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離子注入機(jī)的簡易原理圖

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-04-18 11:31 ? 次閱讀
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原文作者:Tom

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。

離子注入機(jī)的原理是什么?

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上圖是離子注入機(jī)的簡易原理圖,各部件作用依次為:

Ion Source(離子源):通過將氣體電離,產(chǎn)生所需的離子類型。 Extraction Voltage(抽取電壓):將產(chǎn)生的離子從源中抽取出來。 Ion Electrode(離子電極):形成和控制離子束。 Analyzing Magnet(分析磁鐵):用于分離出不同荷質(zhì)比的離子,確保只有所需荷質(zhì)比的離子進(jìn)入加速器。 Mass Separation Slit(質(zhì)量分離縫隙):通過分析磁鐵后所允許的離子的特定荷質(zhì)比范圍。 Acceleration Column(加速柱):離子繼續(xù)加速到所需的最終能量。 Deflector(偏轉(zhuǎn)器):用于調(diào)整離子束的路徑,以確保離子精確地打到靶材料上。 Magnetic Quadrupole Lenses(磁性四極透鏡):用于聚焦離子束,提高注入的精確性。 Electronic Scanning(電子掃描):控制離子束在靶材料表面的掃描模式,確保均勻注入。 Sample (Base Material)(樣品(基材)):即靶材料,也就是離子要注入的半導(dǎo)體材料。

審核編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:離子注入機(jī)的原理介紹

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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