日前，臺基股份發(fā)布向特定對象發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市募集說明書，擬募資 5.02 億元，其中 2.3 億元用于投建新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目、1.5 億元高功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心、1.2 億元補(bǔ)充流動資金等。

臺基股份表示，此次募資的目的在于，提高公司資本規(guī)模，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)升級；拓寬產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)化公司戰(zhàn)略布局；深化研發(fā)技術(shù)創(chuàng)新，保障公司持續(xù)發(fā)展。

據(jù)了解，6 吋 Bipolar 晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目，該生產(chǎn)線將同時兼容 6，500V 以上高壓晶閘管芯片生產(chǎn)。項(xiàng)目完成后，預(yù)計將形成月產(chǎn) 2 萬片 6 吋 Bipolar 晶圓的生產(chǎn)能力，應(yīng)用于高功率半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)的生產(chǎn)。

另外，高功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心將堅(jiān)持自主研發(fā)和產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，持續(xù)開展功率半 導(dǎo)體新材料、新技術(shù)、新應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究及先導(dǎo)技術(shù)研究。研發(fā)中心研究 內(nèi)容具體包括：1 建設(shè)高功率脈沖半導(dǎo)體開關(guān)試驗(yàn)平臺;2 升級高性能 IGBT 模塊（兼容 SiC 器件）試驗(yàn)和應(yīng)用平臺;3 建設(shè) EDA 仿真中心;4 構(gòu)建在線客戶支持系統(tǒng)，向客戶提供協(xié)同研發(fā)和在線技術(shù)支持。

當(dāng)前，功率半導(dǎo)體是一個集中度相對較高的行業(yè)。由于中國半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)積累的不足，目前國內(nèi) 50%以上的功率半導(dǎo)體市場空間被國際巨頭占據(jù)，從技術(shù)水平看國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件技術(shù)水平與國際領(lǐng)先水平還存在差距。近年來國內(nèi)企業(yè)逐步掌握新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化的設(shè)計、制造技術(shù)，并已批量生產(chǎn)，打破了國外廠商的壟斷，國內(nèi)企業(yè)大都通過成本和差異化優(yōu)勢迎頭趕上，未來存在“進(jìn)口替代”的發(fā)展機(jī)遇。

由于功率半導(dǎo)體對特色工藝的追求多于對運(yùn)算能力的追求，前端晶圓制造決定著功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要性能，也因此占據(jù)著產(chǎn)業(yè)鏈的核心地位。與此同時，通過差異化參數(shù)調(diào)整，先滿足客戶基礎(chǔ)指標(biāo)要求，然后再實(shí)現(xiàn)功耗與成本的最優(yōu)解，是半導(dǎo)體企業(yè)設(shè)計能力的核心體現(xiàn)，也是下游客戶對半導(dǎo)體廠商的核心需求。長遠(yuǎn)來看，IDM 模式有利于發(fā)揮范圍經(jīng)濟(jì)、占據(jù)更多的價值鏈環(huán)節(jié)，是功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的大勢所趨。

臺基股份專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、制造、銷售及服務(wù)，主要產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電氣控制和電源設(shè)備，包括冶金鑄造、電機(jī)驅(qū)動、電焊機(jī)械和大功率能源等領(lǐng)域。

為加快市場、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，臺基股份將重點(diǎn)開發(fā)新型 IGBT 模塊和 IGCT 等智能化器件，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程;保持在大功率半導(dǎo)體脈沖開關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品優(yōu)勢，擴(kuò)大產(chǎn)銷量；跟蹤和研發(fā)以 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)。