科銳首席執行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽度,是我們長期且優質的商業伙伴。這項協議的簽署,體現了科銳SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充,同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用,這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要。”
2018-04-04 09:00:59
8213 電子發燒友訊 11月20日消息,科銳(Cree)和意法半導體(ST)將多年的碳化硅晶圓供應協議擴展至超過5億美元。該擴展使Cree先進的150mm碳化硅裸片和外延片原始協議的價值翻了一番,并將在幾年
2019-11-20 10:04:10
7098 的碳化硅產品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC? 晶圓的研發水準再創新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。 ? 首批200mm SmartSiC?襯底誕生于 Soitec與CEA-Leti
2022-05-06 13:48:42
3097 
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新
2025-02-19 11:35:41
1716 
的各種碳化硅(SiC)材料的供應安全。 ? 據了解,碳化硅是高效而強大的功率半導體,尤其是光伏、工業電源和電動汽車充電基礎設施等領域半導體不可或缺的基礎材料。雙方達成的這一協議意味著,為滿足日益增長的半導體需求,英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業
2021-05-07 10:58:40
1788 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)碳化硅產業當前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規模往8英寸發展,在最上游的晶體、襯底,業界已經具備大量產能,8英寸的碳化硅晶圓產線也開始逐漸落地,進入試產階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:00
5497 
片150mm晶圓的消耗量,這里還未統計其他手機制造商對功率器件、其他平臺對光電子應用的需求量。碳化硅(SiC)應用持續升溫150mm晶圓的另一突出應用領域是SiC功率MOSFET。如今,SiC功率
2019-05-12 23:04:07
,因此碳化硅功率器件有低的結到環境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應,并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
)法”和“氨熱法”。“Na Flux(鈉助溶)法”的優勢是可使晶圓實現較大的尺寸、較高的質量;“氨熱法”的優勢是可提高晶圓質量。二者融合后,可以獲得比碳化硅成本更低的的氮化鎵晶圓。據森教授表示,使用由
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
組件來實現產品設計。也因為消費性市場存在可觀的潛在需求,相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下,氮化鎵制程已經吸引臺積電等晶圓代工業者投入。不過,氮化鎵陣營的業者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
,獲得華大半導體有限公司投資,創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現相比硅元器件更高的工作溫度,實現雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
90A 的 6 件拓撲結構,適用于 1200V,以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片組。 半頂 E2 模塊 SEMITOP E2是允許全面優化的無底板模塊。憑借其位于外殼頂部的引腳
2023-02-20 16:29:54
的發展趨勢,對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優點,如:碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
晶圓由 Wolfspeed 提供,圖片由 Wolfspeed 提供另一家電源開關和射頻設備領域的領先企業 Wolfspeed 正在莫霍克河谷為基于碳化硅的元件建造一個200毫米的晶圓制造廠。這家
2022-07-07 11:34:54
系列電源模塊,支持多種柵極輸出電壓,可靈活應用于碳化硅MOSFET驅動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm, 設計緊湊, 通用性強。原作者:基本半導體
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強,穩定的超快速本體二極管,因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能優勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優勢卻始終未能轉換成市場規模,主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產能的不順暢。
2018-10-10 11:06:56
29773 碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內企業有哪些?國內碳化硅產業鏈企業盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創企業Siltectra,獲得后者創新技術ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00
140328 科銳(Nasdaq: CREE)宣布與意法半導體(NYSE: STM)簽署多年協議,將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-14 15:24:58
4705 科銳(Nasdaq: CREE)宣布與意法半導體(NYSE: STM)簽署多年協議,將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圓片。
2019-01-15 10:26:28
4909 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協議。
2020-01-17 09:07:48
1766 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48
1308 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2021-08-16 10:46:40
6521 意法半導體總裁兼首席執行官 Jean-Marc Chery 表示:“此次最新的擴大與科銳的長期晶圓供應協議,將繼續提高我們全球 SiC 襯底供應的靈活性。
2021-08-20 17:08:14
1660 
碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:01
2981 
碳化硅在電動汽車和新能源等市場的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術,以制定符合需求的發展計劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進制造工藝并專注于盡快加速產品在 SiC 領域采用的公司
2022-08-03 10:57:44
2685 
【2022年9月19日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團 (納斯達克代碼:IIVI)簽署了一份多年期碳化硅(SiC)晶圓供應協議
2022-09-20 11:39:12
1051 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布,雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。
2022-11-09 10:53:29
1128 前言:碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2023-01-05 11:23:19
2135 制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數
2023-02-09 17:51:29
868 
英飛凌科技持續擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協議。
2023-02-17 09:31:15
542 摘要:對于高導熱碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圓晶的導熱系數測試,目前普遍都采用閃光法,但都存在測試結果偏低的現象。本文基于這種高導熱碳化硅特性和閃光法,解釋了這種測試誤差較大的原因,并通過
2023-02-20 15:55:04
0 進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經過外延生長就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:11
3177 
本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27
2334 
援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息: 【英飛凌公司正推動其碳化硅(SiC)供應商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06
1194 本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:04
3277 
碳化硅硬度高,耐磨性好,碳化硅晶片硬度大,莫氏硬度分布在9.2~9.6之間,化學穩定性高,幾乎不與任何強酸或強堿發生反應,切割劃片很有難度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經驗,現將
2022-12-08 16:50:46
4337 
碳化硅晶錠的生長、切割一直是業內公認的難題,全球僅有少數幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認可,wolfspeed作為目前這個領域的領先者,是唯一一個8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:39
1043 伴隨著這座采用領先前沿技術 200mm 碳化硅制造工廠的建設和產能擴充計劃的執行,莫霍克谷器件工廠已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET,首批供應的產品型號為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續還將開始更多產品型號碳化硅器件的樣品申請,并批量出貨中國市場。
2023-07-05 10:31:44
1294 
? 根據Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產,Wolfspeed已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應的產品型號為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14
1265 長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規模化生產的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片,這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37
1106 這份為期十年的供應協議要求Wolfspeed在2025年為Renesas提供150mm碳化硅裸晶和外延晶圓,這強化了兩家公司對于從硅向硅碳化物半導體功率設備行業轉型的愿景。
2023-07-07 10:46:51
1227 碳化硅襯底是碳化硅產業鏈中成本最高、技術門檻最高的環節之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動,碳化硅廠商紛紛投資建設8英寸晶圓生產線,。國內外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產的競爭。
2023-07-14 16:22:58
1831 隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號,全球芯片制造商正在快速采取行動,確保碳化硅功率器件的供應。O
2023-08-07 18:28:34
799 
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此,生產碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43
635 Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富,提供優異的散熱,極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00
2169 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:35
1190 )與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議(原先的協議簽定于 2018 年 2 月)。
2024-01-24 09:51:01
1100 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明,延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31
1151 英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系,以滿足市場對碳化硅(SiC)晶圓產品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52
1459 為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,我們正在落實一項多供應商戰略,從而在全球范圍內保障對于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質、長期供應優質貨源
2024-01-25 11:13:55
455 英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅(SiC)材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅(SiC)晶圓供應
2024-01-30 17:06:00
1340 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布,將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求,并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:14
1385 英飛凌科技與Wolfspeed宣布,將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展,雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性,還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33
1272 全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。
2024-03-28 14:37:32
1316 開始安裝鑄錠設備,預計生產將于 2024 年 12 月或 2025 年 1 月開始。 該工廠將主要生產200mm(8英寸)碳化硅晶圓,其尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍。這將滿足對能源轉型
2024-04-15 16:33:10
566 羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)宣布,雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm(6英寸)碳化硅(SiC)襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上,
2024-04-23 10:17:57
957 代碼:STM) 宣布,雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上,繼續擴大合作。根據新簽署的長期供貨協議
2024-04-26 11:30:00
1058 
羅姆集團與全球知名的半導體巨頭意法半導體(簡稱ST)近日共同宣布,雙方將深化合作關系,進一步擴展在碳化硅(SiC)襯底晶圓領域的合作。此次合作基于雙方現有的針對150mm(6英寸)碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協議,意法半導體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應。
2024-05-07 10:16:49
1123 全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布,羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)將擴大目前已持續多年的150mm SiC晶圓長期供應合同。
2024-05-08 14:50:56
1192 在全球半導體技術持續革新的浪潮中,碳化硅芯片作為新一代功率半導體器件的核心材料,正逐步成為市場的新寵。近日,半導體制造領域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其碳化硅芯片制造工廠及材料制造工廠均取得了關鍵性的進展,這一里程碑式的成就無疑將進一步鞏固Wolfspeed在碳化硅功率器件領域的領先地位。
2024-06-27 14:33:01
1308 以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應用中具有優勢
2024-08-08 10:13:17
4710 知名碳化硅晶圓和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一項戰略調整決策,決定關閉其位于美國北卡羅來納州達勒姆的6英寸碳化硅晶圓生產設施,以應對成本控制的緊迫需求。盡管此舉的具體員工影響尚未透露,但
2024-08-26 09:42:06
1044 全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術創新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心,實現了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:32
1309 Wolfspeed碳化硅助力實現高性能功率系統
2024-10-24 10:51:36
2 圓切片工藝具有重要價值。然而,該技術的原理和損傷層形成機理尚未完全明確。因此,本文將介紹超短脈沖激光輔助SiC晶圓切片工藝原理,并深入探討超短脈沖激光在材料內部加工的機理問題。 超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片工藝原理
2024-11-25 10:02:10
1329 
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術的SiC產品這些產品在奧地利菲拉赫生產,為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術200mmSiC的生產將鞏固英飛凌在所
2025-02-18 17:32:45
1135 
的真相(誤區一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻
2025-04-30 18:21:20
761 
從Wolfspeed破產到中國碳化硅崛起:國產SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產業重構 一、Wolfspeed的隕落:技術霸權崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領域的先驅,Wolfspeed
2025-05-21 09:49:40
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01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能
2025-07-15 15:00:19
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Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續工作,助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:23
2328 9月8日消息,中國科學院半導體研究所旗下的科技成果轉化企業,于近日在碳化硅晶圓加工技術領域取得了重大突破。該企業憑借自主研發的激光剝離設備,成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補
2025-09-10 09:12:48
1432 全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產品開啟大規模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業從硅向碳化硅轉型的使命邁出關鍵一步。
2025-09-11 09:12:54
1415 一、引言
隨著半導體產業的迅猛發展,碳化硅(SiC)作為關鍵的寬禁帶半導體材料,其應用愈發廣泛。大尺寸碳化硅(150mm+)晶圓在提高芯片生產效率、降低成本方面具有顯著優勢。然而,大尺寸帶來的挑戰
2025-09-20 10:10:23
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碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品的創新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
2025-09-22 09:31:47
654 天岳先進上海工廠產品交付儀式舉辦當天,英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議,天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米(6英寸)碳化硅晶圓和晶錠,其
2023-05-06 01:20:00
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上漲。 ? 近期,包括羅姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光電、天岳先進等國內外企業紛紛披露碳化硅項目最新進展,其中多起投資金額超百億元人民幣。就在這幾日,市場消息顯示,瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應協議,碳化
2023-07-07 01:15:00
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