美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。
2024-03-28 10:01:092465 
科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮流電阻設計，開發出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸。
2020-03-19 07:40:001214 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:002039 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
中國上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734 
---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:402087 
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導通損耗降低了50%，開關損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實現更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優異的半導體性能，在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品，具有極高的工作效率，性能優越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術應用打造
2025-06-25 09:13:14
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
效率方面，相較于硅晶體管在單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓，碳化硅即便是在高電壓條件下，一樣可以支持單極操作，因此其功率損失、轉換效率等指針性能的表現，也顯著優于硅組件。目前大功率電力設備
2021-09-23 15:02:11
的整體系統尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
EMI;（3）碳化硅肖特基二極管 的QC更小，PFC開關頻率提升時，使用碳化硅肖特基二極管可以顯著提升整機效率。 方案二：主開關管選擇的碳化硅MOSFET器件，碳化硅MOSFET相對于IGBT或超結
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
進一步減小死區提高效率，本方案最高效率達到98.4%；碳化硅MOSFET驅動電荷Qg只有硅650VMOSFET的10%，減小了開關驅動損耗，能實現更高頻率工作，該方案最高工作頻率為400KHZ（圖15、16）
2016-08-05 14:32:43
，工作結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發周期，提高工作效率。 產品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅動回路和功率回路的寄生電感參數。阿肯色大學則針對碳化硅芯片開發了相關的 SiC CMOS 驅動
2023-02-22 16:06:08
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優勢明顯，簡化拓撲，實現高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
MOSFET 的單通道驅動核，可以驅動目前市面上大部分 1700V 以內的單管碳化硅 MOSFET， 該驅動核設計緊湊，通用性強。 3、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發的單通道
2023-02-27 16:03:36
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關速度明顯更快，可在功率轉換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 中國，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉換與智能運動（PCIM）展的開幕。
2017-05-26 14:43:591503 Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略
2018-03-18 09:19:004275 全球電路保護領域的領先企業Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅（SiC） n通道增強型
2018-03-19 09:55:276573 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:2910826 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174501 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-19 16:11:224353 
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率
2021-03-01 12:16:023163 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:401244 
）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導體市場的焦點。借此契機，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:234507 
Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。 Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用
2021-08-12 11:14:192458 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:532203 相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584653 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2022-12-01 10:23:192335 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種
2023-02-20 15:46:15
0 、900V、1200V、1700V，當然還有超高壓3300V，目前正在研發中，主要應用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控，電源、工控、空調等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:542465 
MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:152612 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24797 
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2023-08-31 17:40:071150 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:322086 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現更小尺寸的產品設計和更高的效率。
2023-12-11 11:48:244872 
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:191402 近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，
2024-04-11 09:22:271998 
在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導中心再度展現了其技術實力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司現推出業界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式發布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs產品系列，為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化，將應用于AI數據中心電源、車載充電器（OBCs）、電動汽車超級充電樁以
2024-06-11 15:46:171561 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
東芝兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A
2024-12-17 15:43:30635 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281107 Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401019 
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301342 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步，具體體現在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產品的推出旨在滿足日益增長的工業電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創新不僅將
2025-07-15 09:58:39918 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03981 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-11-03 11:26:47447 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05416 
作為碳化硅 (SiC) 行業全球引領者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術平臺與 1200V 工業級、1200V 車規級產品系列，重新定義功率半導體器件的性能和耐久性，旨在為高功率應用在實際應用中帶來突破性的性能表現。
2025-12-22 17:32:00409
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