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離子注入設備和方法

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離子注入是一種向襯底中引入可控制數量的雜質,以改變其電學性能的方法。它是一個物理過程,不發生化學反應。
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2023-09-04 17:09:311104

探討碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發,研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響,并結合器件的I-V曲線,探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:004232

什么是離子注入離子注入相對于擴散的優點?

想要使半導體導電,必須向純凈半導體中引入雜質,而離子注入是一種常用的方法,下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:467464

離子注入仿真用什么模型

方法離子運動模型 離子運動模型是離子注入仿真中最基本的模型之一。它描述了離子在電場和磁場中的運動規律。根據離子注入的不同情況,可以采用不同的運動模型,如簡單的牛頓運動模型、蒙特卡洛(Monte Carlo)模擬方法以及分
2023-12-21 16:38:192387

原位摻雜、擴散和離子注入的相關原理及其區別介紹

半導體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區別呢?
2024-01-05 18:21:118705

離子注入涉及到的隧道效應為什么需要7°角?

隧道效應,又稱溝道效應,對晶圓進行離子注入時,當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時,其運動軌跡將不再是無規則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:423181

離子注入中的劑量和濃度之間有何關系呢?

對器件設計工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關心的參數,什么樣的濃度對應什么樣的方阻,器件仿真參數輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。
2024-01-26 13:37:025908

一文解析離子注入的溝道效應

什么是溝道效應? 溝道效應是指在晶體材料中,注入離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預期更深的現象。
2024-02-21 10:19:246231

什么是離子注入離子注入的應用介紹

離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統的擴散工藝更為精確。
2024-02-21 10:23:317498

介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術上的應用

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中,離子注入均有應用。
2024-02-23 10:47:132042

凱世通交付首臺面向CIS的大束流離子注入

據了解,到2024年第一季度為止,該公司已陸續向多個特定客戶發出了多個離子注入機訂單,單季度就完成了八臺離子注入機的客戶端上線工作,呈現出迅猛增長的發展態勢,取得了良好開局。
2024-03-30 09:34:231463

離子注入機的簡易原理圖

本文介紹了離子注入機的相關原理。 離子注入機的原理是什么?
2024-04-18 11:31:514790

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875

住友重工2025年擬推碳化硅離子注入

盡管SiC制造過程中的多數設備與常規硅類通用,但因其具備高硬度特性,需要專屬設備支持,包括高級別的高溫離子注入機、強效的碳膜濺射儀以及大規模的高溫退火爐等。其中,能否擁有高溫離子注入機被視為衡量SiC生產線水平的關鍵指標。
2024-05-17 09:47:582033

日本住友重工將推出SiC離子注入

住友重工離子技術公司,作為住友重工的子公司,計劃在2025年向市場推出專為碳化硅(SiC)功率半導體設計的離子注入機。SiC制程雖與硅生產線有諸多相似之處,但由于其高硬度等獨特性質,對生產設備提出了特殊要求。
2024-05-20 14:31:312377

華瑞微電子科技榮獲離子注入機專利

該專利揭示了一款專用于集成電路生產線的離子注入機,屬于半導體加工設備技術領域。該設備主要由支撐框架、離子注入機構、照射箱組件和擾流機構組成,同時配備吸塵除塵組件。
2024-05-28 10:06:201013

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區重摻雜的工藝,降低器件有源區的串聯電阻,提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區,或者n型和p型有源區電阻,以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921

SiC的離子注入工藝及其注意事項

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-09 11:09:571904

一種離子注入技術:暈環技術介紹

本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術:暈環技術。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是離子注入(Ion
2024-12-31 11:49:173571

離子注入的目的及退火過程

離子注入后退火是半導體器件制造中的一個關鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中,以改變其電學性質的過程。而退火是一個熱處理過程,通過加熱晶圓來修復注入過程中
2025-01-02 10:22:232459

一文了解半導體離子注入技術

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導體或其他材料中的一種技術手段,本文詳細介紹了離子注入技術的原理、設備和優缺點。 ? 常見半導體晶圓材料是單晶硅,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外層
2025-01-06 10:47:233191

離子注入工藝中的重要參數和監控手段

本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數和離子注入工藝的監控手段。 在硅晶圓制造過程中,離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用,而這一分布又與離子注入工藝的主要參數緊密相連。 離子注入技術的主要參數
2025-01-21 10:52:253250

芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
2025-04-23 10:54:051666

離子注入技術的常見問題

離子注入單晶靶材時,因靶體存在特定晶向,其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察,能發現晶格間存在特定通道(圖 1)。當離子入射方向與靶材主晶軸平行時,部分離子會直接
2025-09-12 17:16:011978

離子注入工藝中的常見問題及解決方案

在集成電路制造的離子注入工藝中,完成離子注入與退火處理后,需對注入結果進行嚴格的質量檢查,以確保摻雜效果符合器件設計要求。當前主流的質量檢查方法主要有兩種:四探針法與熱波法,兩種方法各有特點,適用于不同的檢測場景。
2025-11-17 15:33:10732

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