外延工藝（Epitaxy）
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入....
化學機械拋光工藝（Chemical Mechanical Polishing，CMP）
CMP 所采用的設備及耗材包括拋光機、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設備、拋光終點(End....
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）
由于 ALD 技術逐層生長薄膜的特點，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性....
化學氣相沉積工藝（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化學氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相....
物理氣相沉積及濺射工藝（PVD and Sputtering）
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如....
退火工藝（Thermal Annealing）介紹
通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結合在一起的，最常見的就是離子....
等離子體摻雜（Plasma Doping）
通常，用射頻電源產生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 P....
集成電路制造工藝中的氧化工藝（Oxidation Process）
濕氧氧化化學反應式為H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜....
計算光刻技術的發展
計算光刻 (Computational Lithography)技術是指利用計算機輔助技術來增強光刻....
犧牲層技術大致包含哪幾個步驟
犧牲層技術自20世紀80 年代美國加州大學伯克利分校開發至今，得到了快速發展。犧牲層技術是 MEMS....
移相掩模技術不同的分類方法
光刻圖形質量的主要判據是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統方法....
空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程
常規的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separ....
MEMS工藝中的鍵合技術
鍵合技術是 MEMS 工藝中常用的技術之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或....
干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結構或陡直壁問題
在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應離子刻蝕 （Reactive lon Etching....
常見的各向同性濕法刻蝕的實際應用
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中，各向同性 （Isotropic）....
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