微半導體于2014年成立，并憑借其面向消費級市場的高集成度的GaN功率芯片產品在市場上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進入這個市場，EPC、GaN系統、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國的英諾賽科）已經實現商業化量產，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:53
6574 100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務器應用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應為動態表征這些功率器件帶來了多重挑戰。本文回顧了GaN半導體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰，以及一些有助于應對這些挑戰的新技術。
2022-10-19 17:50:341924 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:43:28987 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001692 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:003265 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）GaN功率器件的價格在近年持續下跌，部分650V、150V規格的GaN器件價格已經與同規格的硅基器件相近，并且高頻性能更強，效率更高。在GaN的成本優勢之下，帶動
2023-10-14 00:07:003420 ? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
2024-02-26 06:30:003364 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
集成電路故障機制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉向GaN功率器件（例如通信基站）的開發技術。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應晶體管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
地被開發出來。GaN器件的低導通內阻、低寄生電容和高開關速度等特性，使得對應的Class D功放系統能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統硅基器件
2025-10-22 09:09:58
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關 v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 應用到移動電話首款GaN 應用是針對大功率軍事使用開發的，例如雷達或反IED 干擾機，然后逐漸擴展至商用基站和有線電視轉播機。這些應用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設備的平均
2017-07-28 19:38:38
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
`根據Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體企業受惠；另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
650V的MOSFET。根據應用程序的要求，開發人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統
2023-02-27 15:53:50
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結構，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:392841 Infineon（英飛凌）V2X技術開發平臺
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息，以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:215266 “GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產品領域是多么重要。此次能夠與業界知名的技術開發領軍企業羅姆共筑合作體制，我感到非常高興。通過兩家公司專業知識
2019-08-22 08:49:473976 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:3510 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:571285 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產品開始，GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕，并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:041773 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經開發并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉換，并且已經與汽車企業建立了無數合作伙伴關系。
2023-01-06 11:11:34948 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:002554 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這
2023-05-18 16:34:231263 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
2023-05-24 15:19:341314 
非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT *1
2023-05-25 00:25:011084 
功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:181078 
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:174139 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:252393 
保證了HEMT器件產品在0-850V的電壓區間上的安全穩定工作，在國內市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發出650V、900V、以及1200V HEMT產品，推動氮化鎵向更高壓、更高功率應用領域邁進。
2023-11-16 11:56:224043 
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:541870 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術在各領域的應用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能，為行業帶來更多
2024-02-02 15:06:341360 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:40:130 電子發燒友網站提供《650V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:41:300 電子發燒友網站提供《650V 50m? 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:40:050 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 09:50:390 電子發燒友網站提供《650V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 11:31:110 電子發燒友網站提供《用于有源鉗位反激式轉換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 14:46:400 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 10:40:570 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:18:530 德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統
2024-06-18 14:24:101634 德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機驅動器應用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能，為大型家用電器及加熱、通風和空調（HVAC）系統的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 在半導體技術的浪潮中，韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導體（SK keyfoundry）近日宣布了一項重大技術突破——已確保新一代功率半導體GaN（氮化鎵）的關鍵器件特性。這一里程碑式的進展不僅彰顯了公司在半導體領域的深厚實力，也預示著GaN技術的廣闊應用前景。
2024-06-25 10:38:551076 電子發燒友網站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:100 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
~同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產~ ? 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531194 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:54:57883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-21 14:37:23728 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
GaN元器件開發的Ancora Semiconductors Inc.聯合開發而成的，在650V GaNHEMT的器件性能指數方面，達到了業界超高水平
2025-03-07 16:45:55748 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器，從而減少了元器件數量并簡化了設計。可編程的導通轉換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護，適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅動器
2025-08-13 15:13:49777 
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑借其卓越的性能和創新的設計，正在成為高效電力轉換領域的明星產品。
2025-08-28 13:52:113434 云鎵半導體世界第一！云鎵發布650V/150A增強型GaN芯片，向汽車電子進發1.GaN—引領新能源汽車領域的未來隨著GaN器件在數據中心及光伏逆變等領域的滲透，其在工業級的應用已日趨成熟。而在全球
2025-11-11 11:46:57624 
探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設計要點 在電子設備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導體器件的性能起著至關重要的作用。今天我們就來詳細探討一下
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