編者按：在存儲產(chǎn)品競爭中，三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先，三星最新成立芯片專家組，以提高閃存芯片的生產(chǎn)良率。最新報道，中國長江存儲二期正式開建，國家存儲器基地項目總投資達240億美元。其中，一期主要實現(xiàn)
2020-06-22 10:57:00
9620 據(jù)半導體市場調(diào)研機構(gòu)DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。
2016-08-18 10:05:401258 
8月下旬，多名用戶將燒毀的手機的照片發(fā)到網(wǎng)上，稱“充電時發(fā)生爆炸”，而對此事件三星并未立即采取有效措施，而是延長召回時間，而近日，三星宣布250萬部Note 7召回，召回費用就將達到5000億韓元。
2016-09-05 12:09:341126 三星公司由于Note 7召回事件“浮虧”數(shù)百億美元，這當中包含了召回成本和市值損失等諸多條目。這樣一來，三星就算是出售了打印機等業(yè)務(wù)也難以恢復(fù)元氣。為了降低損失，讓公司恢復(fù)正軌，三星利用自己在存儲業(yè)界的壟斷地位，大幅提升芯片售價，從而導致了全球存儲產(chǎn)品價格飛漲的局面。
2016-10-31 11:11:553176 三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809 
業(yè)界消息指出，記憶體大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會導致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍幕當機。
2017-03-06 09:18:321044 業(yè)界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍屏當機。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達10萬條，業(yè)界認為將導致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:281126 
之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 三星李在溶近期表示，2030年三星要成為全球頭號芯片供應(yīng)商。三星的目標已經(jīng)十分明確，現(xiàn)在它已是全球存儲器業(yè)的首位，它的85%營收來自存儲器，因此未來它可能采取的措施，一是繼續(xù)擴大存儲器的市場份額，另一個是采用兼并途徑，包括擴大邏輯芯片以及代工的市占率。
2019-03-19 16:28:596458 8月5日消息，據(jù)臺媒報道，市場傳出三星以 5 納米制程為手機芯片大廠高通代工的訂單可能出現(xiàn)部分問題，因此高通 7 月緊急向臺積電求援，該公司 X60 基帶與旗艦級處理器芯片驍龍 875，原本在三星投產(chǎn)，后續(xù)將增加在臺積電生產(chǎn)的版本，并規(guī)劃從 2021 年下半開始產(chǎn)出。
2020-08-05 10:09:3010016 5nm工藝。不過，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國媒體報道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專用廠，于201
2021-07-05 18:35:594332 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）三星在3nm領(lǐng)先臺積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報道，因為擔心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺積電。 臺積電和三星是全球領(lǐng)先的兩大芯片
2022-02-25 09:31:004118 儀式。才過4個月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點的良率問題也遲遲沒有得到改善。 ? 其實，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254 Sensors（CCD&AIS）”國際會議上發(fā)表過。 在同一個會議上，三星電子發(fā)表了開口率高達約50％、像素間隔為2.0μm的CMOS傳感器試制結(jié)果。不過，并沒說是否使用了銅布線，只是表示為了提高開口率，將布線寬度縮小到了90nm或130nm。目前，上市日期未予公布。 :
2018-11-20 16:40:18
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體：防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
來看看Grand的具體規(guī)格。 三星GALAXY Grand配備一塊5英寸的屏幕，不過分辨率并沒有達到HD的高水準，因為成本控制和一維代碼讀取的需要，這塊屏幕的分辨率鎖定在800x400像素。像素密度
2012-12-19 15:54:04
` 本帖最后由 lzr858585 于 2016-10-18 10:51 編輯
從10月14日開始，三星官網(wǎng)最新召回公告顯示，可正式開始召回在內(nèi)陸地區(qū)的近20萬臺Note7，時間一直持續(xù)至
2016-10-18 10:40:03
的攝像頭，整體成像質(zhì)量出色，可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統(tǒng)，主頻高達1GHz的處理器保證了整機的流暢運行，機身自帶16GB的擴展存儲，同時還支持高達
2011-05-04 18:51:39
`三星事件引發(fā)手機安全新思考：墾鑫達報三星（墾鑫達注：NOTE7電池爆炸召回事件）已經(jīng)證實被召回機型為三星最新的智能手機NOTE 7 ,這是有關(guān)此前有報道三星一些設(shè)備發(fā)生爆炸。設(shè)備推出不到一個月
2016-09-03 12:45:17
預(yù)告明年的存儲器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀錄，三星今年在半導體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
較為激進的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
據(jù)國外媒體報道，三星周二表示，將停止在歐洲市場繼續(xù)銷售基于谷歌系統(tǒng)的Chromebook和基于微軟Windows的筆記本電腦。歐洲PC業(yè)務(wù)將關(guān)閉，但此舉不會波及其他地區(qū)。“我們只是對市場需求的及時
2014-09-25 10:32:11
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
的商機仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實下，2019年對存儲器廠商而言仍會是個豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導體產(chǎn)品領(lǐng)導者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
ROC-RK3568-PC使用三星m2固態(tài)970EVOPLUS 硬盤顯示只讀問題描述及復(fù)現(xiàn)步驟：ROC-RK3568-PC插入三星m2固態(tài)970EVOPLUS時硬盤掛載在disk1的目錄下 存儲文件 運行的時候有時候可以正常運行讀寫，有時候硬盤就變成了只讀的
2022-06-24 09:55:12
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術(shù)將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 編輯
三星半導體推出的ARM Cortex-A8架構(gòu)處理器，采用45nm低功耗精湛工藝，對于圖形的處理和多媒體的兼容性都是
2011-03-30 14:30:37
本帖最后由 forele 于 2013-8-5 14:23 編輯
日本媒體朝日新聞18日報導，夏普(Sharp)考慮加強和韓國三星電子(Samsung Electronics)的合作關(guān)系
2013-08-05 14:19:28
大量回收三星高通CPU回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，深圳帝歐專業(yè)回收三星高通CPU，趙生：*** QQ：764029970//1816233102歡迎有貨來電。專業(yè)收購三星高通CPU，高價
2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
中國無錫，希望爭取中國市場的商機。在晶圓代工市場，臺系業(yè)者掌握7成商機，南韓業(yè)者近兩年才急起直追，并將存儲器生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為非存儲器。三星在晶圓代工的市占率為8%，目前三星的非存儲器營收僅占7.1%，但
2018-12-24 14:28:00
TCL AT25286深圳三星純(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:28:5634 三星(Samsung ) 手機PC套件PC Studio軟件3.22_HF1版.zip
2010-01-20 15:29:420 三星半導體工廠跳電 三星：已將損失降到最低
據(jù)路透(Reuters)報導，全球最大存儲器廠商三星電子(Samsung Electronics)驚傳半導體廠房跳電消息，
2010-03-25 13:09:52820 繼官方宣布在全球范圍內(nèi)召回含有電池問題的三星Note7之后，詳細的召回方案也已經(jīng)在網(wǎng)絡(luò)上公布，此次涉及到召回的三星Note7共計250萬臺。
2016-09-05 09:44:031023 三星表示國行版三星Note7電池不存在安全隱患，原因是采用了不同的電池供應(yīng)商，因此不在本次全球召回范疇內(nèi)。
2016-09-05 14:16:421735 三星Galaxy Note7的召回進入收官階段，今天，BGR撰文談到了很有意思的一個現(xiàn)象，為什么三星全球召回宣布啟動后，就沒有Note 7爆炸了呢。
2016-12-23 13:31:01831 上周，關(guān)于10nm工藝良率依舊不夠理想的消息在媒體傳開，據(jù)說影響到高通驍龍835、蘋果A10X（新iPad）等一眾新品。目前外界普遍傳言，三星確定在今年4月發(fā)布Galaxy S8，而不是2月底的MWC甚至1月的CES。
2016-12-26 11:17:25763 自1980年代之后，韓國半導體業(yè)才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造，也即DRAM的研發(fā)。三星電子在存儲器方面的成功,有外在因素，如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導體的反傾銷策略等，顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。
2016-12-28 14:23:11564 電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機品牌廠下單排隊，未來三星10納米制程良率和產(chǎn)能配置，將攸關(guān)高通Snapdragon 835出貨及版圖擴張。
2017-01-10 02:47:11656 自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級涉及行賄被起訴后，三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-03 01:05:451273 了，SK Hynix和美光這時候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過昨天一紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了，可能會導致系統(tǒng)藍屏，三星正在召回——不過三星官方日前回應(yīng)稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572704 在三星Galaxy S8發(fā)布前，曾有消息稱，因為10nm驍龍835良率的問題，導致備貨有限，S8要延期到4月底發(fā)售。
2017-03-31 08:32:28707 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星手機存儲器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 因2017年存儲器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價過高，三星等存儲器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國廠商將進行大規(guī)模的擴產(chǎn)存儲器，存儲器價格將會有所松動，也就是說三星半導體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星在半導體市場的地位舉足輕重，尤其是存儲器更是獨霸一方，但是這也導致三星的業(yè)務(wù)對于存儲器的依賴過于嚴重，而如今最火爆的AI方面，三星有些遲鈍了，該如何追趕成為現(xiàn)在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847 受惠于市場需求強力推升，服務(wù)器存儲器供應(yīng)持續(xù)吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題，應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。
2018-06-21 08:44:335059 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 IC Insights預(yù)計，存儲器占2018年三星半導體銷售額的84％，將比2017年的81％上升3個點；三星除存儲器外的其他半導體產(chǎn)品今年銷售額僅為135億美元，比2017年增長8％。相反，三星今年的存儲器銷售額預(yù)計將增長31％，達到700億美元。
2018-08-22 13:22:543887 
三星1982年進入半導體存儲器領(lǐng)域，1993年至今一直為該領(lǐng)域世界第一，本文旨在研究其發(fā)展歷程和成功因素，從三星的危機意識、挑戰(zhàn)精神和速度文化入手，分析三星如何在技術(shù)追趕期實現(xiàn)反超，如何在技術(shù)領(lǐng)先期保持領(lǐng)先，以此獲得對我們工作的啟示啟發(fā)。
2019-03-04 14:02:167886 
（18nm）納米制程產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵，讓亞馬遜緊急更換由另一家韓國存儲器大廠SK海力士（SK Hynix）來供應(yīng)，并且對三星進行索賠的情況，嚴重沖擊了三星DRAM的市場商譽。
2019-04-13 11:36:393460 集成電路設(shè)計自動化軟件領(lǐng)導企業(yè)新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學習平臺設(shè)計取得最大突破，也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅實基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學習平臺設(shè)計取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅實基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學習平臺設(shè)計取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942 當前存儲器市況仍不佳，加上日韓貿(mào)易沖突不確定性增加等因素，韓國科技大廠三星已經(jīng)決定暫緩2019年下半年針對平澤市P2存儲器生產(chǎn)線的投資。
2019-07-29 10:15:333057 8月22日，一篇“三星導致高通5G芯片全部報廢”的報道刷爆網(wǎng)絡(luò)，登上了各大資訊平臺的頭條熱搜，該消息稱，三星7nm制程所代工的高通5G芯片因良率出問題，結(jié)果導致5G芯片全部報廢，并且三星自身的處理器也發(fā)生了同樣的問題。
2019-08-23 09:38:193266 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 固態(tài)硬盤時代，三星品牌存儲在業(yè)界的地位可以說是無人撼動，無論是傳統(tǒng)的SATA協(xié)議SSD或者是發(fā)展迅速的NVMeSSD，都擁有著極高的市場占有率和用戶口碑，三星在NAND技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上，一直是世界一流水平，尤其是3DNAND，更是遙遙領(lǐng)先。
2019-09-30 16:15:342940 根據(jù)韓國媒體報導，在當前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 據(jù)韓國業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲器投資項目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲器第二工廠和中國西安第二工廠已經(jīng)開始進入半導體設(shè)備訂購階段。
2019-11-19 10:37:46998 值得注意的是三星Exynos 990處理器此次采用的7nm（7LPP）采用了第二代7納米工藝，與Apple A13和Snapdragon 855一致。根據(jù)三星的說法，新型7nm LPP可使元件效率提高40%，性能提高20%或功耗降低50%，從而通過更少的層數(shù)來實現(xiàn)更高的元件良率。
2019-11-27 10:15:344852 3月18日，據(jù)韓國媒體報道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機存儲器，該存儲器能夠在4秒內(nèi)存儲5GB內(nèi)容，相當于一部藍光電影。
2020-03-20 10:51:281830 NVIDIA的RTX 30系列顯卡現(xiàn)在已經(jīng)有RTX 3090/3080/3070三款顯卡上市了，它們都使用三星的8nm工藝生產(chǎn)，后續(xù)還有RTX 3060 Ti、RTX 3060、RTX 3080 Ti等顯卡，也不會如傳聞那樣使用臺積電7nm，還是8nm工藝。
2020-11-17 10:05:434074 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)三星在3nm領(lǐng)先臺積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報道，因為擔心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺積電。
2022-03-01 09:16:591676 三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠不及公司期望的目標。
2022-04-20 10:43:132740 從一些公開的信息來看，三星看似在3nm制程節(jié)點上先行一步，但實際生產(chǎn)良率也難盡人意。 據(jù)悉，三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國的半導體企業(yè)PanSemi（磐矽半導體），后者據(jù)稱是一家專門生產(chǎn)比特幣挖礦機芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630 芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過4個月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點的良率問題也遲遲沒有得到改善。 其實，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強對3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:424327 三星向中國客戶提供了第一個3nm gaa，但新的報告顯示，這些芯片的實際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片，因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益率只有臺灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比finfet優(yōu)秀，但在生產(chǎn)效率上存在問題。
2023-10-12 10:10:201487 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計算機。
2023-12-01 10:33:453358 
12月26日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子正在開發(fā)自己的“智能傳感器系統(tǒng)”，用于對半導體工藝的控制和管理。這項新技術(shù)有望提高半導體良率、提高生產(chǎn)率。
2023-12-28 10:32:081833 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報道，表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機的Exynos
2024-02-04 09:31:131431 據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個問題。報道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露，盡管有部分分析師認為其已經(jīng)超過60%
2024-03-07 15:59:191611 三星近年來在半導體制造領(lǐng)域持續(xù)投入，并力爭在先進制程技術(shù)上取得突破。然而，據(jù)韓媒報道，三星在3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決，這對其在市場上的競爭力構(gòu)成了一定的挑戰(zhàn)。 據(jù)百能云芯電子.元器
2024-03-11 16:17:051032 在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進步，預(yù)計本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)；此外，4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。
2024-04-30 16:16:461146 近日，據(jù)韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%，僅達到五成左右。為了應(yīng)對這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 據(jù)報道，三星電子在最新的半導體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級（1b）制程DRAM的良率尚未達到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平，這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-13 09:41:181485 近期，三星電子在半導體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標準。這一情況引發(fā)了業(yè)界對三星半導體制造能力的質(zhì)疑，同時也使得該芯片未來能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機充滿了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240 相變存儲器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990 
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計新版1b
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109 據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而，實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 近日，三星宣布了一項大規(guī)模的汽車召回計劃，此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風險的三星高壓電池組，有可能導致火災(zāi)事故的發(fā)生，因此被
2025-02-10 09:32:131352 ，導致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進展不如預(yù)期 今年初，有知情人士向韓媒透露，三星已經(jīng)開始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝，被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952 
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