MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源，電機控制，動力電池系統等應用領域中，SGT MOSFET配合先進封裝，非常有助于提高系統的效能和功率密度。

SGT技術優勢，具體體現：

優勢1：提升功率密度

SGT結構相對傳統的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術，可以得到更低的導通電阻。

優勢2：極低的開關損耗

SGT相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。

優勢3：更好的EMI優勢

SGT MOS結構中的內置電阻電容緩沖結構，可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振蕩，開關電源應用中，SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進一步降低應用風險。

值得一提的是，依托本土龐大的中壓MOSFET市場需求，國產器件在中低壓領域替換進口品牌的潛力極大，維安在高功率密度、低內阻的SGT MOSFET上面進行積極布局，結合市場和客戶的需求，在產品工藝、封裝上持續創新。

針對不同的應用場景，在產品系列、規格尺寸上推薦選型如下：

（1）PC、筆電、無線充電等

（2）PD、適配器同步整流

（3）BMS及電機控制

（4）通訊電源、5G基站

維安（WAYON）是電路保護元器件及功率半導體提供商。WAYON始終堅持“以客戶為導向，以技術為本，堅持艱苦奮斗精神”的核心價值觀。致力于通過技術創新引領市場，努力成為全球電路保護元器件及功率半導體的領先品牌。
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