Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。

這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產(chǎn)品TDG650E60提供60A的電流。

這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴(yán)格的高可靠性軍事、航空電子和太空應(yīng)用，是諸如電源、電機(jī)控制和半橋拓?fù)涞葢?yīng)用的理想之選。

這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology?芯片和低電感GaNPX?封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開(kāi)關(guān)、快速且可控制的下降和上升時(shí)間、反向電流能力等等。

Teledyne e2v HiRel業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁Mont Taylor表示：“我們很高興繼續(xù)為需要最高可靠性的航空等應(yīng)用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項(xiàng)目設(shè)計(jì)的客戶真正受益。”

TDG650E15B和TDG650E30B均為增強(qiáng)型硅上GaN功率晶體管，可實(shí)現(xiàn)大電流、高壓擊穿和高開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)為大功率應(yīng)用提供非常低的結(jié)殼（junction-to-case）熱阻。

氮化鎵器件已經(jīng)革新了其他行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換元件，現(xiàn)在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的可靠性和電氣測(cè)試以確保關(guān)鍵任務(wù)的成功。這些新型GaN HEMT的發(fā)布為客戶提供了關(guān)鍵航空航天和國(guó)防電力應(yīng)用所需的效率、尺寸和功率密度優(yōu)勢(shì)。

對(duì)于所有產(chǎn)品線，Teledyne e2v HiRel都會(huì)針對(duì)最高可靠性應(yīng)用執(zhí)行最嚴(yán)苛的認(rèn)證和測(cè)試。對(duì)于功率器件，這些測(cè)試包括硫酸測(cè)試、高空模擬、動(dòng)態(tài)老化、環(huán)境溫度高達(dá)175°C的階躍應(yīng)力、9伏柵極電壓以及全溫度測(cè)試。與碳化硅（SiC）器件不同，這次發(fā)布的兩款器件可以輕松地并行實(shí)施，以增加負(fù)載電流或降低有效導(dǎo)通電阻（RDSon）。
編輯：hfy