāng)前的設(shè)計(jì)中遇到了 IC 控制器的溫度問(wèn)題（高溫）。對(duì)于如何在通用的同步降壓概念設(shè)計(jì)方案中提高 IC 控制器（集成開(kāi)關(guān)）的散熱效率，有人可以提供建議？
2019-06-27 11:19:03
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說(shuō)明如何計(jì)算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過(guò)分析一個(gè)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2021-01-11 16:14:25
問(wèn)題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能。此外，多功能集成封裝技術(shù)以及先進(jìn)的散熱技術(shù)在提升功率密度等方面也起著關(guān)鍵作用。本文重點(diǎn)就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
的 TPS40170 同步降壓控制器。 關(guān)于 NexFET 功率 MOSFET TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可提升高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率
2018-11-29 17:13:53
熱力學(xué)的基本規(guī)律揭示出沒(méi)有電子設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)100％的效率——雖然開(kāi)關(guān)電源比較接近（達(dá)到98％）。但不幸的是任何產(chǎn)生RF功率的器件目前都無(wú)法達(dá)到或者接近理想的性能，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">將直流功率轉(zhuǎn)換為射頻功率過(guò)程中
2017-08-29 10:19:12
解決515.08W/cm2的熱源散熱，而傳統(tǒng)純水冷板、金剛石鋁與金剛石銅的散熱效率僅為81.35W/cm2、161.16W/cm2和234.24W/cm2，分別提升533.16%、119.89%和219.61
2024-05-29 14:39:57
效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動(dòng)時(shí)間及軟啟動(dòng)前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設(shè)計(jì)可通過(guò)夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
Grant and S. Fletcher.。幸運(yùn)的是，經(jīng)過(guò)連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級(jí)，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見(jiàn)AB類(lèi)級(jí)別更高級(jí)的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠(chǎng)或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
描述PMP10319參考設(shè)計(jì)是極具熱效率的緊湊型設(shè)計(jì)，旨在對(duì)廣泛的交流輸入（85VAC 至 265VAC）進(jìn)行降壓。此非隔離式降壓設(shè)計(jì)整合了 UCC28710 PSR 控制器
2022-09-22 08:53:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來(lái)校核功率MOSFET的結(jié)溫，通常可以增大散熱器，提高器件通過(guò)電流的能力。底部沒(méi)有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來(lái)校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
效應(yīng)封裝、更高的散熱效率以及多芯片封裝解決方案。WBG 器件的高效率功率轉(zhuǎn)換性能外加封裝的更高散熱效率，將實(shí)現(xiàn)高能效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。我們知道，封裝有助于提高能效，但是什么是封裝技術(shù)人員與裝配制造工程師實(shí)現(xiàn)
2018-09-14 14:40:23
／高功率／高速器件，其將充分滿(mǎn)足工業(yè)及樓宇自動(dòng)化、能源生成與配送以及汽車(chē)等市場(chǎng)領(lǐng)域的需求。封裝技術(shù)中的多芯片模塊／系統(tǒng)將增強(qiáng)這些應(yīng)用的封裝與系統(tǒng)級(jí)集成。能源效率是當(dāng)前乃至以后眾多應(yīng)用的重要要求…
2022-11-22 06:32:07
電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計(jì)0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶(hù)體驗(yàn)，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運(yùn)行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)洌辉龃?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-03 07:23:53
，再通過(guò)風(fēng)扇強(qiáng)制對(duì)流散熱。多熱管設(shè)計(jì)可進(jìn)一步提升導(dǎo)熱效率，滿(mǎn)足高端顯卡的散熱需求。 3. 均熱板（Vapor Chamber, VC）均熱板可視為二維擴(kuò)展的熱管，其內(nèi)部腔體通過(guò)蒸發(fā)-冷凝循環(huán)實(shí)現(xiàn)
2025-03-20 09:39:58
密度。以MOSFET取代二極管，可以彌補(bǔ)上述不足。SuperSO8與TO-220封裝型式的效率比較請(qǐng)參見(jiàn)圖3。僅僅采用SuperSO8封裝代替TO-220封裝，就可以將效率提高0.4%，相對(duì)于功率損耗降低
2018-12-07 10:23:12
那里，因?yàn)殡姾珊碗娙菔枪潭ǖ摹Ｗ?MOSFET 開(kāi)關(guān)需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須以高電流驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計(jì)算隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將
2022-11-02 12:02:05
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類(lèi)似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
文章論述了大功率LED封裝中的散熱問(wèn)題，說(shuō)明它對(duì)器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對(duì)光效和壽命的影響。對(duì)封裝及應(yīng)用而言，
2010-10-22 08:53:33
136 MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型Zetex 新款無(wú)鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02688 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31555 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:491194 喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率
近年來(lái)，尖端FPGA的功能快速發(fā)展到了前所未有的高度。但不幸的是，功能方面的快速發(fā)展也隨之加大了對(duì)散熱的需求。因
2010-03-03 11:26:131974 
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫?b class="flag-6" style="color: red">效率的提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421581 
過(guò)去LED只能拿來(lái)做為狀態(tài)指示燈的時(shí)代，其封裝散熱從來(lái)就不是問(wèn)題，但近年來(lái)LED的亮度，功率皆積極提升，并開(kāi)始用于背光與電子照明等應(yīng)用后，LED的封裝散熱問(wèn)題已悄然浮現(xiàn)。上述
2012-05-07 11:59:151612 
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01944 
在大屏幕電視中，要求在諧振電源內(nèi)使用表面黏著MOSFET取代帶散熱器的輸出二極管。不過(guò)，由于時(shí)序復(fù)雜性、成本和現(xiàn)有同步整流器解決方案欠佳的表現(xiàn)，迄今為止，采用這一替代方案的數(shù)量非常有限。本文將揭示自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案如何提升電源轉(zhuǎn)換效率。
2018-07-10 13:32:001627 
兩個(gè)風(fēng)扇不但造型重新設(shè)計(jì)，還支持異步運(yùn)行，可分別根據(jù)GPU核心溫度、供電區(qū)域／顯存溫度運(yùn)轉(zhuǎn)在不同的速度上，可提高散熱效率并降低噪音。
2018-07-09 10:54:001348 電源系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
PowerPAD?熱增強(qiáng)封裝提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性，并提高了在標(biāo)準(zhǔn)尺寸器件封裝中的熱效率。PowerPAD包的改進(jìn)性能允許更高的時(shí)鐘速度，更緊湊的系統(tǒng)和更積極的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。PowerPAD軟件包在幾種標(biāo)準(zhǔn)的表面安裝配置中是可用的。
2018-05-03 14:37:0019 將量子點(diǎn)灌注至玻璃容器的設(shè)計(jì)，使量子點(diǎn)維持以液態(tài)的方式，有效提升發(fā)光效率與散熱效果，可達(dá)到NTSC 120% 與Rec. 2020 90%的廣色域表現(xiàn)。
2019-10-09 14:24:214804 
近年來(lái)，隨著油耗排放法規(guī)的日益嚴(yán)苛，提升壓縮比成為提高發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率的重要技術(shù)措施，但壓縮比越高，在大負(fù)荷工況下發(fā)生爆震的可能性也越大。發(fā)動(dòng)機(jī)噴水技術(shù)則可以通過(guò)向進(jìn)氣歧管或者缸內(nèi)噴水來(lái)降低進(jìn)氣溫度，從而降低整個(gè)工作循環(huán)的溫度，有效抑制爆震的發(fā)生，因此是一種有效提升發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率的技術(shù)。
2020-06-18 14:29:213786 
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 板式換熱器的應(yīng)用非常廣泛，可以說(shuō)在很多行業(yè)的廠(chǎng)家都能看到換熱器的身影，板式換熱器具有傳熱拆卸方便，體積小的特點(diǎn)。但是對(duì)于用戶(hù)來(lái)說(shuō)，安裝完換熱器以后，怎樣提升它的換熱效率，較大程度的發(fā)揮它的價(jià)值，估計(jì)
2020-09-03 14:21:555061 。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:023163 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
。 大功率LED燈具的熱管理主要包括3個(gè)方面：芯片級(jí)、封裝級(jí)和系統(tǒng)集成散熱級(jí)。其中，芯片是主要的發(fā)熱部件，其量子效率決定發(fā)熱效率，襯底材料決定芯片向外傳熱效率；對(duì)封裝而言，封裝結(jié)構(gòu)、材料以及工藝直接影響散熱效率；系統(tǒng)集成散熱
2021-01-12 14:35:043953 一臺(tái)好的發(fā)動(dòng)力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因?yàn)榘l(fā)動(dòng)機(jī)熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價(jià)節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實(shí)意義。
2021-03-02 10:06:252129 一臺(tái)好的發(fā)動(dòng)力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因?yàn)榘l(fā)動(dòng)機(jī)熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價(jià)節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實(shí)意義。
2021-03-02 10:52:042651 ，遠(yuǎn)超目前國(guó)內(nèi)行業(yè)熱效率水平，處世界先進(jìn)水平，前瞻技術(shù)研究成果未來(lái)將應(yīng)用于新一代混動(dòng)專(zhuān)用發(fā)動(dòng)機(jī)。 事實(shí)上，此次并非吉利汽車(chē)在發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率領(lǐng)域的首次突破。近年來(lái)，吉利汽車(chē)一直深耕于混動(dòng)高效發(fā)動(dòng)機(jī)效率提升的技術(shù)研究。從2017年率
2021-05-13 10:44:592927 電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計(jì)0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶(hù)體驗(yàn)，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運(yùn)行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)洌辉龃?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-11 13:37:0717 電源封裝發(fā)展提升能源效率
2022-11-04 09:52:220 相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升，針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言，本文對(duì)Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。
2023-02-13 09:30:062124 
未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小
2023-03-10 21:50:042468 總之，芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機(jī)器設(shè)備的正常運(yùn)行和可靠性
2023-06-08 17:34:261799 
有沒(méi)有什么辦法能讓發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現(xiàn)有水平的一倍，燃油車(chē)的未來(lái)又會(huì)是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:231899 
隨著汽車(chē)行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車(chē)對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:511355 
發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率，是指發(fā)動(dòng)機(jī)有效功率的熱量與單位時(shí)間所消耗燃料的熱量比值。簡(jiǎn)單來(lái)理解就是燃油燃燒后產(chǎn)生的能量有多少轉(zhuǎn)變成了汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)力。
2024-02-29 14:31:373229 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何設(shè)計(jì)散熱效率高的集成BLDCM電機(jī)驅(qū)動(dòng)PCB.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-29 09:59:550 現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開(kāi)關(guān)頻率以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對(duì)較低的門(mén)電荷，使其非常適合中高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。這種較低的門(mén)電荷減少了驅(qū)動(dòng)電流的要求，從而
2024-11-26 11:17:051309 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
2024-12-16 14:09:09578 DOH：DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果
2024-12-24 06:41:261405 
封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級(jí)集成演進(jìn)，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過(guò)特定工藝封裝于保護(hù)性外殼中的技術(shù)，主要功能包括： 物理保護(hù)
2025-04-16 14:33:342238 ，散熱效率比風(fēng)冷提升50%，支持單機(jī)柜15kW+功率密度，PUE降至1.2以下，并實(shí)現(xiàn)余熱回收利用。 高風(fēng)壓風(fēng)機(jī)系統(tǒng)?：針對(duì)復(fù)雜風(fēng)道環(huán)境，采用靜壓200-500Pa的風(fēng)機(jī)，穿透服務(wù)器內(nèi)部密集組件（如NPU加速器），氣流速度提升30%-50%，有效消除局部熱點(diǎn)。 冗余散
2025-06-09 09:19:38662 
。其核心器件——MOSFET，在設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點(diǎn)和提升效率的設(shè)計(jì)技巧。一、同步整流的基本原理傳統(tǒng)整流使用二極
2025-07-03 09:42:30753 
與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級(jí)，標(biāo)志著我國(guó)在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國(guó)際先進(jìn)行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過(guò)將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019764 
當(dāng)AI技術(shù)芯片的功耗和熱量不斷攀升，散熱成為技術(shù)進(jìn)步新瓶頸。微軟最新研發(fā)的微流體冷卻系統(tǒng)突破傳統(tǒng)冷板限制，將液體冷卻劑直接引入芯片內(nèi)部，散熱效率提升最高3倍。這項(xiàng)技術(shù)不僅顯著降低溫升與能耗，還為3D芯片架構(gòu)和更高密度的數(shù)據(jù)中心鋪平道路，標(biāo)志著AI技術(shù)算力基礎(chǔ)設(shè)施邁向更高效、更可持續(xù)的新階段。
2025-11-17 09:39:35534
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