揚杰科技推出IGBT PIM模塊產品，分別有P2、P3兩款封裝外形，1200V，電流10A~35A，芯片參數穩定，一致性優異
2020-07-22 14:42:19
3132 ，IGBT、超結MOSFET等中高壓產品也受到了更多關注，不過面對第三代半導體在新能源領域的強勢沖擊，未來增速面臨放緩跡象。 ? 然而在低壓領域的硅基MOSFET市場，SGT MOSFET正在獲得快速增長。SGT MOSFET在性能上帶來了新的升級，并逐步取代傳統的Trench（
2024-08-02 00:13:0011133 
電子發燒友網綜合報道 200V低壓MOSFET數據中心電源、BLDC電機驅動、新能源等領域應用廣泛，在低壓領域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優勢，正在獲得快速增長，逐步取代傳統
2025-07-12 00:15:003191 ? ? 電子發燒友網綜合報道，揚杰科技是集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）的廠商。公司已經推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊
2025-08-11 08:08:005286 壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數：100V35A內阻：22mR（VGS=4.5V）結電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
SGT100A羅德與施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯系人：譚會平
2021-08-06 09:35:51
HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V、SGT工藝】
HGK075N10L 是一款面向中低壓功率場景的N 溝道 SGT 工藝
2025-11-17 14:04:46
倒計時！就在明天！大咖打call 第二彈！OpenHarmony開源大師兄新品發布會，6月30日10:00重磅開啟。立即報名：OpenHarmony開源大師兄新品發布會
2022-06-29 13:59:54
R&S羅德SGT100A回收射頻信號源供應熱線：***供應VX號：15015200707供應QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
德國羅德與施瓦茨SGT100A/SGS100A射頻信號源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯系人：劉*** V：18025446127座機號：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德國羅德與施瓦茨SGT100A矢量射頻信號源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯系人：劉*** V：18025446127座機號：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型號：惠海半導體HG012N06LMOS管參數：60V50A（50N06）內阻：11mR（VGS=10V）結電容：550pF 類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-08-29 14:51:46
全國回收SGT100A、高價收購R&S SGT100A信號發生器本公司大量回收二手儀器上門回收現金回收高價回收無論你在哪，只要你想賣，一個電話，我們上門回收！R&S?SGT100
2018-11-23 16:33:09
如題，最近國產的rsic-v的mcu有什么新品發布。那種超低功耗的！
2024-04-13 07:58:52
20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:20
23 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 8月22日，揚杰科技發布其2019年上半年業績報告。數據顯示，2019年上半年揚杰科技實現營業收入8.91億元，同比增長1.50%；實現歸屬于上市公司股東的凈利潤8660.49萬元，同比下降44.44%。
2019-08-25 11:11:453172 由揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）主辦的共創共享，合作雙贏||揚杰科技充電樁功率器件解決方案推介會在深圳JW萬豪大酒店正式召開。
2020-07-27 11:10:032633 揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）首次亮2020（第二屆）半導體大會。
2020-08-26 17:16:041494 產品特點
1、優異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
的電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結構及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內生長厚的屏蔽電極介質層，同時Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0731772 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。
2021-01-22 08:41:4211404 揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:342714 
NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:342966 
NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232635 
NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003102 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243 
展會，揚杰科技盛裝亮相，現場豐富的半導體分立器件產品系列在各應用端的解決方案，吸引了全國各地的客戶在展臺處駐足參觀和咨詢，揚杰應用工程師團隊給客戶提供了專業的產品方案建議以及實際案列分享。 ? ? ? ? ? ? ? 展會上，揚杰科技成功舉辦了SiC、IGBT、MOSFET新品發布會以
2022-11-18 15:16:41604 揭秘WAYON維安新研發的SGT MOSFET，三大優勢前途無量！
2023-01-06 12:59:083573 
20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH950UPE
2023-02-07 18:54:170 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH850UPE
2023-02-07 18:54:360 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH550UPE
2023-02-07 18:54:520 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XPA
2023-02-07 19:08:130 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:490 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-NXV100XP
2023-02-16 21:22:490 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMV240SP
2023-02-17 19:41:560 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y10-30P
2023-02-20 19:03:030 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y19-30P
2023-02-20 19:03:191 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y14-40P
2023-02-20 19:12:590 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB100XPEA
2023-02-20 19:30:130 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 N 溝道 LFPAK 100 V、27.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN028-100YS
2023-02-22 18:47:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 70 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMT200EPE
2023-02-23 18:51:161 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-40P
2023-02-23 19:03:480 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100XPEA
2023-02-23 19:22:080 20 V、2 A P 溝道溝槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術，具有出色的Qg*Ron產品(FOM)，極低的導通電阻(Ron
2023-06-08 14:24:222022 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:282136 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376
賀
?
捷報頻傳 再獲佳績
?
揚杰科技榮獲“江蘇省
2023-10-24 19:30:05828 
供應SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 20A600V單管igbt，提供SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:29:481 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規格書參數 ，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:345 近日，據邗江發布消息，在維揚經濟開發區先進制造業項目新春集中簽約儀式上，揚州揚杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤信心滿滿地告訴記者，“去年揚杰電子實現開票銷售60億元，今年有望取得更大突破。”
2024-02-20 09:34:581974 近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:192224 在新能源市場迅猛發展的浪潮中，功率器件作為電力電子變換系統的核心部件，其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場對高性能功率器件的迫切需求，揚杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSFET產品，特別針對光伏微逆變、工業電源和服務器電源等應用進行了優化設計。
2024-06-28 09:53:251090 2024年7月8-10日，為期三天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕，揚杰科技憑借卓越先進的展品、行業應用解決方案、獨具一格的展臺設計，現場銷售人員、FAE、PM、行業經理等進行專業接待交流，吸引大量新老客戶來現場進行互相交流探討，展會現場人流如織，使得揚杰科技成為本次展會一大亮點。
2024-07-14 10:06:431264 近日，揚杰科技推出了專為PC主板應用設計的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產品采用了先進的SGT技術，具有出色的電氣性能。
2024-10-12 15:59:231276 uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴格意義上來說，在工藝上并沒有
2024-11-08 10:36:3412782 
揚杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產品，產品均采用開爾文接觸，明顯減少了開關時間，降低了開關損耗，支持更高頻率的應用與動態響應；同時相比插腳器件降低了電路板空間，增加了電路板的集成化，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統
2024-11-27 14:15:381287 
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品是基于傳統溝槽式MOSFET的改進版本，其出色的導通電阻、品質因子和快速硬開關能力，為電源設計人員提供了解決提高系統效率
2024-11-30 09:18:331481 近日，喜訊傳來，揚杰科技全資子公司MCC（越南）工廠正式步入通線階段。這一里程碑式的成就標志著揚杰科技在積極開拓國際市場、加速全球化進程上邁出了堅實的一步。
2024-12-16 11:29:212836 風云榜頒獎典禮”在上海·上海中心成功舉辦。會上，主辦方重磅發布了《2024中國半導體企業TOP100》榜單，揚杰科技位居第16位。 據了解，“中國半導體企業TOP100”進入門檻需要營業收入3億元以上。TOP50的營收門檻已經超過10億元，基于中國資本市場對半導體企業的估值，基本上也對應了
2024-12-21 10:27:043216 
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品。貝嶺150V SGT系列產品采用業界先進工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環終端結構，使得器件
2025-01-03 10:19:162056 
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545893 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58999 揚杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，可以支持更高頻率與動態響應。
2025-04-01 10:39:531036 
Mosfet新品與微溝槽IGBT單管，前者采用高密度溝槽設計，導通電阻降低20%，適用于服務器電源與消費電子快充；后者通過背面加工工藝優化，飽和壓降與關斷損耗雙降，可提升變頻器能效5%以上。 二 技術論壇 共探發展 ? ? ? ? 展會現場，揚杰科技的技術專家也帶來了兩場關于SiC、IGBT的專業
2025-05-09 10:11:561318 
近日，全球第一大汽車零部件技術供應商博世集團（BOSCH）全球電子和軟件采購高級副總裁Gohlicke Bernd、全球電子和軟件采購副總裁Sbanski Oliver率隊蒞臨揚杰科技。揚杰
2025-05-19 09:27:42985 在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381107 
近日，揚杰科技副董事長劉從寧率項目團隊專程前往維揚經濟開發區管委會拜訪，代表企業向管委會主任仇震及領導班子鄭重遞交送上印有 “政企聯動創效率，高效服務助發展” 的鮮紅錦旗，致謝管委會在揚杰科技7號廠
2025-05-30 16:22:54820 作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:592501 
極型晶體管（IGBT）和快速恢復二極管（FWD），適用于多種高功率應用場景，展現了揚杰電子在功率半導體領域的技術實力。 產品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級為1200V、額定電流35A的IGBT模塊，其設計兼顧了高效能與可靠性。模塊采用低電感封裝技術，具有低
2025-06-18 17:52:14645 
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:531352 
揚杰科技近日推出SOD-323HE封裝TVS新品，產品散熱性能優，背部Pad面積大，對比SOD-123FL散熱路徑更改，由原來的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大89% 。同時封裝外形小，比SOD-123HE封裝長度降低56%，寬度降低56%，滿足封裝小型化的發展趨勢。
2025-07-21 11:43:011210 
揚杰科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產品，產品具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，可以支持更高頻率與動態響應，同時優化MOS產品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747 
2025年8月8日上午，揚杰科技與北京一高科技控股集團（簡稱“北京一高科技”）聯合辦學簽約儀式在揚杰科技順利舉行。
2025-08-13 18:02:161214 N100V MOSFET產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624 
在功率半導體國產化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對標進口、成本更具優勢”的特點，成為打破國際品牌壟斷的關鍵力量。其100V/205A參數組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。
2025-10-15 11:20:36513 
在中小型功率電子設備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級的進程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設計關鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V
2025-10-21 10:54:37324 
在功率電子領域，“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET，以100V耐壓、88A連續漏極電流為性能基底，融合SGT（超結溝槽柵）先進工藝與經典
2025-10-21 11:38:20301 
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續電流的硬核參數，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準破解這一行業痛點，更在工業驅動、新能源儲能、消費電子三大領域構建起“高效能-高可靠-低成本”的應用生態，成為國產中低壓大功率器件的標桿選擇。
2025-10-24 17:53:57912 
2025年10月28日上午8時56分，揚杰科技先進封裝項目（一期）開工儀式在五號廠區舉行。揚州維揚經濟開發區黨工委副書記、管委會主任仇震，管委會副主任潘健年，揚杰科技董事長梁勤等領導及參建單位、企業員工代表出席，共同見證這一重要時刻。
2025-10-31 16:11:29745 ? 揚杰科技 2025? “裝備系列”之 東風汽車產業鏈供需對接交流活動 —會議回顧— ? ? 11月28日，“2025《裝備強國》系列之東風汽車產業鏈供需對接交流活動”在東風汽車集團有限公司研發
2025-12-02 11:03:36411 
2025年12月2日，揚杰科技與奔馳正式簽訂長期合作協議。此次合作歷經近兩年的深度對接，標志著揚杰科技在核心產品競爭力與全球市場拓展方面取得積極進展，為公司優化高端客戶網絡、穩固行業市場地位奠定了堅實基礎。
2025-12-10 18:01:431166 12月6日下午，江蘇省委副書記、省長劉小濤一行蒞臨揚杰科技調研，揚州市委書記王進健，揚州市委副書記、秘書長焦慶標，邗江區委書記張新鋼等陪同，揚杰科技董事長梁勤、副董事長梁瑤熱情接待。
2025-12-10 18:04:041579 長晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺，與Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23272 
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