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      NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-13 10:49 ? 次閱讀
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      1.概述

      NP50P06D6采用先進的溝槽技術并設計為低門極提供優秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應用。

      2.一般特征
      ? VDS=-60 V，ID=-50A
      ? RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
      ? RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
      ? 超低RDS的高密度電池設計
      ? 完全特征的雪崩電壓和電流
      ? 穩定性好，均勻性高，EAS高
      ? 散熱性好的優秀封裝

      3.應用程序

      ? 負荷開關

      4.包裝
      pdfn5*6-8L-A

      5.示意圖

      poYBAGLOMpqAMA11AAHlipWQ_5s691.png



      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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