【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
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【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G?600 V 15 A新產品，進一步擴展其
2022-05-10 17:38:123600 
），進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產品陣容。該PPI專為輸配電應用而設計，是大電流模塊化多電平轉換器（MMC）、中壓驅動器、直流電網斷路器、風電變流器和牽引系統的理想選擇
2022-05-30 16:44:423478 
ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產品又提高了25%，有助于進一步提高開關電源的效率。
2024-08-09 15:21:4114329 
瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:282027 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產品家族針對所有標準封裝實現了一流的通態電阻RDS（on）。另外，得益于低開關損耗，還可在任何負載條件下實現能效改進。
2013-05-20 11:31:282996 12月1日起，尼吉康株式會社開始提供可在國內外的主要CAD軟件上使用的“3DCAD*１數據（STEP文件格式及IGES文件格式）”。至此，能夠進一步實現高效率的電路設計，為縮短設計時間和實現高品質設計做出貢獻。
2017-11-30 09:37:458942 LabVIEW 2019 和 LabVIEW NXG 提供簡化的安裝程序和更好的互操作性，幫助工程師進一步提高工作效率。
2019-06-17 14:54:074314 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001692 新款 CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:472291 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共
2023-11-03 11:40:491464 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:491311 
晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及
2024-11-20 18:27:291134 
：“英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發展，致力于進一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件，我們能夠將三種應用整合到一個系統中，向著綠色能源的發展目標邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
及設備用電安全的需要，更進一步提高電源的可靠性，及時發現供電隱患，提高設備的運行壽命，對電源進行在線管理已經成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標準，已經無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解。
2019-07-18 06:12:00
提高開關電源的效率一直是開關電源設計者不懈的追求。要進一步提高開關電源的效率首先應該知道開關電源的損耗產生自哪里，哪一部分損耗可以減小，哪一部分損耗基本上不能減小，采用何種方式是最有效、最實際的減小
2016-06-12 12:39:36
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現更高的開關頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
降壓型轉換器的電氣原理圖LTC7803如何提高效率和EMI標準合規性
2021-03-11 06:25:16
SOP位移傳感器防水功能將進一步提高位移傳感器應用的行業越來越廣，使用的環境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
keil5提高效率的技巧：1.編寫程序時右鍵點擊即可快速添加頭文件。2.固定模板可以在“Templates”中寫入，使用時可直接引用。3.模塊化編程，即編寫頭文件，之前的博客有提到，這里不再贅述。...
2022-01-12 07:53:28
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
在實際的應用電路中，二極管和晶體管因其特性和性能不同而需要區分使用。在電源類應用中區分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC（功率因數改善）的一個例子，即利用二極管的特性差異來改善臨界模式
2018-11-27 16:46:59
的例子中，開關損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內實現97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時與IGBT相比效率提高3%，可進一步降低車載和工業設備應用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
單片機驅動LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
上升、Ron增加、故芯片溫度進一步上升的“熱失控”狀態。而Hybrid MOS即使在高溫狀態下，Ron及Ron的變動非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A條件下的比較中，Ron換算結果減少達62%。在
2018-11-28 14:25:36
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數為
2022-12-29 17:36:43
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統成本。此外，次級側整流器可實現零電流轉換，大大減少了反向恢復損耗。利用LLC拓撲結構的各項優勢，可進一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
本應用指南介紹了使用 UCC28056 優化過渡模式 PFC 設計以提高效率和待機功耗的設計決策。
2021-06-17 06:52:09
方法限制了從一個逆變器單元到另一個逆變器單元的設計靈活性和優化，在某些拓撲中，在單個逆變器單元內也是如此。適用于不同工作頻率的IGBT有助于提高效率戴通的新產品展示了提供針對不同工作頻率進行優化的IGBT
2023-02-27 09:54:52
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
網絡時間協議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
無線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
第二十章提高效率技巧1. 利用GVIM制作模板http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359
2015-11-07 09:22:06
級放大再加給AD7714時，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號，該信號相對來說很穩定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進一步提高AD7714的分辨率啊？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
如何進一步減小DTC控制系統的轉矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
提高了50V，達到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態特性
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關性能。通過提高開關速度，可降低開關損耗并提高效率。最后列出了這三個系列相關技術信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進一步
2018-12-03 14:27:05
卡套管的使用有助于提高效率并達到更合格的標準
Enhancing Efficient and Reaching Higher Standard by using Clip Tubes
2009-03-14 17:26:09
11 一種提高效率和減小電壓紋波的電荷泵:提出了一種經穩壓后的電荷泵架構，通過改進傳統四相位電荷泵的輸出級使效率提高了5%，通過改進傳統的控制時鐘方案使輸出電壓紋波降低
2009-12-14 09:41:1521 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002707 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反
2018-05-18 09:04:002436 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率
2021-03-01 12:16:023163 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:203459 
AN144-通過靜默交換機設計降低EMI并提高效率
2021-05-07 15:27:556 開關電源如何提高效率？ 1.增大高壓電容容量。 2.加強變壓器制作工藝，減小漏感。 3.增大分壓取樣電阻阻值， 4.增大LED供電電阻值， 5.減少輸入熱敏電阻阻值.
2021-06-17 11:45:1716 深成科技：深圳圓柱電池分選機怎么提高效率？
2021-12-28 17:54:08906 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:240 Nexperia的LFPAK88不使用內部焊線，減小了源極引腳長度，從而最大程度地減少在開關過程中產生的寄生源極電感，以此提高效率。 無引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優點，但它們也存在很大的缺陷，這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:031355 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:311477 
電子發燒友網站提供《NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》資料免費下載
2023-08-30 10:36:070 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:061085 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:561465 
英飛凌IGBT單管命名規則
2023-11-23 09:09:352305 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:021808 BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設計技巧 設計高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費和提高系統功耗，以下是一些設計技巧： 1. 選擇高效率的功率轉換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:381517 
碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:261841 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:192224 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
電子發燒友網站提供《取得平衡：可提高效率并控制EMI的汽車設計.pdf》資料免費下載
2024-08-28 11:58:110 電子發燒友網站提供《D類放大器中用于提高效率的 Y 橋應用說明.pdf》資料免費下載
2024-09-13 11:03:480 森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能，在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162 
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46839 電子發燒友網站提供《AN144-通過靜音開關設計降低EMI并提高效率.pdf》資料免費下載
2025-01-12 11:20:280 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
隨著便攜儲能、新能源及工業電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統的核心開關器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
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