目前，基于模型的 OPC已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的標(biāo)準(zhǔn)程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光學(xué)、光刻膠和工藝效應(yīng)所有類型的方法。先進(jìn)的光學(xué)模型不僅涵蓋了高數(shù)值孔徑成像系統(tǒng)中的偏振效應(yīng)，而且還涵蓋了雜散光（來自粗糙表面的隨機(jī)散射光）和激光帶寬效應(yīng)（波像差和其他成像特性對(duì)微小的波長(zhǎng)變化的響應(yīng)）的影響。對(duì)來自掩模和非平整晶圓的光散射效應(yīng)的正確建模，即所謂三維掩模效應(yīng)和晶圓形貌效應(yīng)，需要運(yùn)用電磁場(chǎng)求解方法。三維光刻膠模型和蝕刻模型可以足夠準(zhǔn)確地描述圖形轉(zhuǎn)移過程。對(duì)掩模刻寫和掩模工藝校正期間的效應(yīng)進(jìn)行建模也變得越來越重要。EUV 光刻也給 OPC帶來了獨(dú)特的挑戰(zhàn)。

Peter De Bisschop 概述了關(guān)于OPC建模方法，以及構(gòu)建和驗(yàn)證OPC模型的實(shí)際方面的文獻(xiàn)。一般而言，OPC模型的基本思想源自用于傳統(tǒng)光刻仿真的純物理模型。為了在合理、可接受的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)一塊完整掩模版圖的鄰近效應(yīng)校正，模型以卷積核的形式被重新制定，以支持高效計(jì)算。這些緊湊型模型的大部分參數(shù)無法被直接測(cè)量，尤其是光刻膠模型的參數(shù)。此類模型參數(shù)必須根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)整。OPC模型中用于三維掩模和晶圓效應(yīng)的內(nèi)核參數(shù)必須通過完全嚴(yán)格仿真或?qū)嶒?yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行標(biāo)定。為了獲得構(gòu)建 OPC模型所需的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，開發(fā)了專用的量測(cè)程序和采樣策略。在某些情況下，此類實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與純物理仿真的仿真數(shù)據(jù)相輔相成。掩模規(guī)則檢查（mask rule check, MRC）也是掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備的重要組成部分，可確保設(shè)計(jì)的掩模能以足夠的精度被制造出來。最后，構(gòu)建的模型必須通過嚴(yán)格仿真和專門的晶圓曝光進(jìn)行驗(yàn)證。

除了需要提高掩模制作的分辨率外，OPC 不需要任何新材料或新工藝。它可以應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)（二元）鉻-石英掩模和其他掩模技術(shù)。OPC 對(duì)掩模設(shè)計(jì)的影響是中等的，取決于OPC 的激進(jìn)程度（碎片化的大小和數(shù)量，輔助特征圖形的數(shù)量等）。具有數(shù)目多且細(xì)節(jié)化的OPC特征圖形的掩模，其規(guī)范和制造涉及大量的數(shù)據(jù)處理和較長(zhǎng)的掩模刻寫時(shí)間。同時(shí)，OPC 也增加了掩模檢測(cè)的復(fù)雜性。例如，對(duì)亞分辨率OPC特征和掩模缺陷進(jìn)行區(qū)分就并不容易。OPC 對(duì)工藝提升的影響也是中等的。OPC可以實(shí)現(xiàn)更小的工藝因子k，并提高工藝的線性度和可實(shí)現(xiàn)的工藝窗口。