5月7日消息，TrendForce集邦咨詢公司在最新的研究報(bào)告中指出，人工智能（AI）技術(shù)的興起深刻地改變了DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場(chǎng)格局，因此該公司決定上調(diào)這兩種儲(chǔ)存產(chǎn)品本季度的合同價(jià)格漲幅。

首先來(lái)看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測(cè)漲幅為13~18%，現(xiàn)已調(diào)整至15~20%，其中eMMC/UFS的漲幅相對(duì)較小，為10%。

TrendForce解釋說(shuō)，他們?cè)菊J(rèn)為在經(jīng)歷了兩個(gè)或三個(gè)季度的價(jià)格上漲之后，DRAM內(nèi)存和NAND閃存的買(mǎi)家可能不太愿意繼續(xù)承受高昂的價(jià)格壓力。然而，隨著四月份臺(tái)灣地區(qū)地震后的首次合約價(jià)格談判結(jié)束，價(jià)格漲幅超出預(yù)期，主要原因在于AI熱潮對(duì)供需雙方產(chǎn)生了心理影響。

在DRAM市場(chǎng)，存儲(chǔ)廠商擔(dān)心HBM內(nèi)存產(chǎn)能的增加將會(huì)擠壓傳統(tǒng)內(nèi)存的供應(yīng)空間。據(jù)IT之家此前報(bào)道，美光表示HBM3E內(nèi)存的晶圓用量比傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存多出3倍；此外，TrendForce還指出，到2024年底，三星電子1αnm制程的DRAM產(chǎn)能中有大約60%將被HBM3e內(nèi)存占據(jù)。鑒于此，買(mǎi)家開(kāi)始考慮在第二季度提前儲(chǔ)備DRAM內(nèi)存，以應(yīng)對(duì)從第三季度開(kāi)始的HBM內(nèi)存供應(yīng)緊張局面。

在NAND閃存領(lǐng)域，由于AI推理服務(wù)器更注重節(jié)能性，北美云服務(wù)提供商正加大QLC企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的使用力度。閃存產(chǎn)品庫(kù)存迅速減少，導(dǎo)致部分供應(yīng)商出現(xiàn)惜售情緒。然而，報(bào)告同時(shí)指出，由于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品需求恢復(fù)情況尚未明朗，存儲(chǔ)廠商對(duì)于非HBM內(nèi)存產(chǎn)能的投資仍然較為謹(jǐn)慎，特別是那些仍未實(shí)現(xiàn)盈利的DRAM閃存項(xiàng)目。