隨著人工智能(AI)技術的快速發展，AI處理器對功率的需求呈現出顯著增長態勢。為了應對這一挑戰，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)的開發范圍擴展至400V領域，并推出了全新的CoolSiC? 400V MOSFET系列。這一創新產品不僅滿足了AI服務器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時保持了服務器機架規定的緊湊尺寸。

英飛凌此次推出的CoolSiC? 400V MOSFET系列，是基于今年早些時候發布的第二代(G2)CoolSiC技術的進一步演進。這一產品組合專門針對AI服務器的AC/DC(交流/直流)階段設計，與該公司近期公布的PSU路線圖相輔相成。除了AI服務器外，這些器件還廣泛應用于太陽能和儲能系統(ESS)、逆變器電機控制、工業和輔助電源(SMPS)以及住宅結構的固態斷路器等多個領域。

與現有市場上的650V SiC和Si MOSFET相比，英飛凌的CoolSiC? 400V MOSFET系列在傳導和開關損耗方面實現了顯著降低。在AI服務器PSU的AC/DC級中，通過采用多級PFC(功率因數校正)技術，該系列MOSFET實現了高達100W/in3的功率密度，并達到了99.5%的卓越效率，相較于使用650V SiC MOSFET的解決方案，效率提升了0.3個百分點。

值得一提的是，CoolGaN?晶體管在DC/DC(直流/直流)級的集成應用，為AI服務器PSU提供了完整的系統解決方案。通過高性能MOSFET和晶體管的混合使用，電源系統能夠提供超過8kW的功率，相較于現有系統，功率密度提升了3倍以上。

全新的CoolSiC? 400V MOSFET系列共包含10個項目，涵蓋了五種不同的RDS(on)(導通電阻)等級，范圍從11到45 mΩ。這些MOSFET采用先進的開爾文源TOLL和D2PAK-7封裝，以及創新的.XT封裝連接技術。在T vj = 25°C(結溫)時，漏源擊穿電壓達到400V，使其非常適合應用于2級和3級轉換器以及同步整流等場景。

這些組件在具有挑戰性的開關條件下展現出卓越的性能和可靠性。先進的CoolSiC技術與.XT連接技術的結合，使得設備能夠輕松應對意外的功率增加以及AI處理器功率需求突然變化帶來的波動。即使在結溫升高的情況下，這些MOSFET也能保持出色的性能，這要歸功于其連接技術和低且正的RDS(on)溫度系數。