為了改善上述蝕刻柱狀結構以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士....
目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術為選擇性氧化法，絕大多數面射型雷射操作特性紀錄均是由選擇性....
由于蝕刻柱狀結構有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業界及學術研究單位最常....
半導體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結構與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結構中電子電洞....
其中蝕刻空氣柱法將大多數可以導通電流的半導體材料以物理性或化學方式蝕刻移除后，僅保留直徑數微米至數十....
從前面一小節對半導體雷射線寬的討論可以知道，即使半導體雷射操作在穩態的狀況下，還是會有因為自發輻射所....
從前面的例子中，可以知道線寬增強因子會讓半導體雷射在動態操作時譜線變寬，接下來我們要討論的是半導體雷....
為要了解半導體雷射的大信號響應，我們先針對單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線性增益近似以及考慮到....
當半導體雷射從閾值條件以下要達到雷射的操作，其主動層中的載子必須要先達到閾值載子濃度才會有雷射光輸出....
從（4-40）式我們知道，要達到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個因素是互相沖突....
（4-25） 式為我們可以量測得到的半導體雷射調制響應。將之取對數乘上10之后，其單位即為?dB，如....
最常見的半導體雷射調制是如圖4-1 的直接電流調制，半導體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....
典型的VCSEL 結構主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光....
由于 VCSEL 共振腔的體積非常小，可以稱之為微共振腔（micro-cavity），因為要達到閾值....
VCSEL相較于傳統的邊射型雷射而言，另一項重要的區分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
進一步考量到 DBR 的設計時，雖然界面平整的異質結構可以提供較大而明顯的折射率差異以達到較高的 D....
相較于傳統邊射型半導體雷射的發展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的設計概念直到1979年首先被I....
共振腔中雷射光來回（round trip）振蕩后保持光學自再現（self-consistency）的....
在半導體中，光子的放射是由電子和電洞借由垂直躍遷所達成的，我們可以把具有相同k值的電子一電洞看成一種....
一個基本的半導體雷射如圖2-1所示，包含了兩個平行劈裂鏡面組成的共振腔，稱為Fabry-Perot?....
早期面射型雷射由于半導體磊晶技術簡在發展初期階段，因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導....
早期所謂的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本質上仍然是邊射型雷射....
LASER是“light amplification by stimulated emission ....
CMOS 工藝技術平臺的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
CMOS 工藝平臺的金屬方塊電阻的測試結構包含該平臺的所有金屬層，例如如果該平臺使用五層金屬層，那么....
CMOS工藝平臺的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、....
圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過DNW 隔離襯底（....
CMOS 工藝技術平臺的方塊電阻的測試結構是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方....
雖然 WAT測試類型非常多，不過業界對于 WAT測試類型都有一個明確的要求，就是包括該工藝技術平臺所....
WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫，意思是晶圓接受測試，業界也稱WAT....
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