ASML在IEDM 2019大會(huì)上披露,截至2019年,總共已經(jīng)使用EUV設(shè)備處理了450萬片晶圓。該公司最新的NXE:3400C系統(tǒng)每小時(shí)可生產(chǎn)170個(gè)晶圓。 從2011年到2018年末,通過
2019-12-17 13:58:48
6078 全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說,他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時(shí),極紫外(EUV)光刻設(shè)備也進(jìn)展順利,將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。
2013-04-21 09:42:14
1660 龐大的財(cái)務(wù)與技術(shù)障礙繼續(xù)困擾18吋(450mm)晶圓發(fā)展,IC制造商紛紛將原本充滿雄心壯志的18吋晶圓相關(guān)計(jì)劃延后,轉(zhuǎn)向?qū)?2吋與8吋晶圓生產(chǎn)效益最大化──市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights 的最新報(bào)告顯示,全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12吋晶圓稱霸的態(tài)勢。
2016-10-13 16:21:08
1929 
在短短幾年前還在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界被熱烈討論的18吋(450mm)晶圓,似乎失去了背后的推動(dòng)力,至少在目前看來如此。「18吋晶圓議題可能會(huì)繼續(xù)沉寂5~10年;」市場研究機(jī)構(gòu)VLSI Research
2017-01-17 09:54:36
1095 本文報(bào)道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m,深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性,結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容;小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:43
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硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號(hào)延遲,降低電容、電感,實(shí)現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊,增加帶寬和實(shí)現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:13
23017 
L-3型臥式車床,其最大加工直徑為450mm,最長加工長度為1500mm。是生產(chǎn)型企業(yè)常用普通車床之一。
2024-01-22 14:09:48
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硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
2025-10-13 10:41:46
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新美光 CEO 夏秋良介紹,450mm 半導(dǎo)體單晶硅棒采用國際最先進(jìn) MCZ 技術(shù),代表國際先進(jìn)水平,改變國內(nèi)無自主 450mm 半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒的局面。將在 28nm 以下晶圓廠實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。在半導(dǎo)體晶圓廠自主化方面,發(fā)揮重要作用。
2020-07-02 09:45:52
8387 日前,據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù),以建立更高的技術(shù)壁壘。對(duì)此,美光(Micron)企業(yè)副總裁、中國臺(tái)灣美光董事長徐國晉表示,美光不打算跟進(jìn),目前并無采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-09 10:34:45
2742 PICOBLADE 3 CIRCUIT 450MM
2024-06-20 20:43:51
PICOBLADE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
CLICKMATE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
2140 MHz和100 MHz的有用帶寬。該濾波器用于射頻信號(hào)的時(shí)間對(duì)準(zhǔn),并提供450納秒的絕對(duì)延遲。該設(shè)備的插入損耗為29分貝,它被封裝在一個(gè)密封的表面貼裝封裝。產(chǎn)品型號(hào): 856717產(chǎn)品名稱
2018-07-16 10:18:00
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)(EUV)的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
[table][tr][td] 問題描述: 系統(tǒng)調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)硬件中斷經(jīng)常得不到及時(shí)響應(yīng),根據(jù)現(xiàn)象推斷中斷會(huì)被延遲達(dá)150us以上。 問題分析:中斷信號(hào)是連到CPLD的,DSP的GPIO6也
2018-08-15 04:17:39
Interface NAMURaE+H液位計(jì)FTL51-MBG2BB6E5AL=450MM E+H液位計(jì)FTL51-MBG2BB6E5AL=300MME+H 分析儀CPF81-NN11A2恩德斯豪斯CPS11D-7BA21
2021-09-08 13:39:20
SENSOR REFLECTIVE 450MM
2024-06-20 22:47:55
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
:0.5mm/s 和0.1mm/s可調(diào)●硬件結(jié)構(gòu):測針:標(biāo)準(zhǔn)型(高度小于8mm)1支,觸針半徑2μm,靜態(tài)測力0.75mN;大理石平臺(tái):尺寸≥800×450mm;電動(dòng)立柱:高度≥450mm;●測量軟件依照
2017-02-23 18:12:50
印刷機(jī)上,然后由人工或印刷機(jī)把錫膏涂敷于印版上有文字和圖像的地方,再直接或間接地轉(zhuǎn)印到電路板上,從而復(fù)制出與印版相同的PCB板。參數(shù) ?最大板尺寸 (X x Y):450mm x 320mm ?最小板尺寸
2015-01-13 10:12:12
:353mm(寬)×177mm(高)×450mm(長)重量:22kg(通常情況下)————————————————————————————————————————- 以上儀器皆是我們的存貨。此推廣
2017-06-20 16:40:15
的火花,即450mm及EUV 光刻 機(jī)。在LinkedIn半導(dǎo)體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個(gè)問題讓我產(chǎn)生了思考。當(dāng)經(jīng)濟(jì)處于復(fù)蘇的好時(shí)機(jī)時(shí)會(huì)改潿雜詿50mm硅片的看法嗎?WWK的總裁David Jimenez回答了它的問題。設(shè)備制造商會(huì)愿意更多的投資來發(fā)展450mm設(shè)備?傳感技術(shù)
2010-02-26 14:52:33
儀; 信號(hào)發(fā)生器; 數(shù)字源表; 數(shù)字萬用表; 單位注冊資金單位注冊資金人民幣200萬元以下。 我們公司主要供應(yīng)二手儀器二手儀器回收|二手儀器維修|二手儀器租賃|二手網(wǎng)絡(luò)分析儀、頻譜分析儀、示波器等產(chǎn)品,我們的產(chǎn)品貨真價(jià)實(shí),性能可靠,歡迎電話咨詢!收購Ti450、回收福祿克/Fluke Ti450
2020-03-24 10:38:19
,其生產(chǎn)線測試必然有全新的需求,此外,EUV也提上了日程,需要全新的測試方案進(jìn)行驗(yàn)證,這部分2012年會(huì)有大量廠商投入研發(fā),還有一個(gè)熱點(diǎn)是450mm晶圓設(shè)備測試驗(yàn)證也進(jìn)入研發(fā)關(guān)鍵階段。
2012-02-03 09:43:19
硅通孔(TSV)電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應(yīng)用中的一個(gè)有吸引力的熱點(diǎn)。本文介紹了通過優(yōu)化濺射和電鍍條件對(duì)完全填充TSV的改進(jìn)。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱,只不過這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等于305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號(hào)嗎? 謝謝, 何魯麗 #運(yùn)算放大器,香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
STMicroelectronics 運(yùn)算放大器 TSV912AIDT 雙 高速、精密, 8MHz增益帶寬積
2022-05-31 10:04:31
Frequency: 450MHzImpedance: 50 OhmsVSWR: <1.5Gain: 5.0 dBi EA450TGain: 3.0 dBi EB450
2009-03-16 09:32:51
7 本文從延遲鎖定環(huán)路(DLL)的線性模型出發(fā),運(yùn)用信號(hào)統(tǒng)計(jì)分析的方法,詳細(xì)研究了延遲鎖定環(huán)路的同步性能與相關(guān)區(qū)間、環(huán)路帶寬與信噪比之間的關(guān)系,得出了采用窄相關(guān)可以顯
2009-08-07 10:03:30
24 生產(chǎn)450 mm(18 英寸)硅晶圓的經(jīng)濟(jì)可行性——來自硅晶圓材料供應(yīng)廠商的呼聲鐘 信1. 前言根據(jù)歷史數(shù)據(jù)分析,晶圓尺寸的倍增轉(zhuǎn)換周期大約為11 年。第一條 200 mm 生產(chǎn)線投
2009-12-15 15:07:09
24 荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹:ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體(LPP)的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料,無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹:ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體(LPP)的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料,無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
松下A450系列DVD影碟機(jī)開關(guān)電源電路分析
一、輸入啟動(dòng)電路<BR>
2007-06-08 15:51:23
2263 
三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示,按照他們的估計(jì),450mm技術(shù)以及極紫外光刻
2010-01-26 11:34:36
482 三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延
半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報(bào)告顯示,按照他們的估計(jì),450mm
2010-01-28 09:21:39
639 美紐約州匿名團(tuán)體反對(duì)州政府資助450mm項(xiàng)目
日前,一個(gè)匿名群體就美國紐約州對(duì)CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發(fā)中心進(jìn)行資助表示反對(duì)。這個(gè)群體告訴紐約州的政
2010-02-10 10:31:20
660 隨著半導(dǎo)體業(yè)逐漸地走出2008/2009年低谷,450mm硅片的可行性再次提上議事日程。目前450mm最大問題集中在研發(fā)成本及未來投資的回報(bào)率。
2010-06-09 15:11:38
941 
3D-IC設(shè)計(jì)者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),從而設(shè)計(jì)出更小尺寸的通孔,以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間,最終改進(jìn)信號(hào)的完整性。事實(shí)上,當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對(duì)其的預(yù)測。
2011-01-14 16:10:40
2333 
近日英特爾公布22nm的3D(三維)技術(shù)開發(fā)成功,表明一直前景不明的16nm技術(shù)可能會(huì)提前導(dǎo)入市場。
2011-08-18 10:03:45
1548 一片18寸(450mm)晶圓產(chǎn)出的芯片數(shù)是12寸(300mm)的兩倍以上,雖然晶圓尺寸愈大,愈能降低芯片制造成本,但推升晶圓尺寸所需的技術(shù)和復(fù)雜度高,需要設(shè)備、元件等產(chǎn)業(yè)鏈的搭配,建廠成本
2011-12-14 09:07:10
919 TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出,然而,在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下,TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢,DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析,直至2007年東芝(Toshiba)將
2012-02-21 08:45:37
1856 Crossing Automation, Inc.近日宣布成立新業(yè)務(wù)部,拓展并研發(fā)450mm 晶片自動(dòng)化平臺(tái)的發(fā)展與產(chǎn)能。
2012-05-11 09:21:13
713 2012年國際半導(dǎo)體展昨閉幕,450mm(18寸)供應(yīng)鏈論壇邀請到臺(tái)積電(2330)、全球450mm聯(lián)盟、應(yīng)用材料、KLA-Tencor、Lam Research等深度探討450mm未來發(fā)展藍(lán)圖,并率先預(yù)告世界第1座450mm晶圓廠
2012-09-08 09:39:55
2545 圍繞450mm晶圓和EUV(Extreme Ultraviolet,超紫外線)曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月,全球最大的曝光設(shè)備廠商——荷蘭阿斯麥(ASML)宣布,將從半導(dǎo)體廠商獲得
2012-09-10 09:31:17
1370 
在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會(huì)中,臺(tái)積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計(jì)于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時(shí)程。
2012-09-24 09:13:00
1288 全球五大半導(dǎo)體業(yè)者在2011年共同成立全球450mm聯(lián)盟,并于美國紐約州Albany設(shè)立450mm晶圓技術(shù)研發(fā)中心。
2012-12-12 09:18:47
1603 精密真空產(chǎn)品和尾氣處理系統(tǒng)領(lǐng)先制造商及相關(guān)增值服務(wù)全球供應(yīng)商Edwards 集團(tuán)有限公司(納斯達(dá)克代碼:EVAC)最近加入了一個(gè)由全球十家半導(dǎo)體設(shè)備公司組成、旨在組建450mm晶圓制造設(shè)備聯(lián)盟(F450C)的工作組。
2013-07-09 11:54:56
1344 最新行業(yè)觀察:英特爾14nm將推遲一個(gè)季度甚至兩個(gè)季度!450mm晶圓工藝預(yù)期也挪后了。IC Insights數(shù)據(jù)顯示,中國市場已經(jīng)成為PC、汽車、手機(jī)和數(shù)字電視的No. 1!關(guān)注電子發(fā)燒友網(wǎng),關(guān)注最新市場動(dòng)態(tài)!
2013-08-27 12:33:33
3240 硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)
2016-10-12 18:30:27
18197 
TSV互連結(jié)構(gòu)傳輸性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:39
3 在短短幾年前還在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界被熱烈討論的18寸(450mm)晶圓,似乎失去了背后的推動(dòng)力,至少在目前看來如此。「18寸晶圓議題可能會(huì)繼續(xù)沉寂5~10年;」市場研究機(jī)構(gòu)VLSI Research
2017-01-17 09:57:11
8258 在短短幾年前還在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界被熱烈討論的18寸(450mm)晶圓,似乎失去了背后的推動(dòng)力,至少在目前看來如此。
2017-01-17 15:32:58
1558 The TSV99x and TSV99xA family of single, dual, and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:18
12 The TSV358, TSV358A, TSV324, and TSV324A (dual and quad) devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:30
6 The TSV6390, TSV6391, and their “A” versions are single operational amplifiers (op amps) offering
2017-09-05 09:34:14
4 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:58
5 The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation, and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:32
16 The TSV622, TSV622A, TSV623, TSV623A, TSV624, TSV624A, TSV625, and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:25
4 The TSV620, TSV620A, TSV621, and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation
2017-09-05 11:01:53
6 The TSV85x, TSV85xA series of single, dual, and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:09
11 沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)硅的制備,再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓,以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。
2018-07-19 10:09:31
14842 的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號(hào)延遲,降低電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。基于TSV技術(shù)的3D封裝主要有以下幾個(gè)方面優(yōu)勢:
2018-08-14 15:39:10
92829 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TSV914相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有TSV914的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,TSV914真值表,TSV914管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05

磁帶延遲效果與單塊的作用原理不同,磁帶延遲使用的是通過錄音的方式然后通過磁帶的循環(huán)播放來實(shí)現(xiàn)。磁帶延遲相當(dāng)受歡迎,因?yàn)樗軌蛱峁┒喾N延遲時(shí)間和速度調(diào)節(jié),并且聲音相當(dāng)自然。
2019-06-17 14:15:16
6761 格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示,如果在5nm的時(shí)候沒有使用EUV光刻機(jī),那么光刻的步驟將會(huì)超過100步,這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具,未來圍繞EUV光刻機(jī)的爭奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來在先進(jìn)工藝市場競爭的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:18
14886 
從產(chǎn)品層面而言,如今市場的推動(dòng)力已經(jīng)由PC轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、平板電腦,但是2013年中國智能手機(jī)增幅首次下降以及諸多移動(dòng)產(chǎn)品增長高潮已過,而價(jià)格競爭日趨激烈,逐漸向PC市場低毛利率靠攏,加上關(guān)鍵性技術(shù)如EUV光刻和450mm硅片量產(chǎn)等尚未完全攻克,讓下一輪的集成電路增長添加了不確定性。
2019-09-23 11:07:22
1503 今天分析了另外一個(gè)關(guān)于數(shù)據(jù)庫延遲跳動(dòng)的問題,也算是比較典型,這個(gè)過程中也有一些分析問題的方法和技巧工參考。
2020-08-20 14:18:04
2331 
TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:41
1 以單機(jī)25×104kW的發(fā)電機(jī)為例,以其推力油槽尺寸選擇量程為450mm(即磁翻板液位計(jì)法蘭口1與法蘭口2之間的中心距為450mm)的磁翻板液位計(jì)2套。每個(gè)磁翻板液位計(jì)均應(yīng)配備1個(gè)液位變送器將液位
2021-05-06 09:21:25
1906 就必須對(duì)風(fēng)泂試驗(yàn)段進(jìn)行整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、剛度分析以校核其運(yùn)營的安全性。以有限元模擬仿真分析軟件TSV-Sσ utions對(duì)δm×6m試驗(yàn)段進(jìn)行結(jié)構(gòu)強(qiáng)度分析和模態(tài)分析,根據(jù)結(jié)果提出優(yōu)化改進(jìn)風(fēng)洞試驗(yàn)段的結(jié)構(gòu),并對(duì)優(yōu)仳后的結(jié)果進(jìn)行分析,優(yōu)化后的
2021-05-07 16:23:58
7 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC450A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有DC450A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,DC450A真值表,DC450A管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 22:00:04
芯片和封裝基板的互連,以及芯片和芯片的互連。TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等填充,實(shí)現(xiàn)垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,降低信號(hào)延遲,降低寄生電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速、寬帶通信和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:39
3876 本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜,存在建模繁瑣、分析不便等問題。
2022-06-03 09:03:00
2631 
蔣尚義認(rèn)為450mm會(huì)占用臺(tái)積電太多的研發(fā)人員,削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進(jìn)步的能力。然而,研發(fā)預(yù)算更大的英特爾受到的影響較小。因此,選擇較大的硅片的主要原因是“大家伙可以把小家伙擠出去”,蔣尚義表示。
2022-08-08 15:17:48
2795 onsemi TSV 封裝的 SiPM 傳感器的處理和焊接
2022-11-14 21:08:39
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2022-11-29 20:52:45

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2022-11-30 19:33:49

今天浩道跟大家分享關(guān)于網(wǎng)絡(luò)延遲及故障分析方法相關(guān)的硬核干貨!
2022-12-30 09:02:01
9292 從出貨量的不斷增多,再到產(chǎn)品的更新?lián)Q代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利,但是ASML的首席技術(shù)官透露EUV即將走到盡頭,之后的技術(shù)可能根本實(shí)現(xiàn)不了。
2023-01-30 16:31:49
3020 TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的性能優(yōu)劣。本文筆者在綜述 TSV 的工藝流程
2023-02-17 10:23:53
2863 需要明確什么是EUV光刻機(jī)。它是一種采用極紫外線光源進(jìn)行曝光的設(shè)備。與傳統(tǒng)的ArF光刻機(jī)相比,EUV光刻機(jī)可以將曝光分辨率提高到7納米以下的超高級(jí)別,從而實(shí)現(xiàn)更高清晰度和更高性能的芯片制造。
2023-05-22 12:48:37
4919 LRS-450系列是一款450W單組輸出封閉型電源供應(yīng)器,具有35mm低外型設(shè)計(jì),采用115VAC或230VAC輸入(通過開關(guān)選擇),整系列提供5V, 12V, 15V, 24V, 36V和48V.
2023-06-12 11:26:10
961 
編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:34
5432 
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36
1496 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計(jì)與制造
2023-11-30 15:27:28
2237 
在討論ASML以及為何復(fù)制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時(shí),分析通常集中在EUV機(jī)器的極端復(fù)雜性上,這歸因于競爭對(duì)手復(fù)制它的難度。
2024-01-17 10:46:13
1105 
上圖是TSV工藝的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工藝。
2024-04-17 09:37:56
4129 
注入導(dǎo)電物質(zhì),將相同類別芯片或不同類別的芯片進(jìn)行互連,達(dá)到芯片級(jí)集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個(gè)通道中主要是通過銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連,減小信號(hào)延遲,降低電容、電感,實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信,增加帶寬和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化需求
2024-12-17 14:17:51
3345 
TSV 三維封裝技術(shù)特點(diǎn)鮮明、性能好、前景廣闊, 是未來發(fā)展方向,但是 TSV 堆疊芯片這種結(jié)構(gòu)和工 藝復(fù)雜性的提高,為三維封裝的可靠性控制帶來了 挑戰(zhàn)。主要體現(xiàn)在以下 4 個(gè)方面 :(1) TSV
2024-12-30 17:37:06
2629 ,HBM)依靠在臺(tái)積電的28nm工藝節(jié)點(diǎn)制造的GPU芯片兩側(cè),TSV硅轉(zhuǎn)接基板采用UMC的65nm工藝,尺寸28mm×35mm。
2025-01-27 10:13:00
3792 
TGV(Through Glass Via)和TSV(Through Silicon Via)是兩種用于實(shí)現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術(shù)。
2025-06-16 15:52:23
1608 
在半導(dǎo)體三維集成(3D IC)技術(shù)中,硅通孔(TSV)是實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心,但受深寬比限制,傳統(tǒng)厚硅片(700-800μm)難以制造直徑更小(5-20μm)的TSV,導(dǎo)致芯片面積占比過高,且多層堆疊后總厚度可能達(dá)毫米級(jí),與智能手機(jī)等應(yīng)用對(duì)芯片厚度的嚴(yán)苛限制(通常<1mm)沖突。
2025-07-29 16:48:59
1367 
在TSV制造技術(shù)中,既包含TSV制造技術(shù)中通孔刻蝕與絕緣層的相關(guān)內(nèi)容。
2025-08-01 09:24:23
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技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔(ThroughSiliconVia),指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術(shù),芯片通常通過MicroBump
2025-10-11 16:39:24
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STMicroelectronics TSV771、TSV772和TSV774是單通道、雙通道和四通道20MHz帶寬單位增益穩(wěn)定放大器。TSV771、TSV772和TSV774具有軌到軌輸入級(jí)
2025-10-25 17:36:33
1448 
評(píng)論