第一次對非平面襯底上的光刻曝光的詳細研究出現在20世紀80年代后期,Matsuzawa等人72]采用....

圖9-5展示了使用Kirchhof方法與嚴格的電磁場(EMF)仿真進行掩模建模所得結果之間的區別。K....

光與掩?；蚓A的形貌特征的相互作用可以用麥克斯韋(Maxwell)方程組來描述。通常,掩模和晶圓上的....

在前面的部分中,使用標量模型描述了成像過程,但其中不包括任何偏振現象，而高數值孔徑系統的應用引入了幾....

雙色調顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過兩次單獨的顯影去除最高和最低曝光劑量區域的光....

有一些光學分辨率增強技術是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過合適方向的二極照明來增強密集線空圖形的....

目前，基于模型的 OPC已成為先進半導體制造的標準程序。圖4-15 表明現代 OPC模型包含了考慮光....

通過觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規則。

可靠性的定義是系統或元器件在規定的條件下和規定的時間內，完成規定的功能的能力 (the abilit....

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

現有的晶體管都是基于 PN 結或肖特基勢壘結而構建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術的進步，器....

CIS 英文全名 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicondu....

本節將介紹 CMOS 超大規模集成電路制造工藝流程的基礎知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....

在高k金屬柵之外，另一種等效擴充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....

源漏區的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝....

源漏擴展結構（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應....

為了有效抑制短溝道效應，提高柵控能力，隨著MOS結構的尺寸不斷降低，就需要相對應的提高柵電極電容。提....

隨著集成電路技術節點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效....

圖2.2是現代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....

2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應....

當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN....

MESFET 熱穩定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....

結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....

一對N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構成互補的金屬氧化物半導體器件（Complementa....

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VC....

上述實驗結果為近年來局限在光激發的氮化鎵?VCSEL?的結果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....

在氮化鎵藍光?VCSEL?發展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發的氮....

在氮化鎵發光二極體的發展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....

東京大學荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結構的概念，在1994年柏林工業大....

由上述 InP 系列材料面射型雷射發展可以發現，要制作全磊晶結構的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....