近日,上海凱世通半導體股份有限公司迎來重要里程碑——首次成功交付用于生產CMOS圖像傳感器(CIS)的大型離子注入機給全新客戶。
據了解,到2024年第一季度為止,該公司已陸續向多個特定客戶發出了多個離子注入機訂單,單季度就完成了八臺離子注入機的客戶端上線工作,呈現出迅猛增長的發展態勢,取得了良好開局。
作為電子信息行業的基石,集成電路產業關系著國家發展大局。而離子注入機、光刻機、刻蝕機及薄膜沉積設備被譽為芯片加工的關鍵設備。
然而,國內在此領域存在國產化程度低的問題,只有不到五成的設備來自于本土企業。因此,凱世通以市場需求和前沿科技創新為導向,現已成功推出多種類型的離子注入機,并滿足了頻繁且大規模的訂單需求。
此舉成功挑戰了極具技術難度的CIS大束流離子注入機,再次證明其在關鍵技術上堅守自主研發與創新的決心。
未來,凱世通將繼續深入開發創新產品,擴展產品線,力求以更優質的產品回饋客戶,為推動集成電路行業的可持續發展獻力。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關注
關注
5452文章
12572瀏覽量
374552 -
半導體
+關注
關注
339文章
30737瀏覽量
264138 -
CIS
+關注
關注
4文章
220瀏覽量
30634
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【海翔科技】瓦里安 VARIAN VIISion 200 Plus 系列 二手離子注入設備拆機/整機|現場驗機測試結果核驗
一、引言 離子注入機作為半導體制造前段制程的核心精密裝備,通過精準摻雜改變半導體材料電學特性,是實現集成電路高集成度、高性能的關鍵工藝設備。隨著3D NAND存儲器件與第三代半導體技術的快速發展
填補“中國芯”關鍵拼圖,國產離子注入機實現關鍵突破
電子發燒友網綜合報道,1月17日,中核集團中國原子能科學研究院宣布,由其自主研制的我國 首臺串列型高能氫離子注入機 (POWER-750H)成功出束,核心性能指標達到國際先進水平。這一
離子注入工藝中的常見問題及解決方案
在集成電路制造的離子注入工藝中,完成離子注入與退火處理后,需對注入結果進行嚴格的質量檢查,以確保摻雜效果符合器件設計要求。當前主流的質量檢查方法主要有兩種:四探針法與熱波法,兩種方法各有特點,適用于不同的檢測場景。
離子注入技術的常見問題
離子注入單晶靶材時,因靶體存在特定晶向,其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察,能發現晶格間存在特定通道(圖 1)。當離子入射方向與靶材主晶軸平行時,部分離子
聚焦離子束(FIB)在材料分析的應用
FIB是聚焦離子束的簡稱,由兩部分組成。一是成像,把液態金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦,從而得到試樣表面電子像(與SEM相似);二是加工,通過強電流離子束剝離表面原子,從而完成微,納
聚焦離子束(FIB)技術介紹
聚焦離子束(FIB)技術因液態金屬離子源突破而飛速發展。1970年初期,多國科學家研發多種液態金屬離子源。1978年,美國加州休斯研究所搭建首臺Ga+基FIB加工系統,推動技術實用化。
離子束的傳輸與信號探測
聚焦離子束(FIB)在材料科學和微納加工領域內的重要性日益顯現,離子束的傳輸過程由多個關鍵組件構成,包含離子源、透鏡和光闌等,而其性能的提升則依賴于光學元件的校正和功能擴展。此外,FIB技術的功能
聚焦離子束技術的原理和應用
聚焦離子束(FIB)技術在納米科技里很重要,它在材料科學、微納加工和微觀分析等方面用處很多。離子源:FIB的核心部件離子源是FIB系統的關鍵部分,液態金屬離子源(LMIS)用得最多,特
【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造
TSMC,中芯國際SMIC 組成:核心:生產線,服務:技術部門,生產管理部門,動力站(雙路保障),廢水處理站(環保,循環利用)等。生產線主要設備: 外延爐,薄膜設備,光刻機,蝕刻機,離子注入機,擴散爐
發表于 03-27 16:38
聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)的用途
(SEM)兩種互補技術,實現了材料的高精度成像與加工。FIB技術利用電透鏡將液態金屬離子源產生的離子束加速并聚焦,作用于樣品表面,可實現納米級的銑削、沉積、注入和成
凱世通交付首臺面向CIS的大束流離子注入機
評論