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斯達(dá)半導(dǎo)擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片

我快閉嘴 ? 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2021-03-04 15:07 ? 次閱讀
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嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“斯達(dá)半導(dǎo)”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項(xiàng)目。

公告顯示,斯達(dá)半導(dǎo)本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元(含本數(shù)),募集資金扣除相關(guān)發(fā)行費(fèi)用后將用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目、以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

政策助力,中國(guó)功率半導(dǎo)體迎發(fā)展良機(jī)

第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點(diǎn),契合節(jié)能減排、智能制造等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求,已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

近年來(lái),國(guó)家政策的大力支持給第三代半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了良好的機(jī)遇。

為推動(dòng)支持SiC等第三代半導(dǎo)體材料的制造及應(yīng)用技術(shù)突破,國(guó)家引發(fā)了多項(xiàng)鼓勵(lì)性和支持性政策,將SiC、GaN和AlN等第三代半導(dǎo)體材料納入重點(diǎn)新材料目錄。

國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃也已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向

國(guó)家科技部、工信部、北京市科委牽頭成立了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA),推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

科技部在國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》中,重點(diǎn)支持IGBT芯片和模塊的研發(fā)。

此外,工信部也在電子發(fā)展基金中也對(duì)IGBT器件及模塊進(jìn)行了資助。

目前,中國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),在新基建的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下,5G新能源汽車、數(shù)據(jù)中心工業(yè)控制等諸多產(chǎn)業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)生了巨大的需求,隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展與國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程的加速,功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場(chǎng)前景。

斯達(dá)半導(dǎo)加碼碳化硅功率芯片

高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由斯達(dá)半導(dǎo)全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施,總投資金額20億元。

項(xiàng)目擬通過新建廠房及倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施,購(gòu)置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備,實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)體表示,本項(xiàng)目的實(shí)施,有助于加快我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)突破,實(shí)現(xiàn)新能源汽車核心器件的國(guó)產(chǎn)化,改善智能電網(wǎng)、軌道交通等基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵零部件嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面,推動(dòng)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目由嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施,總投資金額為7億元。

該項(xiàng)目擬利用現(xiàn)有廠房實(shí)施生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,購(gòu)置全自動(dòng)劃片機(jī)、在線式全自動(dòng)印刷機(jī)、在線式全自動(dòng)貼片機(jī)、在線式全自動(dòng)真空回流爐、在線式全自動(dòng)清洗機(jī)等設(shè)備,實(shí)施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬(wàn)片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)表示,實(shí)施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目,將進(jìn)一步擴(kuò)大公司產(chǎn)能,有助于提高市場(chǎng)占有率。
責(zé)任編輯:tzh

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