定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。
2025-02-19 11:35:41
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該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:002040 東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:214541 
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
采用的三電平電路，用兩個600V的Mosfet串聯，來解決高母線電壓帶來的MOS管應力問題。 其次是高壓下的開關損耗很大，使得我們必須選擇軟開關的電路拓撲。LLC變換器可以在全負載范圍內實現ZVS，使
2018-10-17 16:55:50
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關，同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結構現在正在量產的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
的一半。開關損耗是另一個可以優化的部分，如［3］所示。為了驅動 ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅動器。STGAPxx MOSFET驅動器有兩種不同的規格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關損耗比硅快速恢復二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩定實現器件的正反切換，提高產品的效率和降低產品噪音，同時易于改善EMI。 以下測試結果
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導通損耗對溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統的Si器件也有很大差別。4) 開關速度快SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
模塊的可靠性和耐用性。低電感設計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統中的電感效應，提高功率轉換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
可以減小內部源極布線的電感，從而允許MOSFET實現高開關頻率。TO263-7L采用7引腳封裝，采用開爾文連接，適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝，中間沒有引腳，以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
封裝還是TO-247-4引腳封裝。 圖5. 在800V、15A和150°C時，不同1200V碳化硅MOSFET技術能實現的最小導通開關損耗。被測器件的標稱通態電阻為60-80mΩ，在柵極電壓18
2023-02-27 13:53:56
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統的尺寸明顯縮小。至于在轉換
2021-09-23 15:02:11
，航空業最近經歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
的整體系統尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的效率也會更高。當客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關管后，通常也會愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導通損耗
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導致開關損耗增加和系統效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產品的優點，采用JBS結構，優化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。 圖（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的結電容更小，柵極電荷低，因此，開關速度極快，開關過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開關損耗顯著降低，但傳統封裝中雜散電感參數較大，在極高的 di/dt 下會產生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復時間(trr)及反向恢復電荷(Qrr)從而降低二極管開關損耗及操聲,便于實現LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引腳封裝，也是基于這樣的背景，旨在在使用了SiC功率元器件的應用中，進一步降低損耗。這里有一個注意事項，或者說是為了有效使用4引腳封裝產品而需要探討的事項。前面提到
2020-07-01 13:52:06
異的高溫和高頻性能。
案例簡介：SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數，從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
2025-04-08 16:00:57
；業界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用第三代堅固技術；提供業界最低的開關損耗和最高的品質因數。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器
2022-05-24 21:52:50
；業界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用第三代堅固技術；提供業界最低的開關損耗和最高的品質因數。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器
2022-05-24 21:59:02
相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355265 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-19 16:11:224353 
引腳的 4 引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低 35%左右。此次，針對 SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會社的應用工程師。
2020-11-25 10:56:0030 東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:401244 
東京——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30:262646 ）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導體市場的焦點。借此契機，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:234508 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:181670 
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:223469 
具有優異的高頻特性，在高頻應用中，傳統的TO-247封裝會制約其高頻特性。瑞森半導體因應客戶需求及為進一步提升碳化硅MOS性能，特開發出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產品。 ?
2023-02-20 16:02:420 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16742 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:152615 第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機，將會比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:361004 器件用于開關損耗和浪涌電壓，可降低開關損耗高達92%。半導體碳化硅功率器件功耗顯著降低，設備發熱量大大降低，進一步簡化了設備的冷卻機構，減小了設備的體積，大大降低
2021-12-07 10:36:021184 
SICMOSFET作為第三代半導體器件，以其卓越的高頻高壓高結溫低阻特性，已經越來越多的應用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅動碳化硅MOSFET，發揮SICMOSFET的優勢，盡可能降低
2022-11-30 15:28:285428 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:322086 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富，提供優異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002172 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:342163 
說到減少碳化硅MOSFET開關損耗，完全有可能，但讓電力模塊在運行時保持高開關速度，那可不是一件輕松的事。
2024-04-17 13:46:16889 
第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447 
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應用的能效 ? 新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50% 該平臺采用
2024-07-22 11:31:49466 碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統效率，更適合應用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優良特性，需要通過模塊封裝以及驅動電路系統，才能得到完美展現。
2024-10-16 13:52:058145 
近日，碳化硅技術領域的全球領軍企業Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術平臺。該平臺在設計之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應用帶來突破性的性能表現。 作為碳化硅技術
2025-02-17 10:28:44943 功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比，碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗，因此碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備小型化
2025-05-16 15:41:40374 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141298 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03983 
Wolfspeed 宣布推出最新的工業級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發，為硬開關應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:13:27565
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